在具有深槽图形的硅基衬底上制作硅薄膜的方法技术

本发明专利技术涉及一种在具有深槽图形的硅基衬底上制作硅薄膜的方法，用于微电子机械系统（ＭＥＭＳ）可动部件制造中。该方法步骤包括：先在硅基衬底上制作深槽图形时制作沟槽，连接每个深槽图形并贯穿到硅基衬底片的外边缘，与大气相通，然后与另一硅片进行硅／硅键合，形成键合片，再用减薄、抛光方法减薄另一硅片，获得所需的硅薄膜。该方法巧妙地消除了键合和后面工序高温处理中由于键合片空腔内空气受热膨胀，造成硅膜变形，甚至薄膜断裂、脱落的问题，使制作在带深槽图形的硅基衬底上的硅薄膜晶格结构损伤小、厚度均匀，大大提高了硅薄膜成品率，以满足制作硅基ＭＥＭＳ可动部件所需薄膜的要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。用于在具有图形的硅基衬底上制备符合微电子机械糸统(MEMS)可动部件制造要求的硅薄膜。
技术介绍
目前，半导体集成电路制造技术中，在硅基衬底上制作符合要求的硅薄膜的方法主要有1.离子注入形成硅薄膜技术。它是采用离子注入氧(SIMOX)的原理，把氧离子注入到硅片表面下，通过退火处理形成一层埋层氧化层，从而在绝缘硅基上获得一层硅薄膜。这种方法获得的硅薄膜均匀性好，但厚度仅有0.25微米，绝缘氧化层也仅有0.4微米，并且离子注入造成的损伤和缺陷难以消除。2.硅一硅键合减薄抛光技术。它是将一个硅片氧化，然后与另一硅片键合，再进行高温退火处理，使两硅片通过硅氧键牢固地键合在一起，然后将一硅片减薄、抛光，获得所要求的硅薄膜。这种方法的优点在于硅薄膜晶格完整性好，完全达到体硅水平，薄膜厚度可以根据需要随意控制。缺点是薄膜的均匀性和界面缺陷难以控制，通过改进键合技术和提高减薄、抛光技术，目前已经能够把硅薄膜厚度控制在±0.5微米误差以内，缺陷密度降到了集成电路工艺规范值以内，成为高性能集成电路研制、生产中常用的硅薄膜制造技术。3.智能剥离(Smart-cut)技术。该方法是采用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在具有深槽图形的硅基衬底上制作硅薄膜的方法，其特征在于，该方法步骤包括：（１）在硅基衬底上制作深槽图形时制作沟槽，连接每个深槽图形并贯穿到硅基衬底片的外边缘，与大气相通；（２）将制作有深槽图形和连接每个深槽图形并贯穿到硅 基衬底片外边缘的沟槽的硅基衬底片与另一硅片进行硅／硅键合，形成键合片；（３）用减薄、抛光方法减薄另一硅片，获得所需硅基衬底上的硅薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种在具有深槽图形的硅基衬底上制作硅薄膜的方法，其特征在于，该方法步骤包括(1)在硅基衬底上制作深槽图形时制作沟槽，连接每个深槽图形并贯穿到硅基衬底片的外边缘，与大气相通；(2)将制作有深槽图形和连接每个深槽图形并贯穿到硅基衬底片外边缘的沟槽的硅基衬底片与另一硅片进行硅/硅键合，形成键合片；(3)用减薄、抛光方法减薄另一硅片，获得所需硅基衬底上的硅薄膜。2.根据权利要求1所述的在具有深槽图形的硅基衬底上制作硅薄膜的方法，其特征在于，所述在硅基衬底上制作深槽图形时制作沟槽，连接每个深槽图形并贯穿到硅基衬底片外边缘，与大气相通的方法包括(1)用RCA清洗方法清洗作为硅基衬底的硅片；(2)将硅基衬底片的表面进行氧化，在其上形成二氧化硅氧化层；(3)用常规光刻方法在形成二氧化硅氧化层的硅基衬底片上刻蚀出深槽图形所需的图形和连接每个深槽图形并贯穿到硅基衬底片外边缘的沟槽所需的图形，然后，用有掩模/无掩模方法进行干法深槽刻蚀，对深槽图形所需的图形和沟槽所需的图形进行加工，直至达到两图形所要求的槽深度。3.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐世六，张正元，刘玉奎，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十四研究所，
类型：发明
国别省市：85[中国|重庆]