本发明属于定位导航技术领域，特别涉及一种基于惯性导航和视觉导航的无人机飞行状态预测方法，包括在无人机上安装惯性传感器和视觉传感器，通过惯性传感器获取无人机的惯性姿态信息；通过视觉传感器获取相邻两帧图像，并从相邻两帧图像中获取无人机的视觉...

本发明涉及无人机定位技术领域，特别涉及一种基于无人机惯性与视觉组合系统的目标定位方法，包括构建无人机惯导与视觉组合系统，通过该系统获取惯性导航、激光雷达以及红外相机获取定位信息；通过获取的激光雷达和红外相机获取的定位信息进行融合，得到激...

本发明涉及一种用于厚膜帽形电阻设计的尺寸计算方法，包括：预先确定帽形电阻的修调目标阻值、修调功率要求、帽形电阻帽子在长度和宽度方向上的布线间距以及帽形电阻底部的宽度与帽形电阻帽子的长度的尺寸关系系数；确定根据最小区域长度和宽度计算帽形电...

本发明涉及电源领域，特别涉及一种抗辐照多功能电源模块电路，包括降压Buck型PWM调制器、升压二极管、肖特基二极管、电感、滤波电容、第一输入电容、第二输入电容、第一输出电容、第二输出电容、第三输出电容、第四输出电容、第五输出电容以及升压...

本发明公开了一种肖特基二极管芯片及其大电流互联工艺，包括以下步骤：提供互联片、过渡片及待装配芯片，其中，待所述互联片具有至少两互联端，所述待装配芯片具有多个焊盘和/或引脚；将所述过渡片焊接于所述待装配芯片的焊盘和/或引脚上；将所述互联片...

本发明属于半导体功率器件领域，具体涉及一种总剂量辐射加固的SGT MOSFET器件，包括：漏极金属位于N型衬底层下表面；N型漂移区位于N型衬底层上表面；N型漂移区内设有沟槽，沟槽内放置槽型栅电极结构；P型沟道层位于N型漂移区上表面，且位...

本发明属于集成电路设计领域，具体涉及一种宽输入带迟滞功能的阈值产生电路；该电路包括：相互连接的PMOS电流源相关电路和NMOS电流源相关电路，PMOS电流源相关电路包括PMOS管P5～P18以及NMOS管N1～N4；NMOS电流源相关电...

本发明属于集成电路领域，特别涉及一种用于电流反馈型DC‑DC转换器的消隐时间自适应电路，包括误差运放输出电压采样转换电路，以及与其连接的前沿消隐时间控制电路，其中：误差运放输出电压采样转换电路，用于对电流反馈型DC‑DC转换器的输出电压...

本发明属于集成电路领域，特别涉及一种宽输入范围的电压参考电路，该电路结构包括：偏置电路和参考电压电路；偏置电路输入端分别与电阻R0和电源连接，输出端与参考电压电路输入端连接；电阻R0的另一端分别连接二级管的负极和参考电压电路输入端连接；...

本发明涉及一种基于相变材料的高过载能力压接式IGBT功率模块，包括相对设置的第一铜板和第二铜板，所述第一铜板和第二铜板之间设置有IGBT芯片和FRD芯片；IGBT芯片和FRD芯片的下端分别通过一第一烧结银层与第一铜板连接，上端分别通过一...

本发明公开了一种GaN驱动芯片的双判决欠压保护电路，包括：带隙基准模块，用于生成低温漂参考电压；判决电压模块，用于输出第一参考电压和第二参考电压，将所述第一参考电压、所述第二参考电压分别与所述低温漂参考电压进行比较生成比较结果，并根据比...

本发明公开了一种芯片表面清洗方法，包括将待清洗的芯片置于芯片盒中；提供第一粘附膜，并利用第一粘附膜将芯片粘起；提供第二粘附膜并将第二粘附膜绷紧后将第一粘附膜粘附有芯片的一面与第二粘附膜相对，并使第一粘附膜与所述第二粘附膜贴附并粘合为一体...

本发明属于半导体集成电路设计领域，具体涉及一种工作电压可调的宽带高线性度

本发明属于集成电路设计领域，具体涉及一种带迟滞的接口驱动电路的保护电路与方法，所述电路包括：主体电路单元

本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种具有断电隔离保护功能的电路结构，包括：控制信号产生电路

本发明属于集成电路设计领域，特别涉及一种

本申请提供一种产生时钟信号的电路及方法，该电路包括：上升沿控制模块，接第一时钟信号和第二时钟信号并根据第一时钟信号和第二时钟信号产生第三时钟信号；下降沿控制模块，接第四时钟信号和第五时钟信号并根据第四时钟信号和第五时钟信号产生第六时钟信...

本发明属于集成电路领域，具体涉及一种高效率宽输入范围的开关电容电压反转器；包括：振荡器

本发明属于集成电路设计领域，具体涉及一种

本发明属于半导体集成电路设计领域，具体涉及一种基于