一种三倍负压电荷泵及射频开关芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种三倍负压电荷泵及射频开关芯片，其结构设计简单合理，可减少电容占用面积，无需设置额外辅助电路即可满足电压驱动需求，其包括级联的一级负压电荷泵

【技术实现步骤摘要】
一种三倍负压电荷泵及射频开关芯片


[0001]本专利技术涉及射频开关
，具体为一种三倍负压电荷泵及射频开关芯片
。

技术介绍

[0002]目前，用于通信设备的射频器件包括射频收发器
、
放大器
、
开关
、
电源及天线等，为减少器件整体面积，常在
MIPI
接口
(
移动设备处理器接口
)
中使用
1.8V
或
1.2V
的单根电源线
VIO
为射频开关供电，并采用负压电荷泵对
VIO 电压进行抬升及反向转换，以满足射频开关关闭时的电压需求
。
[0003]常用负压电荷泵包括：两倍负压电荷泵
、
三倍负压电荷泵，其中，三倍负压电荷泵由两个两倍负压泵级联获得，但目前常用三倍负压电荷泵存在结构复杂，占用面积大的问题，原因在于，目前常用的级联的两倍负压电荷泵结构中，振荡器输出的反相时钟信号
CLK1、CLK2
需要至少四个电容实现信号反向，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种三倍负压电荷泵，其包括一级负压电荷泵
、
二级负压电荷泵，所述一级负压电荷泵与所述二级负压电荷泵级联，所述一级负压电荷泵包括第一电容
C1、
第二电容
C2、
第一开关单元
、
第二开关单元，其特征在于，所述二级负压电荷泵包括第三电容
C3、
第四电容
C4、
第三开关单元
、
第四开关单元；所述第一开关单元包括
MOS
管
M11、M12、M13、M14
，所述第二开关单元包括
MOS
管
M21、M22、M23、M24
，所述第一电容
C1
的一端连接时钟信号
CLK1
，另一端分别连接
MOS
管
M11
的发射极
、MOS
管
M12
的集电极
、MOS
管
M23
的发射极
、MOS
管
M13
与
M14
的基极
、
第三电容
C3
一端
、MOS
管
M41
的集电极
、MOS
管
M42
的发射极
、MOS
管
M44
的发射极；所述第二电容
C2
的一端连接时钟信号
CLK2
，另一端分别连接
MOS
管
M21
的发射极
、MOS
管
M22
的集电极
、MOS
管
M14
的发射极
、MOS
管
M23
与
M24
的基极
、
第四电容
C4
一端
、MOS
管
M31
的集电极
、MOS
管
M32
的发射极
、MOS
管
M33
的发射极；所述第三电容
C3
的另一端分别连接所述
MOS
管
M31
的发射极
、MOS
管
M32
的集电极
、MOS
管
M43
的发射极
、MOS
管
M34
与
M33
的基极
、
二极管
D1
的阴极，所述第四电容
C4
的另一端分别连接所述
MOS
管
M41
的发射极
、MOS
管
M42
的集电极
、MOS
管
M34
的发射极
、MOS
管
M43
与
M44
的基极
、
二极管
D2
的阴极；所述二极管
D1、D2
的阳极连接后分别连接电容
C5
一端
、
输出端
Vneg
，所述电容
C5
另一端接地
。2.
根据权利要求1所述的三倍负压电荷泵，其特征在于，所述
MOS
管
M11、M21、M14、M23、M31、M41、M34、M43
均为
NMOS
管；所述
MOS
管
M12、M22、M13、M24、M32、M42、M33、M44
均为
PMOS
管
。3.
根据权利要求1或2所述的三倍负压电荷泵，其特征在于，所述时钟信号
CLK1、CLK2
由时钟电路产生，所述时钟电路为非交叠式时钟信号产生电路，包括
MOS
管
M51、M52、M53、M54、
逻辑或非门
F11、F21、
逻辑非门
F12、F13、F14、F21、F22、F23、F24
，所述
MOS
管
M51
与
M52<...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘刚，丁佳佳，江海波，郭天生，赵鹏，
申请(专利权)人：江苏乾合微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：