本申请提供一种锗硅异质结双极型晶体管及其制备方法，该制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上依次生长集电极层和基极层，得到第一样品；在所述第一样品远离所述衬底的表面制作一层碳量子点层，使得所述碳量子层与所述基极层形成原子级接触；在所述碳量子...

本发明提供一种三维集成电路信号通道缺陷检测方法、装置、设备及介质，通过获取待检测信号通道的待检测散射参数，待检测信号通道包括硅通孔和再布线层，将待检测散射参数输入至训练后的缺陷预测模型中，得到待检测信号通道的缺陷位置和缺陷类型，训练后的...

本申请提供一种限幅放大器及其带宽提升方法、对数放大器，限幅放大器包括差分放大模块、跟随输出模块及正反馈模块，通过差分放大模块对差分输入信号进行差分放大处理，得到过渡差分信号；将过渡差分信号输入跟随输出模块，对过渡差分信号进行跟随输出处理...

本发明公开了一种扁平封装器件的加速离心试验通用夹具，包括用于安装于离心机上的底板、设置在所述底板上的支撑座、铰接在所述支撑座的第一侧的盖板、滑动设置在所述支撑座上的调节机构以及穿设在所述盖板上的压紧机构，所述支撑座上与第一侧相对的第二侧...

本发明提供一种键合丝振动安全评估方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括获取高密度集成电路芯片的芯片特征数据和振动环境频率，芯片特征数据包括材料参数数据、键合丝结构数据和基板结构数据，根据键合丝结构数据和基板结构数据进行有限元建模，得...

本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管深槽隔离结构的制造方法，包括：在衬底上依次形成埋层、N型外延层和掩膜层；通过光刻和刻蚀形成深槽结构；依次对深槽结构进行第一步线性氧化、第一次退火处理、第二步线性氧化、第二次退火处理；在深槽结构中填充多...

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，通过在半导体器件的势阱区下增加一层具有极高少数载流子迁移率的少数载流子输运层，且所述少数载流子输运层通过过体电极通孔与体电极电连接，并在工作状态时接地，极大增强了半导体器件由碰撞电离产生的电子‑空...

本申请涉及锂离子电池检测技术领域，提供一种锂离子电池EIS数据浓差极化修正方法、装置、设备及介质，方法包括：获取目标锂离子电池的动态工作电流；根据动态工作电流，构建目标锂离子电池的电极在有限扩散过程中的反应物扩散边界条件；根据反应物扩散...

本申请涉及半导体器件技术领域，提供一种低基区连接电阻的高速锗硅HBT结构及其制造方法，结构包括：衬底；隔离区域，通过刻蚀并回填衬底形成；第一介电层，设置于衬底上靠近隔离区域的一侧；第二介电层，设置于第一介电层上背离衬底的一侧；外基区，设...

本发明公开了一种对数放大器的可调限幅输出结构，包括：多个级联的限幅放大器；可调输出级，串联于最后一级限幅放大器的输出端；所述可调输出级包括：差分放大器，包括电压输出端和电流输出端，输出第一电压和一电流；所述差分放大器的输入端与最后一级限...

本申请提供锂离子电池检测芯片及检测装置，检测芯片包括：激励信号产生模块在目标扫频区间内进行扫频处理，得到每个频率对应的电流激励信号，电流激励信号用于激励锂离子电池，以产生响应电压、响应电流及直流电压，通过EIS数据检测模块对每个频率的响...

本发明提供一种三维电路热分析方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括获取待分析电路的堆叠层数和芯片数据，芯片数据至少包括芯片面积、芯片封装热阻值、芯片热沉热阻值、芯片层厚度和热导率，芯片层厚度包括硅衬底厚度、粘合层厚度和绝缘层厚度，热...

本发明属于MOSFET器件技术，特别涉及一种单埋藏栅功率MOSFET结构及其制备方法，结构包括n+衬底、n‑漂移区、多晶硅、氧化层、P‑body区、P+区、n+区，n‑漂移区设置在n+衬底上，在n‑漂移区顶部的一角切割出一个矩形区域用于...

本发明属于集成电路领域，具体涉及一种高速GaN半桥栅极驱动器，所述高速GaN半桥栅极驱动器由输入级1、输入级2、自举二极管D1、电平转化电路、缓冲级1、缓冲级2、功率管PM1、NM1、PM2、NM2组成；本发明通过电平转化电路能够实现驱...

本发明涉及集成电路设计领域，特别涉及一种带高阶温度补偿的低温漂隐埋齐纳基准电路,包括隐埋齐纳基准核、偏置电路、启动电路、误差放大器、反馈电阻网络、功率管，并在误差放大器中加入了温度补偿结构；本发明通过在电路里加入温度补偿结构，来获得更优...

本申请提供一种晶闸管触发电路，包括：升压模块基于第一控制信号及第二控制信号对第一电源电压进行升压处理，得到第二电源电压并对外输出；通过脉冲产生模块基于第三控制信号及第四控制信号交替对第二电源电压进行正接和反接，得到脉冲信号；通过脉冲整形...

本发明公开了一种应用于高精度数模转换器电流源阵列的校准电路，包括：校准DAC模块，电流比较器模块，数字控制电路模块，存储电路模块；数字控制电路模块控制选择待校准电流源和参考电流源输入到电流比较器作比较；数字控制电路模块控制电流比较器的使...

本申请涉及数字集成电路设计技术领域，提供了一种应用于Sigma‑Delta转换器的数字抖动信号生成电路及方法，电路包括：数字滤波模块，用于接收目标Sigma‑Delta转换器的调制模块的输出比特流并输出数字滤波信号；判断模块，用于将数字...

本申请涉及单光子探测器仿真技术领域，提供一种硅基单光子探测器暗计数率仿真方法、装置、设备及介质，方法包括：获取目标硅基单光子探测器在不同温度下的多个击穿电压；根据各击穿电压，得到目标硅基单光子探测器的过偏压范围，以及在耗尽区内过偏压范围...

本技术涉及芯片检测装置技术领域，公开了一种芯片检测装置，包括底座、夹具单元、检测单元和设在底座上的位置调节单元，夹具单元包括支承板以及设置在底座上的调节部，支承板的顶面上开设有限位槽；检测单元的检测部分设置在位置调节单元上并位于支承板的...