本发明涉及一种在具有深槽图形的硅基衬底上制作硅薄膜的方法，用于微电子机械系统（ＭＥＭＳ）可动部件制造中。该方法步骤包括：先在硅基衬底上制作深槽图形时制作沟槽，连接每个深槽图形并贯穿到硅基衬底片的外边缘，与大气相通，然后与另一硅片进行硅／...

一种ＣＭＯＳ型低压差电压调整器的制造方法，它提高了低压差电压调整器的输入电压可调整范围，并保持了其低功耗和低输出压差的特点。技术方案的要点是在常规ＣＭＯＳ工艺的基础上，集成ＭＯＳ晶体管、Ｎ型沟道ＪＦＥＴ晶体管以及ＮＰＮ型晶体管和ＰＮＰ型...

本发明涉及一种低导通电阻功率ＶＤＭＯＳ晶体管的制造方法。该方法是从降低两个ＶＤＭＯＳ元胞之间正对漏端通道的导通电阻入手，在满足ＶＤＭＯＳ管耐压的情况下，在Ｎ↑［＋］硅片上的第一层Ｎ↑［－］外延层中的ＶＤＭＯＳ晶体管栅（即两个ＶＤＭＯＳ元...

本发明涉及一种增加击穿电压的半导体结构及制造方法。本发明结构非常简单，包括半导体材料、主扩散结、耐压层、耗尽终止区和介质层共５个部分。其中，主扩散结、耐压层、耗尽终止区都处于半导体材料中，主扩散结和耐压层的导电类型与半导体材料相反，耗尽...

本发明涉及一种不同掺杂浓度多分区高击穿电压浅结低温半导体结构及制造方法。本发明包括半导体材料、主扩散结、ｎ个耐压层Ｂ↓［１］～Ｂ↓［ｎ］（ｎ≥２）、耗尽终止区和介质层，其主扩散结、ｎ个耐压层Ｂ↓［１］～Ｂ↓［ｎ］、耗尽终止区都处于半导体...

本发明公开了一种高电源抑制比的Ｅ／Ｄ　　ＮＭＯＳ基准电压源，它含有：一个Ｅ／Ｄ　　ＮＭＯＳ预基准源电路，其输出为基准源电路供电，包括四个耗尽型ＮＭＯＳ管和四个增强型ＮＭＯＳ管；一个基准源电路，包括四个耗尽型ＮＭＯＳ管和四个增强型ＮＭＯＳ...

本发明公开了一种陶瓷双列封装器件高加速离心试验夹具，用于对陶瓷双列封装（ＤＩＰ）器件进行高加速度（≥５０００ｇ）离心试验。该夹具包括有母夹具、装放待试验器件的子夹具和锁紧子夹具及固定器件的锁紧压板，母夹具内设计有与子夹具呈抽屉式配装的通...

本发明涉及微电子机械系统加工领域，特别是一种ＭＥＭＳ传感器悬梁结构的制造方法。其包括以下步骤：１．准备原始硅片；２．在第一原始硅片上采用重复氧化方法，形成悬梁结构下面的氧化层图形；３．制作过渡多晶硅层；４．制作键合片、形成顶层硅；５．湿...

本发明公开了一种压力传感器硅谐振膜的制造方法，用于微电子机械系统（ＭＥＭＳ）压力传感器中的硅悬梁的制作。该方法步骤包括：１．将第一和第二原始硅片进行加工，形成带硅谐振膜的ＳＯＩ硅片；２．在第三原始双面抛光硅片上进行加工，形成有图形的硅衬...

本发明涉及一种谐振型压力传感器芯片的局部真空封装方法。该方法在所要局部真空封装区域围成一个厚度为１０－２０μｍ、环宽为１００－２００μｍ的钛钨／金环，同时进行深槽腐蚀及释放可动部件，利用金属在共晶烧结中的回流来调整表面的不平整性，确保局...

本发明公开了一种带有微腔的图形硅片真空键合方法。本发明方法的主要工艺步骤：（１）将所述带有微腔的图形硅片放入简易予键合装置中的承片架和对位台上，再将普通硅片轻轻放下，其一部分边缘与带有微腔的图形硅片接触，另一部分边缘搭在活动杆上；（２）...

本实用新型涉及一种水吸收型废气处理装置，包括有一级吸收处理室和与一级吸收处理室顶端呈可分离装联的二级吸收处理室，一级吸收处理室内腔中部的喷淋柱上从上到下装设有半圆锥弧形襟板，使该内腔形成气体上升的盘旋通道，襟板下端与一级吸收处理室的柱壳...