【技术实现步骤摘要】
本专利技术系关于一种，尤指一种具有自行对准的掺杂区、使用掺杂半导体层作为储存电容下电极以及使用转接电极连接画素电极与薄膜晶体管的漏极的。
技术介绍
一般而言，显示面板包括多个画素结构，且各画素结构包括薄膜晶体管、储存电容以及画素电极等元件。在现有显示面板中，薄膜晶体管的半导体层内的源极掺杂区与漏极掺杂区以及栅极系使用不同的光罩加以定义，因此源极掺杂区与漏极掺杂区的位置容易与由栅极的位置有所偏差，而造成薄膜晶体管的元件特性不稳定的问题。此外，在现有显示面板中，画素电极容易在蚀刻介电层的开口时受损，而影响显示面板的显示品质。再者，现有制作显示面板的方法必须使用八道光刻与蚀刻制程，其制程复杂而造成制作成本大幅提升。
技术实现思路
本专利技术的目的的一在于提供一种，以提升显示面板的薄膜晶体管的元件特性及显示品质。本专利技术的一实施例提供一种制作显示面板的方法，包括下列步骤。提供一基板，基板具有一画素区以及一第一薄膜晶体管区。于基板上形成一图案化半导体层，图案化半导体层包括一第一第一半导体图案，设置于第一薄膜晶体管区内。于基板上形成一绝缘层，其中绝缘层覆盖图案化半导体层。于绝...
【技术保护点】
一种制作显示面板的方法，包括：提供一基板，该基板具有一画素区以及一第一薄膜晶体管区；于该基板上形成一图案化半导体层，该图案化半导体层包括一第一第一半导体图案，设置于该第一薄膜晶体管区内；于该基板上形成一绝缘层，其中该绝缘层覆盖该图案化半导体层；于该绝缘层上形成一第一图案化导电层，该第一图案化导电层包括一画素电极，设置于该画素区内；于该绝缘层上形成一第二图案化导电层，该第二图案化导电层包括：一第一栅极，设置于该第一薄膜晶体管区内，其中在一垂直投影方向上该第一栅极部分重叠该第一半导体图案；以及一转接电极，设置于该画素区内，其中一部分的该转接电极与该画素电极接触并在该垂直投影方向...
【技术特征摘要】
2013.03.22 TW 1021103261.一种制作显示面板的方法，包括: 提供一基板，该基板具有一画素区以及一第一薄膜晶体管区； 于该基板上形成一图案化半导体层，该图案化半导体层包括一第一第一半导体图案，设置于该第一薄膜晶体管区内； 于该基板上形成一绝缘层，其中该绝缘层覆盖该图案化半导体层； 于该绝缘层上形成一第一图案化导电层，该第一图案化导电层包括一画素电极，设置于该画素区内； 于该绝缘层上形成一第二图案化导电层，该第二图案化导电层包括: 一第一栅极，设置于该第一薄膜晶体管区内，其中在一垂直投影方向上该第一栅极部分重叠该第一半导体图案；以及 一转接电极，设置于该画素区内，其中一部分的该转接电极与该画素电极接触并在该垂直投影方向上部分重叠该画素电极，而另一部分的该转接电极位于该绝缘层的表面且在该垂直投影方向上未与该画素电极重叠； 于在该垂直投影方向上与该第一栅极未重叠的该第一半导体图案中形成一第一掺杂区与一第二掺杂区，其中该第一掺杂区与该第二掺杂区具有一第一掺杂类型； 形成一介电层覆盖该绝缘层、该画素电极与该第二图案化导电层，并于该介电层与该绝缘层中形成一第一开口暴露出该第一掺杂区以及一第二开口暴露出该第二掺杂区，以及于该介电层中形成一第三开口暴露出该转接电极；以及 于该介电层上形成一第三图案化导电层，该第三图案化导电层包括: 一第一源极，填入该第一开口并与该第一掺杂区电性连接；以及一第一漏极，填入该第二开口并与该第二掺杂区电性连接以及填入该第三开口与该转接电极电性连接。2.根据权利要求1所述的制作显示面板的方法，其特征在于，该图案化半导体层包括一多晶硅半导体层、该第一图案化导电层包括一透明导电层、该第二图案化导电层包括一不透明导电层，且该第三图案化导电层包括一不透明导电层。