本发明公开了一种提升DC‑DC变换器稳定性的装置及方法，所述装置包括控制单元、分压单元及反馈单元；分压单元的基准信号输入端与控制单元的基准信号输出端电连接以对控制单元输出的基准信号进行分压，得到分压信号；分压单元的分压信号输出端与反馈单...

本发明公开了一种启动供电电路，包括线性稳压单元、辅助供电单元、启动控制单元、PWM控制器及开关稳压单元；所述线性稳压单元通过对输入电压进行监测和线性稳压运算，以为后端提供供电电压，并与启动控制单元共同作用得到输出控制信号至PWM控制器，...

本发明属于集成电路领域，特别涉及一种用于线性稳压器的降噪滤波电路及其降噪滤波方法；所述降噪滤波电路包括：第一开关管，第一MOS管、第一电容管、运放器、比较器、第二电容管、电容充电电路以及数字电路；主要通过调整MOS管偏置电压及宽长比，将...

本发明公开了一种提高采样保持电路开关线性度和带宽的装置，包括采样保持电路和输出缓冲器，输出缓冲器包括第一电压信号输出结构和第二电压信号输出结构，第一电压信号输出结构包括：第一开关控制单元，用于在采样保持电路的工作模式为跟踪模式时断开第一...

本发明公开了一种针对未封装芯片辐照实验的测试夹具。一种针对未封装芯片辐照实验的测试夹具包括用于放置芯片的承载板、用于限制芯片位置的限位件、用于复位承载板的第一复位件、用于与芯片电连接的探针、用于将芯片压紧在承载板上的压紧机构以及用于安装...

本发明公开了一种未封装芯片便携式快速电学测试夹具。未封装芯片便携式快速电学测试夹具包括用于放置芯片的承载板、用于限制芯片位置的限位件、用于复位承载板的第一复位件、用于与芯片电连接的探针、用于将芯片压紧在承载板上的压紧机构以及用于安装承载...

本技术公开了一种金属六面体电路互连焊接结构及电路模块，包括底座、设置有第一互连孔组和/或第二互连孔组的电路单元以及连接所述电路单元与底座的电气互连结构，所述电气互连结构包括与所述第一互连孔组电气接触的第一互连单元和/或与所述第二互连孔组...

本发明公开了一种驱动增强型LDO瞬态响应增强装置及方法，所述装置包括：取样反馈模块，用于实时监测调整模块的输出电压并对其进行分压采样，获取反馈电压，输出反馈信号；误差放大模块，用于接收所述反馈信号并对所述反馈信号和基准信号进行差分放大，...

本发明属于模拟集成电路领域，涉及一种高精度和宽输出电压范围的电流基准电路，包括：箝位电路、非对称运放A、隔离管MP1以及取样电阻R；箝位电路的一端与电源连接、另一端与非对称运放A的同相端连接，非对称运放A的输出端与隔离管MP1的栅极连接...

本申请提供一种隔离型直流恒流源电路，包括：隔离模块，其将外部输入与内部电路隔离，并基于脉冲控制信号将外部输入的第一电源电压转换为第二电源电压；整流模块，其将所述第二电源电压转换为第三电源电压；滤波模块，其对所述第三电源电压进行滤波，得到...

本发明属于电源技术领域，特别涉及一种基于二极管阵列的太阳能电池模拟器电路，包括电源、太阳能电池负载、第一比例电路、第一参考电压、二极管阵列、第二比例电路、第二参考电压以及采样电阻，其中：电源的输出与太阳能电池负载连接，第一比例电路采集电...

本申请提供一种直流EMI滤波器能量循环电老炼电路及方法，所述电路包括：直流电源，其用于提供直流电；负载，其用于提供可调节的负载电阻；多个EMI滤波器，各所述EMI滤波器依次级联在所述直流电源和所述负载之间，形成待老炼结构；恒流源，其输入...

本发明涉及一种用于线性稳压器的零点补偿电路及其线性稳压器，包括电阻R、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、电容C2、运算放大器A0、NMOS管MN1和MN2；运算放大器A0的反相输入端并接在线性稳压器的输出端；运算放大器A0的同相输...

本发明涉及半导体集成电路设计，特别涉及一种基于GaAs开关晶体管的正压低相移数控衰减器；本发明通过引入自钳位结构，可以将电路中GaAs pHEMT开关晶体管的源极、漏极上拉至高电平，相较于传统的数控衰减器结构更简单，且减少了信号泄露通道...

本申请提供一种准确测量电源负载动态响应的方法及系统，该方法包括：获取电源负载动态响应测量的波形原始数据；对所述波形原始数据进行滤波，得到第一波形数据；计算所述第一波形数据的高值和低值，其中，所述高值和低值是基于所述第一波形数据中落入等间...

本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种低静态电流环路自适应调节线性稳压器，该器件包括功率检测比较器、自适应电流源、环路调节模块、PMOS管Mp、NMOS管Mc、栅极泄放模块、电容Cm、误差运放、带隙基准以及3个电阻R1、R2、Rm，各...

本发明涉及半导体集成电路设计领域，特别涉及一种高1dB压缩点的宽带射频放大器，包括输入匹配级电路、负反馈电路、有源偏置电路、放大电路、输出匹配级电路。本发明通过引入经电容接地的共基极晶体管，实现对放大器线性度的提升；通过构建有源偏置结构...

本发明涉及信号处理与图像处理领域，特别涉及一种应用于图像传输的高可靠Cameralink接口，包括总线接口模块，寄存器接口模块，握手控制模块，图像数据控制模块，Cameralink接口模块；其中，总线接口模块与寄存器接口模块相连，寄存器...

本发明公开了一种屏蔽栅沟槽MOSFET的元胞结构及其制作方法，屏蔽栅沟槽MOSFET的元胞结构包括衬底、漂移区和层间介质层，所述漂移区上设置有深沟槽，所述深沟槽中设置有屏蔽栅、中间氧化物层和控制栅；所述漂移区的上部通过注入形成有体区和源...

本发明属于BCD工艺、分立器件领域，涉及一种BCD工艺器件及制备方法，包括：N+衬底、外延层N<subgt;EPI‑1</subgt;以及外延层N<subgt;EPI‑2</subgt;；N<subgt;E...