本发明公开了一种用于量化Sigma‑Delta调制器的低失调量化器，包括前馈电路、预放大器U1和Latch比较器U2，所述前馈电路包括至少一个前馈支路，前馈支路分别包括前馈正向支路和前馈负向支路；前馈正向支路和前馈负向支路分别通过前馈电...

本发明提供一种电流自适应控制的快速响应低压差线性稳压器，包括：依次连接的第一级电路、第二级电路和输出级电路；所述第一级电路用于将基准电压VREF1与反馈电压进行比较，并对产生的误差信号进行放大，为后续的第二级和输出级电路提供控制信号；所...

本发明公开了一种带TL‑C并联型嵌入式网络的放大器结构，包括放大器嵌入式核心；输入匹配网络和输出匹配网络；输入串联型嵌入式网络，其输入端与所述输入匹配网络的输出端电气连接；输出串联型嵌入式网络，其输出端与所述输出匹配网络的输入端电气连接...

本发明涉及半导体集成电路设计领域，具体涉及一种基于CMOS工艺的低噪声低功耗有源矢量合成移相器，包括单端转差分电路、第一正交网络、第二正交网络和矢量调制电路；单端转差分电路的1端作为输入端，单端转差分电路的2端、3端分别连接第一正交网络...

本发明公开了一种多工位PCB电路板测试装置及其使用方法，该装置包括：底座和若干个设置在所述底座上的测试组件，所述测试组件包括测试台、测试板、支撑架、检测驱动器和滑动承载台；所述检测驱动器的固定端固设于所述支撑架上，驱动端与所述测试板的背...

本发明公开了通信移相一体化的多功能混频器结构，包括混频器核心，用于调节相位或混频调制，还包括：正交信号发生器，其输出端与所述混频器核心的第一输入端电气连接，用于产生差分正交信号；可重构匹配网络，其输入端连接所述混频器核心的混频输出端，其...

本发明公开了一种带嵌入式网络及增益提升电感的放大器结构，包括放大器，输入匹配网络和输出匹配网络，用于所述放大器的输入及输出阻抗共轭匹配；输入串联型嵌入式网络，其输入端与所述输入匹配网络的输出端电气连接；输出串联型嵌入式网络，其输出端与所...

本发明公开了一种与集成电路微组装工艺兼容的点火桥及其制作方法，制作方法包括：在基板正面依次沉积薄膜电阻层、阻挡层和薄金籽晶层；在薄金籽晶层上通过光刻形成挖空区域的图形，并露出两个电极图形；在两个电极图形所在区域电镀金层；去除挖空区域的薄...

本发明涉及一种基于栅电容抵消的高电源抑制比低压差线性稳压器，包括：误差放大器、功率管M<subgt;P</subgt;、反馈网络R1和R2、负载电容C<subgt;L</subgt;、频率补偿电容C<sub...

本发明公开了一种功率VDMOS器件及其制作方法，功率VDMOS器件包括VDMOS芯片和金属互联桥，所述金属互联桥包括水平段和引出段，所述引出段固定设置于水平段的一端，并从水平段的正面向外凸出；所述VDMOS芯片的背面电极金属与水平段的正...

本发明公开了一种低基区连接电阻的自对准硅锗HBT结构及其制作方法，制作方法包括以下步骤：完成制作基区前的工艺步骤，打开基区窗口；在基区窗口处刻蚀形成非平面型凹槽；采用非选择性方式外延形成Si Ge层，所述Si Ge层在非平面型凹槽中部的...

本发明公开了一种逐次逼近型模数转换器的数据校准方法及装置，所述方法包括以下步骤：获取理想数据集以及训练数据集；构建神经网络校准模型并基于理想数据集和训练数据集对神经网络校准模型进行训练；利用训练后的神经网络校准模型对逐次逼近型模数转换器...

本发明公开了一种数模转换器的开关驱动装置，设置于数据同步模块与DAC core模块之间，包括：增强单元，用于接入数据同步模块输出的差分信号，并提升所述差分信号的驱动能力后作为驱动信号输出到调整单元；以及调整单元，用于接收所述驱动信号并控...

本发明属于集成电路技术领域，涉及一种应用于线性稳压器的自适应零点追踪补偿电路，包括：基准模块BG、主运放EA、压控电流源VCCS、驱动管MN1、线性区管MN2、功率管MP1、五个电阻以及三个电容；各个器件依次连接；本发明采用的自适应零点...

本发明涉及集成电路混合集成电路封装技术领域，尤其涉及一种高可靠高密度混合集成封装结构，所述封装结构由陶瓷基体、芯片、无源器件、金属环框和盖板，陶瓷基体、金属环框和盖板组成气密性腔体；所述陶瓷基体为立方体结构，除底部外的正面或侧面用于安装...

本发明公开了一种多电压轨工作时序控制装置及方法，所述装置包括:第一正电压单元，用于将接入的输入电压转换成第一正电压；负电压单元，用于将第一正电压转换成第三供电电压和第四供电电压，第三供电电压和第四供电电压均为负电压；逻辑控制单元，用于检...

本发明公开了一种大升压比高功率密度升压电路，包括m级功率模块，所述功率模块包括融合的Boost拓扑电路和全桥整流变压器电路，每一所述功率模块通过驱动信号控制工作在Boost电路模式或全桥整流变压器电路模式；m级所述功率模块的输入端并联连...

本发明涉及半导体集成电路设计技术领域，特别涉及一种低功耗压摆率提升电路，该电路由两个场效应管J1、J2，六个晶体管Q1～Q6，两个电流源I1、I2，两个电阻R1、R2组成，各个器件对应连接，形成压摆率提升电路；所述压摆率提升电路应用于运...

本发明涉及集成电路领域，特别涉及一种兼具死区时间控制与抗电压变化率干扰的驱动控制电路，包括逻辑电路、高侧驱动电路和低侧驱动电路，其中，逻辑电路用于对输入的高低侧PWM控制信号及电路内反馈的高低侧逻辑信号进行处理，实现高低侧信号之间的互锁...

本技术公开了一种电路切边透锡结构及电路模块，包括底座、设置有支撑孔组的电路单元以及设置在所述底座上并支撑电路单元悬于所述底座上方的电路支撑结构，所述电路支撑结构包括与所述支撑孔组配合支撑电路单元的支撑单元，所述支撑单元的第一端与所述底座...