本发明属于集成电路设计技术领域，特别涉及一种在像元内实现背景减除的焦平面读出电路，包括光电探测器、电流‑频率转换器、计算器、移位寄存器、分频器以及数据总线，光电探测器将基于光电响应产生的电流通过电流‑频率转换器转换成一个与电流强弱相关的...

本发明公开了一种高精度数字抽取滤波器，包括依次串联连接的四级滤波器结构，第一级滤波器结构为多阶级联的固定抽取倍率积分梳状滤波器，第二级滤波器结构为多阶级联的可变抽取倍率积分梳状滤波器，第三级滤波器结构为补偿滤波器，第四级滤波器结构为半带...

本发明公开了一种单光子雪崩光电二极管的混合式快速淬灭电路及方法，包括单光子雪崩光电二极管SPAD、与单光子雪崩光电二极管SPAD连接形成被动淬灭回路的被动淬灭单元、与单光子雪崩光电二极管SPAD连接形成主动淬灭回路的主动淬灭单元以及延迟...

本申请提供一种动态移位寄存器及其控制方法，该移位寄存器包括存储单元、复位单元及控制单元，通过复位单元对存储单元进行复位操作，在完成复位操作后，存储单元将输入的差分信号分别存储至存储单元的两个输出端，并通过两个反相器分别将两个输出端的电压...

本发明公开了一种钙钛矿单晶薄片的制备方法，包括：制备钙钛矿过饱和前驱体溶液并进行过滤；使钙钛矿过饱和前驱体溶液升温析出钙钛矿单晶籽晶；选取钙钛矿单晶籽晶用新配置的钙钛矿过饱和前驱体溶液进行培养，并通过控制钙钛矿过饱和前驱体溶液的液面高度...

本发明公开了一种具有高采样率的栅压自举开关电路，包括第一MOS管、第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路、第四开关电路、第五开关电路、第六开关电路、第一自举电容和负载电容；所述第六开关电路包括第四MOS管和CMOS传输门，所述第四MO...

本发明涉及一种自适应拓宽共模范围用于电流检测的高压斩波型运算放大器，包括：线性稳压器、共模跟踪调节器、低频路径、高频路径、数字控制电路和嵌套密勒频率补偿电路；低频路径决定该高压斩波型运算放大器的直流精度和高增益；高频路径决定该高压斩波型...

本发明属于集成电路领域，具体涉及一种适用于SRAM读数据控制的内联锁反馈电路，包括：一个反相器和一个三输入与非门，其中三输入与非门的输入分别为列选择电路使能信号PRM经过反相器的输出和灵敏放大器的两个放大节点SL和SR；三输入与非门的输...

本发明提供一种应用双模式自适应关断定时器的DCDC转换器，包括：PWM比较器、导通时间定时器、电流检测模块、关断定时器逻辑控制电路、驱动控制电路、双模式自适应关断定时器、电感L<subgt;OUT</subgt;、NMOS管...

本发明涉及半导体射频电路设计领域，特别涉及一种自偏置的Doherty功率放大器，包括输入匹配网络、漏极偏置网络、相位补偿网络、C类栅极偏置网络、主路调制网络、辅助路调制网络、输出级主路功率放大器以及输出级辅助路功率放大器，还包括级间匹配...

一种硅谐振型传感器调理电路，包括：电流‑电压转换电路、峰值检测电路、单位增益电路、比例积分微分电路、相位调节电路、全差分信号产生电路、增益可变放大器电路、数字信号生成电路；电流‑电压转换电路用于对输入的电流信号进行放大；峰值检测电路对电...

本发明公开了一种X射线检测夹具，包括底板和盖板，所述底板与所述盖板均为透明材质，所述底板朝向所述盖板的一侧具有若干第一腔体，所述盖板朝向所述底板的一侧具有若干第二腔体，若干所述第二腔体与若干所述第一腔体一一对应地设置，每一所述第一腔体均...

本发明公开了一种Si/SiGe纳米线阵列的制造方法，包括：在Si衬底上依次外延N型Si次集电极，选区外延N型Si集电极；干法刻蚀N‑Si集电极纳米阵列；淀积P+SiGe层形成Si/SiGe基区纳米阵列；选择性外延多晶N+Si发射极薄膜；...

本发明属于集成电路领域，特别涉及一种包络检测电路，包括电压放大单元和包括检测单元，利用电压放大单元对特定频率范围内的包络信号进行放大、对其他频率的信号进行抑制；利用包络检测单元将目标信号的包络信号还原为高电平信号、将直流电平信号还原为低...

本发明属于半导体集成电路设计领域，具体涉及一种低功耗大电流驱动A类输出电路，包括核心电路，具有接收节点和输出节点，用于通过接收节点接收前级电路提供的输入信号，通过输出节点提供输出电压VOUT；输出采样电路，用于采样核心电路的输出电流并反...

本发明属于模拟集成电路领域，具体涉及一种用于汽车芯片的预稳压电路，包括：5个NMOS管M1～M5、2个PMOS管P1～P2、9个电阻R1～R9、3个比较器A1～A2、1个非门以及三个辅助控制电路Logic、VINT_X_TEST、COM...

本技术公开了一种夹持器，包括第一夹持部、与所述第一夹持部转接的第二夹持部以及设置于所述第一夹持部与所述第二夹持部之间的弹性组件，所述第一夹持部及第二夹持部在夹持被夹持件时与所述被夹持件面接触。本技术通过夹持面与被夹持面的面接触增大了接触...

本发明属于半导体集成电路设计领域，具体涉及一种高线性度毫米波有源双平衡上变频混频器，包括主体电路，以及与主体电路相连接的三个巴伦单元；三个巴伦单元的结构相同，其中巴伦单元1连接有中频输入端，巴伦单元2连接有本振输入端，巴伦单元3连接有射...

本发明属于电源管理领域，涉及一种带推挽放大级的瞬态增强无输出电容LDO电路。包括带隙基准单元将参考电压输出至反相输入端；反馈电阻网络检测输出电压变化情况将反馈电压输出至同相输入端；自适应偏置单元跟随功率晶体管的栅极电压变化，将自适应偏置...

本发明涉及一种低抖动双路径的锁相环电路，包括：鉴频鉴相器、电平移位模块、第一电荷泵、第二电荷泵、低通滤波器、压控振荡器模块和分频器；所述低通滤波器包括：比例支路和积分支路；在第一电荷泵输出第一充电电流时，所述比例支路升高控制电压；在第一...