一种磷酸硅玻璃薄膜的等离子体化学气相沉积方法技术

本发明专利技术提供了一种磷酸硅玻璃薄膜的等离子体化学气相沉积方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：执行磷酸硅玻璃薄膜沉积的预步骤；磷酸硅玻璃薄膜沉积；其中，磷酸硅玻璃薄膜沉积的预步骤中通入一反应气体，反应气体为磷化氢气体，所述磷化氢气体的流量为50～100标况毫升/分钟。在本发明专利技术提供的磷酸硅玻璃薄膜的等离子体化学气相沉积方法中，通过降低反应气体磷化氢的流量，使得含磷量高的磷酸硅玻璃（P-rich?PSG）膜层更加致密，磷酸硅玻璃（PSG）薄膜与含磷量高的磷酸硅玻璃（P-rich?PSG）膜层的附着性更好，减少缺陷颗粒的产生，从而提高了产品的良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及。
技术介绍
目前，磷酸硅玻璃薄膜的等离子体化学气相沉积包括两个过程:磷酸硅玻璃薄膜沉积的预步骤和磷酸硅玻璃薄膜沉积。其中，磷酸硅玻璃薄膜沉积的预步骤的目的是在反应腔体上沉积薄膜，为磷酸硅玻璃薄膜的沉积做好准备。磷酸硅玻璃薄膜沉积的预步骤的程序分成三步:第一步为沉积含硅量高的氧化硅(SRO)薄膜；第二步为沉积氧化硅(USG)薄膜；第三步为沉积含磷量高的磷酸硅玻璃(P-rich PSG)薄膜，含磷量高的磷酸硅玻璃(Ptich PSG)薄膜形成了磷酸硅玻璃(PSG)薄膜沉积的氛围环境。磷酸硅玻璃薄膜沉积的预步骤程序完成后，开始在晶片上进行磷酸硅玻璃(PSG)薄膜沉积。磷酸硅玻璃(PSG)薄膜每沉积8次，就会进行NF3腔体自清洗。制造过程中发现，随着磷酸硅玻璃(PSG)薄膜沉积次数的增加，晶片上缺陷颗粒的数量也会随之增加，而且，大部分缺陷颗粒都无法通过去离子水清除。如图1所示，通常沉积到第5，6，7，8片的晶片时缺陷颗粒就会出现并有可能超过管控范围。一旦晶片上的缺陷颗粒数量太多，就会产生不良品。虽然磷酸硅玻璃(PSG)薄膜每沉积8次就会执行NF3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磷酸硅玻璃薄膜的等离子体化学气相沉积方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：执行磷酸硅玻璃薄膜沉积的预步骤；磷酸硅玻璃薄膜沉积；其中，磷酸硅玻璃薄膜沉积的预步骤中通入一反应气体，反应气体为磷化氢气体，所述磷化氢气体的流量为50～100标况毫升/分钟。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建维，侯多源，张旭升，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：