一种高效率宽输入范围的开关电容电压反转器制造技术

本发明专利技术属于集成电路领域，具体涉及一种高效率宽输入范围的开关电容电压反转器；包括：振荡器

【技术实现步骤摘要】
一种高效率宽输入范围的开关电容电压反转器


[0001]本专利技术属于集成电路领域，具体涉及一种高效率宽输入范围的开关电容电压反转器
。

技术介绍

[0002]传统的电压反转器采用变压器等方法，但这些方法体积大，成本高且效率有限
。
开关电容电压反转器是一种常见的电压转换设备，它可以将输入电压转换为期望的负输出电压；开关电容电压反转器通过利用开关电容器的切换特性实现电压反转，具有结构简单
、
体积小
、
成本低
、
效率高的优势
。
[0003]本专利技术提供了一种高效率宽输入范围的开关电容电压反转器，具有实现结构简单，输入电压范围宽，输出电流能力强的特点，可广泛应用于各种电源管理系统
。

技术实现思路

[0004]针对现有技术存在的不足，本专利技术提出了一种高效率宽输入范围的开关电容电压反转器，该方法包括：振荡器
、D
触发器
、
电平移位电路
、
驱动电路和电荷泵单元；
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种高效率宽输入范围的开关电容电压反转器，其特征在于，包括：振荡器
、D
触发器
、
电平移位电路
、
驱动电路和电荷泵单元；所述振荡器的输入端连接振荡器频率控制引脚和频率选择引脚，所述振荡器的输出端连接所述
D
触发器的输入端，所述
D
触发器的输出端连接所述电平移位电路的输入端，所述电平移位电路的输出端连接所述驱动电路输入端，所述驱动电路输出端连接电荷泵单元的输入端，所述电荷泵单元的输出端接地
。2.
根据权利要求1所述的一种高效率宽输入范围的开关电容电压反转器，其特征在于，所述振荡器包括
12
个
PMOS
管
、16
个
NMOS
管和4个电阻；
NMOS
管
M1
的漏极和电阻
R4
一端均连接频率选择引脚
FC
，
NMOS
管
M1
源极分别连接
NMOS
管
N1、NMOS
管
M2、NMOS
管
M4、NMOS
管
M5、NMOS
管
M10、
电容
C1
负极
、NMOS
管
M11、NMOS
管
M18、NMOS
管
N2、NMOS
管
N3
和
NMOS
管
N4
的源极；
NMOS
管
M1
的栅极分别连接
NMOS
管
M2、NMOS
管
M4、NMOS
管
M5、NMOS
管
M10、NMOS
管
M11
和
NMOS
管
M18
的栅极；电阻
R4
另一端分别连接
PMOS
管
P1
和
NMOS
管
N1
的栅极，
PMOS
管
P1
的源极分别连接
PMOS
管
M6、PMOS
管
M7、PMOS
管
M15、PMOS
管
M16、PMOS
管
M17、PMOS
管
P2、PMOS
管
P3、PMOS
管
P4
的源极以及电阻
R1
一端，
PMOS
管
P1
的漏极分别连接
NMOS
管
N1
的漏极和
NMOS
管
M3
的栅极；
NMOS
管
M3
的源极连接
NMOS
管
M2
的漏极，
NMOS
管
M3
的漏极连接
NMOS
管
M2
的栅极；电阻
R1
另一端分别连接电阻
R2
一端和
NMOS
管
M13
的栅极，电阻
R2
另一端连接电阻
R3
一端，电阻
R3
另一端分别连接
NMOS
管
M4
的漏极和栅极；
PMOS
管
M6
的漏极分别连接
PMOS
管
M6
的栅极
、NMOS
管
M5
的漏极和
PMOS
管
M7
的栅极；
PMOS
管
M7
的漏极
PMOS
管
M8
的源极；
PMOS
管
M8
的栅极连接
NMOS
管
M9
的栅极，
PMOS
管
M8
的漏极分别连接
NMOS
管
M9
的漏极
、
振荡器频率控制引脚
OSC、
电容
C1
正极和
PMOS
管
M12
的栅极；
NMOS
管
M9
的源极连接
NMOS
管
M10
的漏极；
PMOS
管
M15
的漏极分别连接
PMOS
管
M15
栅极
、PMOS
管
M16
的栅极和
PMOS
管
M12
的源极；
PMOS
管
M16
的漏极分别连接
NMOS
管
M13
的漏极
、NMOS
管
M14
的漏极和
PMOS
管
M17
的栅极；
PMOS
管
M12
的漏极分别连接
NMOS
管
M11
的漏极
、NMOS
管
M13
的源极和
NMOS
管
M14
的源极；
PMOS
管
M17
的漏极分别连接
NMOS
管
M14
的栅极
、NMOS
管
M18
的漏极
、PMOS
管
P2
的栅极和
NMOS
管
N2
的栅极；
PMOS
管
P2
的漏极分别连接
NMOS
管
N2
的漏极
、PMOS
管
P3
的栅极和
NMOS
管
N3
的栅极；
PMOS
管
P3
的漏极分别连接
NMOS
管
N3
的漏极
、PMOS
管
P4
的栅极和
NMOS
管
N4
的栅极；
PMOS
管
P4
的漏极连接
NMOS
管
N4
的漏极
。3.
根据权利要求1所述的一种高效率宽输入范围的开关电容电压反转器，其特征在于，所述
...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志皓，雷旭，苟超，宋敏，赵镱翔，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十四研究所，
类型：发明
国别省市：