【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于集成电路设计领域，具体涉及一种宽输入带迟滞功能的阈值产生电路。
技术介绍
1、rs485通信标准是美国电子工业协会(eia)在1983年所提出并制定的，经通讯工业协会(tia)修订后命名为tia/eia-485-a，习惯统称为rs485通信标准协议。rs485标准是由rs232发展而来，它弥补了rs232通信距离短、速率低的缺点。rs485标准的最大传输距离约为1219米，并且由于其在传输距离长、抗噪性能好、使用简单等方面的诸多优势，至今各大ic厂商还在持续推出rs485的产品，rs485接口电路产品持续在数据传输等工业控制应用方面焕发生命力。但是，即使输出共模较小的rs422协议电路，输出共模电压范围也达到-7v～+7v的宽范围，rs485接口可达到-7v～+12v的更宽范围，这种宽的输出共模电压是因为在长线传输过程中，发送端驱动器与接收端的接收器不共地带来的共模电压偏差。在这种情况下，就对rs485驱动器电路设计带来巨大的挑战，因为在高压与低压共模出现时对输出驱动管会造成的严重影响，如pmos、nmos与输出端形成pn节的正向导通，高压与低压共模出现将产生大电流对电路以及负载端造成严重影响。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的不足，本专利技术提出了一种宽输入带迟滞功能的阈值产生电路，该电路包括：pmos电流源相关电路和nmos电流源相关电路，pmos电流源相关电路和nmos电流源相关电路连接；pmos电流源相关电路包括pmos管p5～p18以及nmos管n1～n
2、pmos电流源相关电路和nmos电流源相关电路连接包括pmos管p15的漏极与nmos管n15的漏极连接，nmos管n1的源极连接电阻r1的minus端。
3、优选的，在pmos电流源相关电路中，pmos管p8、p10、p12、p14、p16、p17和p18的源极均连接电源vcc；pmos管p16的漏极连接pmos管p15的源极，pmos管p15的栅极分别连接pmos管p16的栅极和pmos管p15的漏极，pmos管p16的栅极还连接pmos管p17的漏极以及pmos管p7～p14的栅极；pmos管p17的栅极连接输入信号pmos管p14的漏极连接pmos管p13的源极，pmos管p13的漏极连接nmos管n4的漏极、pmos管p18的漏极、pmos管p5的栅极和输出信号vth1；pmos管p4的源极连接nmos管n3的漏极，nmos管n4的栅极连接输入信号nmos管n3的源极接地，nmos管n3的栅极连接pmos管p5的漏极、pmos管p6的漏极和nmos管n1的漏极；pmos管p18的栅极连接输入信号pmos管p8的漏极连接pmos管p7的源极，pmos管p7的漏极连接pmos管p5的源极；pmos管p10的漏极连接pmos管p9的源极，pmos管p9的漏极连接pmos管p6的源极；pmos管p12的漏极连接pmos管p11的源极，pmos管p11的漏极连接nmos管n2的漏极、nmos管n2的栅极和nmos管n1的栅极，nmos管n2的源极接地。
4、优选的，在nmos电流源相关电路中，nmos管n17的漏极连接nmos管n19的漏极以及nmos管n7～n18的栅极；nmos管n17的源极连接nmos管n18的漏极，nmos管n18的源极接地；nmos管n19的源极接地，nmos管n19的栅极连接输入信号en；nmos管n15的源极连接nmos管n16的漏极，nmos管n16的源极接地；pmos管p3的源极连接电源vcc，pmos管p3的漏极连接pmos管p4的源极，pmos管p3的栅极连接pmos管p1的漏极、nmos管n5的漏极和nmos管n6的漏极；pmos管p4的栅极连接输入信号en，pmos管p4的漏极连接nmos管n13的漏极、nmos管n20的漏极、nmos管n5的栅极和输出信号vth2；nmos管n13的源极连接nmos管n14的漏极，nmos管n14的源极接地；nmos管n20的源极接地，nmos管n20的栅极连接输入信号en；电阻r1的plus端连接输入信号vin和电阻r2的minus端，电阻r2的plus端连接pmos管p1的源极，pmos管p1的栅极连接pmos管p2的栅极、pmos管p2的漏极和nmos管n11的漏极；电阻r3的minus端连接电源vcc，电阻r3的plus端连接pmos管p2的源极；nmos管n5的源极连接nmos管n7的漏极，nmos管n7的源极连接nmos管n8的漏极；nmos管n6的栅极连接电源vcc，nmos管n6的源极连接nmos管n9的漏极；nmos管n9的源极连接nmos管n10的漏极；nmos管n11的源极连接nmos管n12的漏极；nmos管n8、nmos管n10和nmos管n12的源极均接地。
5、本专利技术的有益效果为：本专利技术设计的宽输入带迟滞功能的阈值产生电路，从较低的输入电压(例如采集-7v的输出共模电压)到较高的电压(例如采集高达12v的输出共模电压)，产生三个不同的状态，在不同的状态下输出不同的逻辑信号(vth1与vth2)；可根据系统设计需要，设置不同的电路和电流比例来调节三个状态的区间；通过将这三个不同状态下的阈值电压输出到后级(例如逻辑控制)，从而起到在不同状态下对后级电路进行不同的控制；同时从高电压返回到低电压时加入迟滞设计，以避免监测电压噪声的干扰。本专利技术输出的两组阈值电压可以输出到后级，通过阈值结合如逻辑控制等方式，实现系统对后级电路如输出级的动态控制；本专利技术可以被应用在各种需要监测宽输出电压的电路中例如rs422、rs485电路。
