用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片的制造方法技术

一种用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片的制造方法，步骤包括在单晶硅片一上制作N型埋层和P型埋层；在单晶硅片一上进行深槽刻蚀、牺牲层氧化、沟阻氧化、淀积填槽多晶硅及CMP多晶硅，形成介质隔离区；在单晶硅片二上生长埋氧层；对已形成介质隔离区的所述单晶硅圆片一与已形成埋氧层的所述单晶硅圆片二进行正面硅硅键合，形成SOI硅材料片；对单晶硅片一那面的衬底进行减薄、CMP精抛光，最终形成所述的用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片。本发明专利技术方法具有制作成本低、有源层缺陷少、有源层参数一致性好、无图形漂移等特点，可广泛用于全介质隔离互补双极工艺的制造领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片的制造方法，应用于互补双极工艺的半导体制造领域。
技术介绍
互补双极工艺是应用最为广泛的半导体制造工艺之一，用于互补双极工艺的常规介质隔离SOI材料片的制造方法是:在SOI片上先制作N型埋层和P型埋层，然后再生长N型或P型外延层来制作。首先，外延层的质量受埋层掺杂浓度和衬底材料自身的缺陷密度影响很大，容易出现层错和滑移线，且在外延后埋层图形容易出现较大的漂移；其次，外延过程中的自掺杂效应会导致片内和片间外延层厚度及电阻率分布存在差异，从而引起使用该方法制作的材料片所制造的电路或器件参数离散性大(如CE击穿电压)；再次，N型外延或P型外延的设备成本和工艺成本均比较高。专利文献1(专利号:200910190948.7)“浅结互补双极晶体管的制造方法”，提出了通过硅/硅键合、减薄抛光方法形成SOI材料片，再在SOI材料片上通过深槽刻蚀、多晶硅回填制作深槽介质隔离加浅隔离墙，结合具有浅结多晶硅发射极的纵向NPN管与纵向PNP管兼容的互补双极工艺，制作所述的浅结互补双极晶体管。该方法制作出的SOI材料片由于需要高温工艺，如1150°C本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片的制造方法，其特征在于，该方法步骤为：（1）在单晶硅片一上制作N型埋层和P型埋层；（2）在形成N型埋层和P型埋层的单晶硅片一上进行深槽刻蚀、牺牲层氧化、沟阻氧化、淀积填槽多晶硅及CMP多晶硅，形成介质隔离区；（3）在单晶硅片二上生长埋氧层；（4）对已形成介质隔离区的所述单晶硅圆片一与已形成埋氧层的所述单晶硅圆片二进行正面硅硅键合，形成SOI硅材料片；（5）在所述SOI硅材料片上，对其单晶硅片一那面的衬底进行减薄、CMP精抛光，最终形成所述用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：唐昭焕，税国华，胡刚毅，李儒章，王斌，张杨波，吴建，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十四研究所，
类型：发明
国别省市：