3.根据权利要求1所述的制作显示面板的方法，其特征在于，另包括于该介电层上形成一保护层，以覆盖该第一源极与该第一漏极，并于该保护层与该介电层中形成一第四开口，暴露出该画素电极。4.根据权利要求3所述的制作显示面板的方法，其特征在于，该基板更具有一第二薄膜晶体管区以及一储存电容区， 该图案化半导体层更包括: 一第二半导体图案，设置于该基板上并位于该第二薄膜晶体管区内，其中该第二半导体图案具有一第三掺杂区与一第四掺杂区，且该第三掺杂区与该第四掺杂区具有一不同于该第一掺杂类型的第二掺杂类型；以及 一储存电容下电极，设置于该基板上并位于该储存电容区内； 该第二图案化导电层更包括: 一第二栅极，设置于该绝缘层上并位于该第二薄膜晶体管区内；以及 一储存电容上电极，设置于该绝缘层上并位于该储存电容区内； 该介电层与该绝缘层更具有:一第五开口，暴露出该第三掺杂区；以及 一第六开口，暴露出该第四掺杂区；以及 该第三图案化导电层更包括: 一第二源极，位于该第二薄膜晶体管区内，该第二源极填入该第五开口并与该第三掺杂区电性连接；以及 一第二漏极，位于该第二薄膜晶体管区内，该第二漏极填入该第六开口并与该第四掺杂区电性连接。5.根据权利要求4所述的制作显示面板的方法，其特征在于，形成该第一图案化导电层的步骤包括: 于该绝缘层上形成一第一导电层； 于该第一导电层上形成一图案化光阻层，该图案化光阻层具有: 一第一光阻层，位于该画素区内； 一第二光阻层，位于该第一薄膜晶体管区内；以及 一第三光阻层，位于该第二薄膜晶体管区内，其中该第一光阻层的厚度大于该第二光阻层的厚度与该第三光阻层的厚度； 去除未被该第一光阻层、该第二光阻层与该第三光阻层覆盖的该第一导电层，以于该画素区内形成该画素电极、于该第一薄膜晶体管区内形成一第一阻挡图案，以及于该第二薄膜晶体管区内形成一第二阻挡图案，其中该第一阻挡图案于该垂直投影方向上覆盖该第一半导体图案，且该第二阻挡图案于该垂直投影方向上部分覆盖该第二半导体图案； 于在该垂直投影方向上与该第二阻挡图案未重叠的该第二半导体图案中形成该第三掺杂区与该第四掺杂区，以及对该储存电容下电极进行掺杂； 进行一灰化制程以移除该第二光阻层与该第三光阻层； 移除该第一阻挡图案以及该第二阻挡图案；以及 移除该第一光阻层。6.根据权利要求3所述的制作显示面板的方法，其特征在于，该基板更具有一第二薄膜晶体管区以及一储存电容区， 该图案化半导体层更包括: 一第二半导体图案，设置于该基板上并位于该第二薄膜晶体管区内，其中该第二半导体图案具有一第三掺杂区与一第四掺杂区，且该第三掺杂区与该第四掺杂区具有一不同于该第一掺杂类型的第二掺杂类型；以及 一储存电容下电极，设置于该基板上并位于该储存电容区内； 该第二图案化导电层更包括: 一储存电容上电极，设置于该绝缘层上并位于该储存电容区内； 该介电层与该绝缘层更具有: 一第五开口，暴露出该第三掺杂区；以及 一第六开口，暴露出该第四掺杂区；以及 该第三图案化导电层更包括: 一第二源极，位于该第二薄膜晶体管区内，该第二源极填入该第五开口并与该第三掺杂区电性连接；以及一第二漏极，位于该第二薄膜晶体管区内，该第二漏极填入该第六开口并与该第四掺杂区电性连接。7.根据权利要求6所述的制作显示面板的方法，其特征在于，形成该第一图案化导电层的步骤包括: 于该绝缘层上形成一第一导电层； 于该第...
【专利技术属性】
技术研发人员：周政伟，胡晋玮，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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