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本发明提供一种半导体晶片的洗净方法，其是将半导体晶片洗净的方法，其特征在于，其包括下述工序：根据SC1洗净液来将前述半导体晶片洗净的工序；根据氢氟酸来将前述经SC1洗净液所洗净的半导体晶片洗净的工序；以及根据臭氧浓度是3ppm以上的臭氧水来...
该专利属于信越半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体股份有限公司授权不得商用。

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