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1.一种宽输入带迟滞功能的阈值产生电路，包括：PMOS电流源相关电路和NMOS电流源相关电路，PMOS电流源相关电路和NMOS电流源相关电路连接；其特征在于，PMOS电流源相关电路包括PMOS管P5～P18以及NMOS管N1～N4；NMOS电流源相关电路包括PMOS管P1～P4、NMOS管N5～N20以及电阻R1～R3；
2.根据权利要求1所述的一种宽输入带迟滞功能的阈值产生电路，其特征在于，在PMOS电流源相关电路中，PMOS管P8、P10、P12、P14、P16、P17和P18的源极均连接电源Vcc；PMOS管P16的漏极连接PMOS管P15的源极，PMOS管P15的栅极分别连接PMOS管P16的栅极和PMOS管P15的漏极，PMOS管P16的栅极还连接PMOS管P17的漏极以及PMOS管P7～P14的栅极；PMOS管P17的栅极连接输入信号PMOS管P14的漏极连接PMOS管P13的源极，PMOS管P13的漏极连接NMOS管N4的漏极、PMOS管P18的漏极、PMOS管P5的栅极和输出信号Vth1；PMOS管P4的源极连接NMOS管N3的漏极，NMOS管N4的栅
3.根据权利要求1所述的一种宽输入带迟滞功能的阈值产生电路，其特征在于，在NMOS电流源相关电路中，NMOS管N17的漏极连接NMOS管N19的漏极以及NMOS管N7～N18的栅极；NMOS管N17的源极连接NMOS管N18的漏极，NMOS管N18的源极接地；NMOS管N19的源极接地，NMOS管N19的栅极连接输入信号EN；NMOS管N15的源极连接NMOS管N16的漏极，NMOS管N16的源极接地；PMOS管P3的源极连接电源Vcc，PMOS管P3的漏极连接PMOS管P4的源极，PMOS管P3的栅极连接PMOS管P1的漏极、NMOS管N5的漏极和NMOS管N6的漏极；PMOS管P4的栅极连接输入信号EN，PMOS管P4的漏极连接NMOS管N13的漏极、NMOS管N20的漏极、NMOS管N5的栅极和输出信号Vth2；NMOS管N13的源极连接NMOS管N14的漏极，NMOS管N14的源极接地；NMOS管N20的源极接地，NMOS管N20的栅极连接输入信号EN；电阻R1的PLUS端连接输入信号Vin和电阻R2的MINUS端，电阻R2的PLUS端连接PMOS管P1的源极，PMOS管P1的栅极连接PMOS管P2的栅极、PMOS管P2的漏极和NMOS管N11的漏极；电阻R3的MINUS端连接电源Vcc，电阻R3的PLUS端连接PMOS管P2的源极；NMOS管N5的源极连接NMOS管N7的漏极，NMOS管N7的源极连接NMOS管N8的漏极；NMOS管N6的栅极连接电源Vcc，NMOS管N6的源极连接NMOS管N9的漏极；NMOS管N9的源极连接NMOS管N10的漏极；NMOS管N11的源极连接NMOS管N12的漏极；NMOS管N8、NMOS管N10和NMOS管N12的源极均接地。
...【技术特征摘要】
1.一种宽输入带迟滞功能的阈值产生电路，包括：pmos电流源相关电路和nmos电流源相关电路，pmos电流源相关电路和nmos电流源相关电路连接；其特征在于，pmos电流源相关电路包括pmos管p5～p18以及nmos管n1～n4；nmos电流源相关电路包括pmos管p1～p4、nmos管n5～n20以及电阻r1～r3；
2.根据权利要求1所述的一种宽输入带迟滞功能的阈值产生电路，其特征在于，在pmos电流源相关电路中，pmos管p8、p10、p12、p14、p16、p17和p18的源极均连接电源vcc；pmos管p16的漏极连接pmos管p15的源极，pmos管p15的栅极分别连接pmos管p16的栅极和pmos管p15的漏极，pmos管p16的栅极还连接pmos管p17的漏极以及pmos管p7～p14的栅极；pmos管p17的栅极连接输入信号pmos管p14的漏极连接pmos管p13的源极，pmos管p13的漏极连接nmos管n4的漏极、pmos管p18的漏极、pmos管p5的栅极和输出信号vth1；pmos管p4的源极连接nmos管n3的漏极，nmos管n4的栅极连接输入信号nmos管n3的源极接地，nmos管n3的栅极连接pmos管p5的漏极、pmos管p6的漏极和nmos管n1的漏极；pmos管p18的栅极连接输入信号pmos管p8的漏极连接pmos管p7的源极，pmos管p7的漏极连接pmos管p5的源极；pmos管p10的漏极连接pmos管p9的源极，pmos管p9的漏极连接pmos管p6的源极；pmos管p12的漏极连接pmos管p11的源极，pmos管p11的漏极连接nmos管n2的漏极、nmos管n2的栅极和nmos管n1的栅极，nmos管n2的源极接地。...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖望，侯江，黄晓宗，苏豪，陈浩，陈雪，侯东平，张书雅，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十四研究所，
类型：发明
国别省市：
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