本发明涉及功率MOSFET，特别涉及一种基于电荷等离子体的双埋藏栅功率MOSFET结构，从上到下依次包括p型body区、n‑型漂移区，在n‑型漂移区左右两端分别设置有上、下以及内侧表面被氧化层包裹的多晶硅层，p型body区左右两端形成n...

本发明公开了一种采用X射线辐照产生氧空位的忆阻器制作方法，包括：取一阻变层；在阻变层的顶面和底面分别沉积形成顶面绝缘层和底面绝缘层；在顶面绝缘层刻蚀形成顶面方孔阵列，在底面绝缘层刻蚀形成底面方孔阵列在顶面方孔中分别形成顶电极，在底面方孔...

本发明公开了一种识别微电子组装电路字符的方法及装置，所述方法包括以下步骤：对微电子组装电路管壳进行数据采集并对采集到的数据进行处理，得到样本数据；构建包括文本检测网络和文本识别网络的识别模型；利用所述样本数据训练所述识别模型；将训练后的...

本发明公开了一种PCB板表面缺陷检测与定位的方法及装置，所述方法包括以下步骤：获取PCB板的参考图像和样本图像；对样本图像的明暗分布进行处理，得到光照均匀的样本图像；对样本图像与参考图像之间的像素差进行校正，使参考图像与样本图像达到像素...

本发明属于模拟集成电路领域，具体涉及一种宽共模输入范围的低噪声运算放大器；该放大器包括：依次连接发输入偏置电流调节单元、差分输入级单元、中间增益级单元和缓冲输出级单元；输入偏置电流调节单元用于输入级电流采样，调节输入偏置电流大小及其温漂...

本申请提供一种双复位路径的鉴频鉴相器，包括：触发电路，其对接收到的参考时钟和反馈时钟进行鉴频鉴相，输出具有相位差信息的输出信号，并根据两路第一复位信号和两路第二复位信号控制所述输出信号的电平；第一复位电路，其在所述参考时钟和所述反馈时钟...

本发明公开了一种基于RC阻尼器的无源EM I滤波器，包括逐级依次设置的串模噪声抑制支路、前级共模噪声抑制支路、共轭线圈、后级共模噪声抑制支路和差模噪声抑制支路，所述串模噪声抑制支路用于对高频差共模噪声进行抑制；所述前级共模噪声抑制支路用...

本发明涉及集成电路设计领域，特别涉及一种具有双向电流驱动的高负载调整性能基准源电路，包括偏置电路、误差运算放大电路、输出级、内部基准核、反馈电阻串；偏置电路与误差运算放大器相连、内部基准核与误差运算放大器相连、输出级与误差运算放大器相连...

本申请提供一种视频对数放大器带宽补偿电路以及视频对数放大电路，该带宽补偿电路包括：三路依次串联的放大补偿子电路，其使得输入信号经过每一路所述放大补偿子电路进行带宽补偿，得到对应的电压信号；三个对数单元，其与所述放大补偿子电路一一对应连接...

本发明属于射频集成电路领域，具体涉及一种低压电流模锁存器、D触发器和分频器；所述低压电流模锁存器包括采样电路，对输入信号进行采样，产生采样信号；保持电路，对采样信号进行保持，产生输出信号；并联型控制管，在时钟信号控制下，采用非逻辑切换与...

本发明公开了一种温度传感器修调与测温方法及装置，所述方法包括以下步骤：将测温范围划分为若干等份，每一等份为一个校准温度范围，分别取每一校准温度范围的中心点温度进行修调校准，得到对应的修调码值并写入修调码值存储阵列中；测温时检测待测温度所...

本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种基于时钟树综合的数据路径组做平方法，包括：确定目标数据路径的条数N，创建成一个数据路径组；确定N条数据路径在数据发射端的N个寄存器，以及每个寄存器的输出Q引脚；在每个数据发射端寄存器的输出Q引脚上...

本发明属于集成电路故障分析领域，具体涉及一种大规模集成电路多手段联合软缺陷故障定位方法，包括：采用二分法将多输入向量范围进行缩小，快速明确与故障现象相关联的部分逻辑向量；将大规模集成电路内部晶体管按照功能划分为多个功能模块，在与故障现象...

本申请提供一种多路组件电源及其故障诊断方法，该电路包括预处理模块和隔离电压转换模块，对多路组件电源中多个位置的电压、电流及温度进行采样，得到组件电源信息，以实时监控电源；在工作温度下，根据隔离电压转换模块的输入输出节点的电压和电流生成电...

本发明涉及集成电路元器件性能检测技术领域，公开了一种集成电路高分辨率微观漏点定位设备及其定位方法，包括形成有样品放置腔的放料单元、设于放料单元上的温控单元、设于放料单元上的照明单元及放大检测单元，样品放置腔内注有氟油；放大检测单元包括可...

本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种混合集成功率电路封装，该混合集成功率电路封装包括：电气焊盘和至少一个目标功率器件，电气焊盘包括：输入极电气板、输出极电气板，以及控制极电气板，目标功率器件与控制极电气板一一对应；各目标功率器件固定...

本发明公开了一种具有高阶曲率补偿功能的基准电压源，包括带隙核电路、共模反馈电路和高阶曲率校正电路。所述带隙核电路用于产生基准电压；所述共模反馈电路用于根据基准电压产生共模电压，并将共模电压通过负反馈返回带隙核电路，以增加带隙核电路的稳定...

本发明属于半导体集成电路设计领域，具体涉及一种单端供电非对称4路输出功率合成电路，其采用单电源供电，包括：功放单元模块，用于放大功率信号；第一合路模块，所述第一合路模块连接功放单元模块，用于将功放单元模块的输出合并为第一级合成输出X1和...

本发明属于半导体集成电路设计领域，特别涉及一种可控制的驱动放大器，包括输入匹配网络、开关网络、第一放大管、级间匹配网络、输出匹配网络，其特征在于，其中输入信号通过输入匹配网络处理后在经过开关网络处理，开关网络的输出端与第一放大管的栅极连...

本申请提供一种锗虚衬底外延制造方法，该方法包括：提供单晶硅衬底；在所述衬底上依次低温外延和高温外延生长锗薄膜，得到第一样品，其中所述第一样品包括依次堆叠的低温外延锗层和高温外延锗层；对所述第一样品进行高温原位退火，以消除所述低温外延锗层...