液晶显示面板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种液晶显示面板及其制作方法。本发明专利技术液晶显示面板为COA型结构，彩色滤光层包括依次连接的数个色阻单元，相邻两色阻单元在交汇处有部分叠加，彩色滤光层上的钝化层在对应相邻两色阻单元叠加位置的上方设有开孔，从而使得彩色滤光层中的小分子气体在钝化层制程及后续的透明导电层结晶制程中能够释放出来，降低色阻气泡风险，同时减少了色阻叠加位置的高度，平坦度提升，具有较高的产品良率；本发明专利技术的液晶显示面板的制作方法，在钝化层上对应彩色滤光层内的相邻两色阻单元叠加位置的上方形成开孔，在不额外增加制程与成本的前提下，降低色阻气泡风险，同时减少色阻叠加位置的高度，有助于提升膜面平坦度，提升产品良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种液晶显示面板及其制作方法。
技术介绍
液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)是目前最广泛使用的平板显示器之一，液晶面板是液晶显示器的核心组成部分。传统的液晶面板通常是由一彩色滤光片(ColorFilter，CF)基板、一薄膜晶体管阵列基板(ThinFilmTransistorArraySubstrate，TFTArraySubstrate)以及一配置于两基板间的液晶层(LiquidCrystalLayer)所构成，其工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。其中薄膜晶体管阵列基板上制备有薄膜晶体管(TFT)阵列，用于驱动液晶的旋转，控制每个像素的显示，而彩色滤光片基板上设有彩色滤光层，用于形成每个像素的色彩。彩色滤光层由红色色阻(Red)、绿色色阻(Green)、及蓝色色阻(Blue)交替排列组成。COA(ColorFilteronArray)技术是将彩色滤光层直接制备在的阵列基板上的技术，而彩膜基板上只设有黑色矩阵(BlackMatrix，BM)以及柱状隔垫物(PhotoSpacer，PS)层。如图1所示，为现有一种COA液晶显示面板的结构示意图，其中，下基板100’由下至上依次设有第一基板110’、TFT阵列层120’、彩色滤光层130’、钝化层、第一透明导电薄层140’、及下配向膜150’，上基板200’由上至下依次设有第二基板210’、黑色矩阵层220’、第二透明导电层230’、上配向膜240’、及柱状隔垫物250’。其中，彩色滤光层130’由红色色阻单元131’、绿色色阻单元132’、及蓝色色阻单元133’交替排列组成。彩色滤光层130’的主体材料为有机物，现有技术在进行彩色滤光层130’的制作时，可能会在其内部残存有气体，同时由于有机物的特性，在某些条件下，例如长期处于高温环境，或显示器处于震动的工作状态下时，彩色滤光层130’内部会缓慢释放出小分子的碳氧化物气体，如CO、CO2等，这些小分子气体产生后会穿透彩色滤光层130’表面的钝化层、第一透明导电薄层140’、及下配向膜150’，进入下基板100’和上基板200’之间的中间夹层即液晶层300’当中，在局部形成气泡，会影响显示效果，降低产品良率。目前，改善色阻产生的气泡带来的不良影响主要通过两种方法，其一是调整彩色滤光层的材料，这种方法工艺难度大，且生产成本很高，周期较长；另一种方法是在透明导电层制程结束之后对下TFT阵列基板进行真空热处理，使色阻材料中的小分子释放出来，这种方法增加生产成本，且不能根本消除气泡问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种液晶显示面板，能够在其制作过程中排出彩色滤光层中色阻材料中的小分子气体，降低色阻气泡风险，同时平坦度提升，具有较高的产品良率。本专利技术的另一目的在于提供一种液晶显示面板制作方法，在制作过程中不需要额外增加制程与成本，能够将彩色滤光层中色阻材料中的小分子气体在彩色滤光层的后续制程中排出，降低色阻气泡风险，同时有助于提升液晶显示面板的平坦度，提升产品良率。为实现上述目的，本专利技术首先提供一种液晶显示面板，包括：相对设置的下基板与上基板、及夹设于所述下基板和上基板之间的液晶层；所述下基板包括：第一衬底基板、设置在所述第一衬底基板上的TFT阵列层、设置在所述第一衬底基板及TFT阵列层上的彩色滤光层、设置在所述彩色滤光层上的钝化层、设置在所述钝化层上的第一透明导电层、以及设置在第一透明导电层上的下配向膜；所述彩色滤光层包括依次连接的数个色阻单元；相邻两色阻单元在交汇处有部分叠加；所述钝化层在对应相邻两色阻单元叠加位置的上方设有开孔。所述上基板包括：第二衬底基板、设置所述第二衬底基板上的黑色矩阵层、设置在所述第二衬底基板及黑色矩阵层上的第二透明导电层、设置在第二透明导电层上的上配向膜、以及设置在上配向膜上的柱状隔垫物。所述数个色阻单元包括红色色阻单元、绿色色阻单元、及蓝色色阻单元。所述钝化层的材料为氮化硅；所述开孔的长度为5-10um，宽度为5-10um。所述第一透明导电层的材料为ITO。