浅沟槽隔离结构的制作方法技术

本发明专利技术提供了一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：在半导体衬底上依次覆盖氧化层和氮化层；进行曝光与刻蚀工艺，形成浅沟槽图形；沉积隔离层填满所述浅沟槽图形；对所述隔离层实施平坦化处理并留下部分隔离层；湿法刻蚀去除剩余隔离层后再去除所述氮化层。在本发明专利技术提供的浅沟槽隔离结构的制作方法中，平坦化处理未接触到氮化层，采用普通的研磨液就可以达到平坦化，降低了研磨液的成本，同时用湿法刻蚀去除氮化层上剩余的隔离层，解决了化学机械研磨产生的凹陷与侵蚀现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路及其制造领域，特别涉及一种。
技术介绍
近年来，随着半导体集成电路制造技术的发展，芯片中所含元件的数量不断增加，元件的尺寸也因集成度的提升而不断地缩小。然而，无论元件尺寸如何缩小化，在芯片中各个元件之间仍必须有适当得绝缘或隔离，才能得到良好的元件性质。这方面的技术一般称为元件隔离技术(Device Isolation Technology),其主要目的是在各元件之间形成隔离物，并且在确保良好隔离效果的情况下，尽量缩小隔离物的区域，以空出更多的芯片面积来容纳更多的元件。在各种元件隔离技术中，局部硅氧化方法(L0C00S)和浅沟槽隔离结构(ShallowTrench, STI)制造过程是最常被采用的两种技术，尤其后者具有隔离区域小和完成后仍保持基本平坦性等优点，更是近年来颇受重视的半导体制造技术。浅沟道隔离区是0.25um以下半导体技术采用的通用隔离方法，这种隔离的优点是隔离效果好，而且占用面积小。传统的形成包括:参考图la，在硅衬底100上覆盖一层氧化娃垫层101和氮化娃层102 ;参考图1b,光刻后干法刻蚀,在氮化娃层102、氧化娃垫层101以及硅衬底1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，并在所述半导体衬底上依次覆盖氧化层和氮化层；进行曝光与刻蚀工艺，形成浅沟槽图形；沉积隔离层，所述隔离层填满所述浅沟槽图形；对所述隔离层实施平坦化处理，平坦化处理后留下部分隔离层；湿法刻蚀去除剩余隔离层后再去除所述氮化层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张明华，严钧华，黄耀东，方精训，彭树根，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：