TFT阵列基板的制作方法技术

本发明专利技术提供了一种TFT阵列基板的制作方法，包括：提供半成品基板，包括基板、栅极线、栅极保护层、TFT、信号线、共通线和钝化层；在钝化层表面上形成保护层，保护层内具有贯穿保护层的通孔，通孔位于待形成栅极线接触孔位置处；以保护层为掩膜，去除待形成栅极线接触孔位置处第一预设厚度的待去除层，待去除层为栅极线上方的、待形成栅极线接触孔位置处的栅极保护层和钝化层；去除待形成信号线接触孔位置处的保护层，同时去除待形成栅极线接触孔位置处的待去除层和待形成信号线接触孔位置处的钝化层，形成栅极线接触孔和信号线接触孔。采用上述方法信号线的金属层几乎不会被破坏，TFT阵列基板的抗腐蚀能力大大提高。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：提供半成品基板，所述半成品基板包括基板，位于所述基板表面的栅极线，覆盖所述基板表面和所述栅极线的栅极保护层，位于所述栅极保护层表面上的TFT、信号线和共通线，及覆盖所述TFT、信号线和共通线的钝化层；在所述钝化层表面上形成保护层，所述保护层内具有贯穿所述保护层的通孔，所述通孔位于待形成栅极线接触孔位置处；以所述保护层为掩膜，去除所述待形成栅极线接触孔位置处第一预设厚度的待去除层，所述待去除层为所述栅极线上方的、待形成栅极线接触孔位置处的栅极保护层和钝化层；去除待形成信号线接触孔位置处的保护层，然后同时去除待形成栅极线接触孔位置处的待去除层和待形成...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张毅先，任思雨，刘伟，胡君文，于春崎，何基强，
申请(专利权)人：信利半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：