本专利技术还提供一种液晶显示面板的制作方法，包括以下步骤：步骤1、提供一第一衬底基板，在所述第一衬底基板上形成TFT阵列层；步骤2、在所述第一衬底基板及TFT阵列层上形成依次连接的数个色阻单元，得到彩色滤光层，相邻两色阻单元在交汇处有部分叠加；步骤3、在所述彩色滤光层上形成钝化层，在所述钝化层上对应相邻两色阻单元叠加位置的上方形成开孔；步骤4、在所述钝化层上沉积ITO材料并在230-260℃的温度条件下对其进行高温处理使结晶，形成第一透明导电层；在对ITO材料进行高温处理过程中，所述彩色滤光层内的小分子气体通过所述钝化层上的开孔排出；步骤5、在所述第一透明导电层上形成下配向膜，完成液晶显示面板下基板的制作；步骤6、提供上基板，将所述下基板与上基板对组，并在下基板和上基板之间注入液晶，形成液晶层，完成液晶显示面板的制作。所述步骤3中，所形成的钝化层的材料为氮化硅；通过半曝光方法在所述钝化层上蚀刻形成开孔，从而避免过度蚀刻而同时对所述彩色滤光层进行蚀刻。所述步骤3中所形成的开孔长度为5-10um，宽度为5-10um。所述步骤4中对ITO材料进行高温处理的时间为30-60min。所述步骤6中提供的上基板包括：第二衬底基板、设置所述第二衬底基板上的黑色矩阵层、设置在所述第二衬底基板及黑色矩阵层上的第二透明导电层、设置在第二透明导电层上的上配向膜、以及设置在上配向膜上的柱状隔垫物。本专利技术的有益效果：本专利技术提供的液晶显示面板，为COA型结构，彩色滤光层包括依次连接的数个色阻单元，相邻两色阻单元在交汇处有部分叠加，彩色滤光层上的钝化层在对应相邻两色阻单元叠加位置的上方设有开孔，从而使得彩色滤光层中的小分子气体在钝化层制程及后续的透明导电层结晶制程中能够释放出来，降低色阻气泡风险，同时减少了色阻叠加位置的高度，平坦度提升，具有较高的产品良率；本专利技术提供的液晶显示面板的制作方法，在钝化层上对应彩色滤光层内的相邻两色阻单元叠加位置的上方形成开孔，从而在后续对ITO材料进行高温处理使结晶的过程中，彩色滤光层内的小本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示面板，其特征在于，包括：相对设置的下基板(100)与上基板(200)、及夹设于所述下基板(100)和上基板(200)之间的液晶层(300)；所述下基板(100)包括：第一衬底基板(110)、设置在所述第一衬底基板(110)上的TFT阵列层(120)、设置在所述第一衬底基板(110)及TFT阵列层(120)上的彩色滤光层(130)、设置在所述彩色滤光层(130)上的钝化层(140)、设置在所述钝化层(140)上的第一透明导电层(150)、以及设置在第一透明导电层(150)上的下配向膜(160)；所述彩色滤光层(130)包括依次连接的数个色阻单元；相邻两色阻单元在交汇处有部分叠加；所述钝化层(140)在对应相邻两色阻单元叠加位置的上方设有开孔(141)。

【技术特征摘要】
1.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：相对设置的下基板(100)
与上基板(200)、及夹设于所述下基板(100)和上基板(200)之间的液晶
层(300)；
所述下基板(100)包括：第一衬底基板(110)、设置在所述第一衬底基
板(110)上的TFT阵列层(120)、设置在所述第一衬底基板(110)及TFT
阵列层(120)上的彩色滤光层(130)、设置在所述彩色滤光层(130)上的
钝化层(140)、设置在所述钝化层(140)上的第一透明导电层(150)、以及
设置在第一透明导电层(150)上的下配向膜(160)；
所述彩色滤光层(130)包括依次连接的数个色阻单元；相邻两色阻单元
在交汇处有部分叠加；
所述钝化层(140)在对应相邻两色阻单元叠加位置的上方设有开孔
(141)。
2.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述上基板(200)
包括：第二衬底基板(210)、设置所述第二衬底基板(210)上的黑色矩阵层
(220)、设置在所述第二衬底基板(210)及黑色矩阵层(220)上的第二透明
导电层(230)、设置在第二透明导电层(230)上的上配向膜(240)、以及设
置在上配向膜(240)上的柱状隔垫物(250)。
3.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述数个色阻单元
包括红色色阻单元(131)、绿色色阻单元(132)、及蓝色色阻单元(133)。
4.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述钝化层(140)
的材料为氮化硅；所述开孔(141)的长度为5-10um，宽度为5-10um。
5.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一透明导电
层(150)的材料为ITO。
6.一种液晶显示面板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、提供一第一衬底基板(110)，在所述第一衬底基板(110)上形
成TFT阵列层(120)；
步骤2、在所述第一衬底基板(110)及TFT阵列层(120)上形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢子清，谢克成，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44