本发明公开了一种用于单光子雪崩二极管的高过偏压可变负载式淬灭装置，包括：淬灭单元，用于在单光子雪崩二极管发生雪崩时，通过改变可变负载管的电阻至无穷大快速切断雪崩电流，实现可变负载式淬灭；复位单元，用于在淬灭完成后，产生可调延迟的复位信号...

本发明公开了一种N型衬底BCD工艺全隔离器件结构及其制作方法，所述制作方法包括以下步骤：提供N型衬底，在所述衬底上形成外延层并在所述外延层中形成全隔离结构；在所述外延层上形成有源区和浅沟槽隔离；在所述外延层上形成双阱区；在所述外延层上形...

本发明公开了一种应用于无片外电容LDO的瞬态增强电路，包括：额外充电单元，用于检测所述LDO输出电压的下降，并在所述LDO输出电压下降导致达到充电触发条件时，向所述LDO的电压输出端注入额外的充电电流；瞬态检测增强单元，用于检测所述LD...

本发明公开了一种适用于SPAD阵列读出电路的地址编码装置及碰撞识别方法，所述装置包括：地址线，用于并行传输代表地址编码的电平状态，所述地址线的数量与地址位数相同；像素单元，与所述地址线连接，用于当探测到光子时，根据预设的碰撞探测编码将对...

本发明公开了一种基于模拟电路的电源模块自恢复输出过压保护电路，包括：过压检测电路、状态变换处理电路和使能控制电路，其中，所述过压检测电路的两个输入端分别和电源模块输出端的正负端电连接，用于通过其内部的光耦来检测电源模块输出电压是否过压；...

本发明公开了一种环形振荡器，包括：控制单元，用于响应于外部控制电压，生成相应的偏置电流；以及奇数个串联连接的振荡单元，且串联连接的最后一级振荡单元的输出端与所述第一级振荡单元的输入端连接形成环形结构；所述振荡单元用于在所述偏置电流的作用...

本发明属于微电子器件可靠性测试技术领域，具体涉及一种通用型试验夹具，旨在解决现有专用夹具通用性差、需重复设计加工、试验效率低的问题。其技术方案包括基座和可拆卸固定连接的夹持组件，基座设有多个装配槽，装配槽分布方式可选矩形、线性、环形等，...

本发明公开了一种金电极芯片厚膜固定电阻器，包括衬底，还包括：两列金厚膜电极，其位于衬底上且相互平行，两列金厚膜电极的两端相向延伸形成第一组金导带，两列金厚膜电极的中部还从与金厚膜电极垂直的方向相向延伸形成第二组金导带，第一组及第二组金导...

本发明公开了一种具有延伸超结槽栅的LDMOS器件，包括P‑well区和漂移区，源极区域通过P‑well区和漂移区与漏极区域接通，且源极区域、P‑well区、漂移区和漏极区域依次排列形成导电区；埋氧层和衬底层，埋氧层设置在导电区的底部，衬...

本发明属于集成电路设计领域，具体涉及一种带迟滞的总线接口接收器输入电路；该电路包括：电阻分压单元，共模反馈单元和带迟滞的主体接收器单元；电阻分压单元分别与共模反馈单元和带迟滞的主体接收器单元连接；电阻分压单元输入总线高电平信号CANH和...

本发明公开了一种消除芯片保护环非预期印刷图案的方法，包括：采用保护环光刻版图仿真得到在光刻形成芯片保护环时产生的非预期印刷图案的位置和尺寸，并在保护环光刻版图的相应位置形成大小适配的辅助图形；在保护环光刻版图上减去辅助图形，得到保护环修...

本发明公开了一种低结电容SiGe HBT版图排布结构，包括硅衬底、第一有源区、第二有源区和外基区，发射极、集电极和基极，发射极通过发射极接触条引出，所述基极通过基极接触孔引出；集电极通过集电极接触条或集电极接触孔引出；每一个所述基极接触...

本发明公开了一种在BCD工艺中集成屏蔽栅沟槽MOSFET的方法及结构，所述方法包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底上生长外延层并在所述外延层中形成隔离结构；在所述外延层上形成深沟槽结构并制备屏蔽栅沟槽MOSFET的屏蔽栅；在所述外延层上形...

本发明属于半导体集成电路设计领域，特别涉及一种静态工作点连续可调的低噪声放大器，包括Cascode放大单元、共栅管偏置电路、反馈网络、偏置网络、输入匹配网络、输出匹配网络；Cascode放大单元与共栅管偏置电路、反馈网络、偏置网络、输入...

本发明公开了一种可调自偏置闭环环形放大器，包括第一级至第三级MOS管及偏置电阻单元，每一级MOS管均包括两个MOS管，第一级MOS管的两个MOS管的栅极相连后接输入节点，第一级MOS管的输出连接第二级MOS管中两个MOS管的栅极，第二级...

本发明公开了一种集成换能元件的自毁芯片及具有该芯片的系统，包括由功能层和衬底层组合而成的存储芯片，还包括换能元件，该换能元件通过第一集成方式集成在所述衬底层一侧，和/或通过第二集成方式集成在所述功能层一侧，用于在触发后释放能量并使功能层...

本发明公开了一种具有分布式ESD防护网络的硅转接板和ESD防护结构，包括转接板本体和分布式ESD防护网络，所述分布式ESD防护网络包括设置于转接板本体上端的RC触发MOS钳位单元层和嵌入式ESD二极管网络层、设置于转接板本体下端的地网结...

本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种自适应高频谐振式磁隔离固态开关电路，包括驱动电路、高频谐振电路、输出级电路；驱动电路用于驱动高频谐振电路；所述高频谐振电路，包括变容阵列C1、电容C2、变压器T1、二极管D1；其中，变容阵列C1用...

本发明公开了一种监控金属硅化物阻挡层工艺的测试结构及测试方法，所述测试结构包括PN结，所述PN结包括相互连接的P型掺杂区和N型掺杂区，所述P型掺杂区和N型掺杂区的交界处形成PN结的交界区域，所述PN结的交界区域上方设置有金属硅化物阻挡层...

本发明公开了一种BCD工艺中改善有源区CDU的方法，包括：在所述硅衬底上依次淀积缓冲氧化层、SiN层和SiON层；通过光刻和刻蚀工艺在硅衬底上形成浅隔离沟槽；通过热氧化工艺形成高温氧化层；去除SiON层表面在热氧化工艺过程中形成的表面氧...