【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种锗硅薄膜的形成装置，包括：反应腔室，用于为反应物在晶圆表面形成含锗硅的外延层提供平台；等离子腔室，用于在含锗的反应物到达晶圆表面之前，将所述含锗的反应物等离子体化，形成等离子锗；其特征在于，所述反应腔室壁上具有开口，等离子腔室位于所述开口内或通过管道与反应腔室的开口连通。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：三重野文健，涂火金，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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