本发明公开了一种高压超结VDMOS器件终端结构及其制作方法，包括：在重掺杂导电衬底上生长外延层；在外延层顶部形成过渡氧化层；在外延层顶部区域注入形成第一掺杂区域、第二掺杂区域和第三掺杂区域；在外延层上刻蚀形成多组终端沟槽；在终端沟槽的侧...

本发明涉及一种四分之一速率架构SerDes的时钟通路及串化电路，包括：PLL相位锁定环用于产生由两个相位相反的信号组成的差分时钟信号；四相位时钟信号生成模块用于根据差分时钟信号产生4个相位依次相差90°的四相位时钟信号；重定时模块用于根...

本发明属于集成电路领域，特别涉及一种动态范围可扩展的大动态范围对数放大器；包括级联的N级限幅放大单元、M级电阻衰减器、N+M+1级限幅检波器以及加法器；每级限幅放大单元的输出端连接有一级检波器的输入端，每级电阻衰减器的输出端连接有一级限...

本发明提供一种用于升压/反转DC/DC转换器的复合误差放大器电路，包括：三极管Q1～Q11、电阻R1～R11及偏置电流源IB1组成；所述三极管Q5～Q9的基极连接在一起形成电流镜结构；电流源IB1的正极、三极管Q5的集电极和三极管Q5的...

本发明涉及栅极驱动器设计领域，具体涉及一种欠压保护电路及栅极驱动电路；欠压保护电路包括反相器、电阻、电容、二极管和场效应管，欠压保护电路设置在栅极驱动电路输出级，在电源电压不正常时，欠压保护电路使得栅极驱动电路输出置低；在栅极驱动电路输...

本发明公开了一种Si Ge异质结工艺集成自对准双极晶体管的方法及器件，方法包括：在硅衬底上形成第一集电极区、第二集电极区和场氧隔离区；在第一集电极区注入内基区；在第二集电极区中形成Si Ge异质结内基区；形成第一外基区和第二外基区；在第...

本发明属于电源管理技术领域，涉及一种电源电压选择电路及电子设备，包括：两个电阻R1～R2、四个NMOS管MN1～MN4、四个PMOS管MP1～MP4以及三个反相器INV1～INV3；各个元器件按照电路图依次连接；本发明通过MN3和MN4...

本发明涉及模拟集成电路中的驱动芯片，具体涉及一种抗高压瞬时噪声干扰的高速高边栅极驱动电路，包括双脉冲产生电路，用于接收输入信号HI，生成低压脉冲信号SET和低压脉冲信号RESET；高压电平移位电路，用于将低压窄脉冲信号SET、低压窄脉冲...

本发明公开了一种双多晶自对准双极工艺集成锗硅HBT的制作方法及器件，方法包括：在硅衬底上形成第一集电极区、第二集电极区和场氧隔离区；在第一集电极区注入内基区；在集电极区形成选择性注入区；在第二集电极区中形成Si Ge异质结内基区；形成第...

本发明公开了一种高速低功耗动态比较器，包括第一级预放大电路、第二级预放大电路和第三级锁存电路，第一级预放大电路用于对第一输入信号进行前置放大，输出第一前置放大信号；以及对第二输入信号进行前置放大，输出第二前置放大信号；第二级预放大电路用...

本申请公开了一种用于SRAM读操作时序控制电路，包括：读使能捕捉电路、复制位线反馈电路、灵敏放大器时序电路、字线使能输出电路；读使能捕捉电路的输入端接一读使能信号，第一输出端与字线使能输出电路的输入端连接，第二输出端与复制位线反馈电路的...

本发明属于电源管理芯片领域，涉及一种双路偏置电流产生电路，包括：QN2基极与QN1的基极、R1一端、R2一端、R3一端相连；R1另一端连接MN1和MN2的栅极、MP3的漏极；R2另一端连接QN2的集电极、QN3的基极；R3另一端、QN2...

本发明属于集成电路领域，特别涉及一种应用于运算放大器中的转换速率增益级结构及其应用，转换速率增益级结构由一个下降沿转换率增益电路或/和一个上升沿转换率增益电路构成，下降沿转换率增益电路由P管输入下降沿转换率增益电路或/和N管输入下降沿转...

本发明属于集成电路设计技术领域，具体涉及一种RS485接收器输入阈值调整电路；包括：电阻网络模块连接阈值调节模块和放大比较模块，电阻网络模块为放大比较模块中的运算放大器提供共模电压，同时将接收器输入共模电压范围调节至0～VDD；阈值调节...

本发明属于半导体集成电路设计领域，具体涉及一种宽工作温度范围的可编程增益放大器，包括第一变压器，用于将单端射频输入信号转换为射频差分信号；幅度放大电路，用于为输入的射频差分信号提供功率增益的放大；第二变压器，用于将放大后的射频差分信号转...

本发明涉及电路印刷技术领域，公开了一种用于电路印刷的印刷刀具包括用于与外部印刷机连接的刮刀座以及用于印刷的刮刀部，所述刮刀座和刮刀部相互平行，且所述刮刀座与刮刀部之间设置有沿一垂直于刮刀座与刮刀部的滑动方向布置的弹性调整部，所述弹性调整...

本技术公开了一种振动试验连接座，包括座体以及设置于所述座体上以供传感器安装于其上的第一螺纹安装孔，所述座体内设置有一装配腔，所述第一螺纹安装孔设置于所述座体的一侧壁上且其里端与所述装配腔连通、外端向外贯通所述座体的一侧壁；所述装配腔内设...

本发明涉及半导体集成电路设计领域，具体涉及一种大输出电流互补推挽电路，包括核心电路，具有接收节点和输出节点，用于通过接收节点接收前级电路提供的输入信号，通过输出节点提供输出电压VOUT；正向驱动电路，用于向核心电路动态增加正向驱动电流；...

本发明公开了一种低电流失配率电荷泵及锁相环，包括充放电模块、自偏置电流源、电流镜模块和运放启动模块；充放电模块包括根据充电信号对输出节点进行充电的充电单元以及根据放电信号对输出节点进行放电的放电单元，充放电模块的输出节点用于根据充放电情...

本发明公开了一种深亚微米级器件总剂量试验灵敏区剂量修正的方法，包括：仿真建模得到深亚微米级器件模型并仿真辐照试验环境统计器件模型中各板层的吸收剂量；添加平衡层的仿真模型并确定器件模型的敏感层达到次级电子平衡时平衡层的厚度；仿真出平衡模体...