中国电子科技集团公司第二十四研究所专利技术

中国电子科技集团公司第二十四研究所共有537项专利

  • 本申请提供一种晶闸管触发电路,包括:升压模块基于第一控制信号及第二控制信号对第一电源电压进行升压处理,得到第二电源电压并对外输出;通过脉冲产生模块基于第三控制信号及第四控制信号交替对第二电源电压进行正接和反接,得到脉冲信号;通过脉冲整形...
  • 本发明公开了一种应用于高精度数模转换器电流源阵列的校准电路,包括:校准DAC模块,电流比较器模块,数字控制电路模块,存储电路模块;数字控制电路模块控制选择待校准电流源和参考电流源输入到电流比较器作比较;数字控制电路模块控制电流比较器的使...
  • 本申请涉及数字集成电路设计技术领域,提供了一种应用于Sigma‑Delta转换器的数字抖动信号生成电路及方法,电路包括:数字滤波模块,用于接收目标Sigma‑Delta转换器的调制模块的输出比特流并输出数字滤波信号;判断模块,用于将数字...
  • 本申请涉及单光子探测器仿真技术领域,提供一种硅基单光子探测器暗计数率仿真方法、装置、设备及介质,方法包括:获取目标硅基单光子探测器在不同温度下的多个击穿电压;根据各击穿电压,得到目标硅基单光子探测器的过偏压范围,以及在耗尽区内过偏压范围...
  • 本技术涉及芯片检测装置技术领域,公开了一种芯片检测装置,包括底座、夹具单元、检测单元和设在底座上的位置调节单元,夹具单元包括支承板以及设置在底座上的调节部,支承板的顶面上开设有限位槽;检测单元的检测部分设置在位置调节单元上并位于支承板的...
  • 本申请提供一种用于2.5D以及3D封装的散热结构,包括:基板;热电制冷芯片,其部分嵌入所述基板,使得其吸热面与所述基板接触,散热面远离所述基板;芯片堆叠结构,其设置于所述基板背离所述热电制冷芯片的一侧,且所述芯片堆叠结构与所述热电制冷芯...
  • 本申请提供一种合金薄膜成分的测试方法,该方法包括:提供衬底,在衬底上形成材料相同且相互独立的合金薄膜第一区块和多个合金薄膜第二区块,合金薄膜第二区块之间的距离小于合金薄膜的特征扩散长度;对各个合金薄膜第二区块进行光学表征,得到对应的光谱...
  • 本发明属于集成电路领域,具体涉及一种具有二阶补偿的双阈值PJFET基准电路;该电路包括:6个NPN三级管Q5~Q10、4个PNP三极管Q1~Q4、11个电阻R1~R11、2个PJFET管J1~J2以及一个运算放大器;通过Q6以及R1产生...
  • 本发明公开了一种基于双沿采样的超高速DAC电路,包括:高频开关阻抗模块,包括电流源开关模块,电流源开关模块包括第一差分开关支路、第二差分开关支路、第一差分开关支路、第二差分开关支路用于交替实现数字信号的双边沿采样;第一差分开关支路的输出...
  • 本申请提供一种高频信号阻抗匹配电路及方法,该电路包括:第一阻抗匹配模块及第二阻抗匹配模块,通过第一阻抗匹配模块和第二阻抗匹配模块对输入端口的差分输入信号进行阻抗匹配,得到并向后级电路输出差分输出信号,将差分输入信号的反射系数控制在目标反...
  • 本发明提供一种集成CMOS管的温度传感器电路、温度计及芯片,该电路包括:分别连接电源电压的第一负载管、第二负载管;运算放大器,分别与第一负载管、第二负载管相连构成反馈环路,用于对运算放大器的两个输入端所对应的电压钳位,以使两个输入端的电...
  • 本发明公开了一种低噪声SiGe双极晶体管及其制造方法,双极晶体管包括:衬底、设置在衬底上的外延层、设置在外延层中且位于外延层的顶部的基区、设置在基区中且位于基区的顶部的发射区,发射区中包括侧墙复合结构,侧墙复合结构的材料由氮化硅、氧化硅...
  • 本发明涉及一种具有底部槽形端子元件的混合集成电路组装方法,包括:在混合集成电路基板的焊盘上涂覆焊膏;在底部槽形端子元件的焊接端子对应焊盘的焊膏上贴装焊料片;将各混合集成电路元件的焊接端子通过助焊剂贴装在对应焊盘的焊膏或焊料片上;采用烧焊...
  • 本申请涉及电子电路技术领域,提供了一种高压输入辅助电源供电启动电路,包括:电源控制器,用于辅助供电以实现脉宽调制功能,并对输入电压的主供电回路进行开关控制;线性稳压模块,与电源控制器连接,用于将输入电压转换为启动电压,并根据启动电压对电...
  • 本申请涉及数字集成电路设计技术领域,提供了一种半定制物理设计单元放置方法、装置、设备及介质,方法应用于数字后端设计工具,包括:获取目标数字集成电路的设计指标信息、设计需求信息、网表文件、放置约束信息;根据设计指标信息、设计需求信息,对设...
  • 本发明公开了一种电流舵数模转换器的误差补偿电路,其中,电流舵数模转换器电流源阵列模块,提供一待校准电压,误差补偿电路包括:基准电流源模块,提供一基准电压;误差检测模块,以所述基准电压与所述待校准电压作为输入,输出所述基准电压与所述待校准...
  • 本发明涉及半导体集成电路设计领域,具体涉及一种提高功率放大器线性度的偏置电路和功率放大器;包括电阻R1、电阻R2、电容C1、电感Lbias、晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3;本发明所采用的偏置电路结构,补偿了功率放大器在温度变化以及在...
  • 本发明属于集成电路领域,特别涉及一种防电感电流反向的控制电路及控制方法;所述电路应用于同步整流PWM控制器片内集成芯片中,包括比较器电路、充放电电路和恒流源电路;这些电路均为模拟电路,本发明采用模拟电路的方式实现,具有元件数量少、便于集...
  • 本发明公开了一种四开关可变拓扑控制电路及四开关变换器,依靠输出电压反馈,实现了降压和升压两种拓扑的自动切换,当输出电压偏低,误差放大器输出的控制量会跟随变高,此时,如果降压开关占空比未达到100%,则降压开关占空比将增加,此时升压占空比...
  • 本发明涉及微电子及传感信号处理技术领域,具体涉及一种用于光纤陀螺的信号处理电路;包括斩波功能模块、前级放大功能模块、数据转换及处理功能模块、后级放大功能模块、存储功能模块和测温功能模块;各个模块相互协作,共同完成光纤陀螺信号处理功能;本...
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