用于制造相变存储器材料的碲前驱体制造技术

本发明专利技术涉及用于制造相变存储器材料的碲前驱体。说明书中公开了用于制造相变存储器材料的碲(Te)前驱体，特别是含碲(Te)前驱体、含Te硫属元素化物相变材料。说明书中还公开了使用ALD、CVD或循环CVD法制造含Te硫属元素化物相变材料的方法，其中至少一种公开的含碲(Te)前驱体引入该方法。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
在基底上沉积含Te硫属元素化物相变材料的方法，包括以下步骤：沉积包括具有以下一般结构的含Te组合物的Te前驱体：R”2Te其中R”选自氢和氘；沉积包括具有以下一般结构的氨基锗烷的Ge前驱体：(R1R2N)4Ge其中R1和R2为含有1?10个碳的直链、支链或环状形式的烷基；和沉积包括具有以下一般结构的氨基锑烷的Sb前驱体：(R1R2N)3Sb其中R1和R2为含有1?10个碳的直链、支链或环状形式的烷基。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：萧满超，TR加夫尼，
申请(专利权)人：气体产品与化学公司，
类型：发明
国别省市：