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本发明实施例提供了一种锗硅薄膜的形成装置，包括：反应腔室，用于为反应物在晶圆表面形成含锗硅的外延层提供平台；等离子腔室，用于在含锗的反应物到达晶圆表面之前，将所述含锗的反应物等离子体化，形成等离子锗；所述反应腔室壁上具有开口，等离子腔室位于...
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