【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路芯片制造领域，具体涉及一种合金薄膜成分的测试方法。
技术介绍
1、随着集成电路芯片的快速发展，合金在一些方面的特性比单独的材料比较好，例如合金的抗腐蚀性好、导电性高及耐磨性高等优点，越来越多的电子元器件的制做过程中需要使用二元合金的材料。因合金的材料配置不同，其特性会直接受影响，因此在进行集成电路制做过程中，需要精确表征具有负载效应的薄膜成分，可完善双极互补金属氧化物半导体(bicmos)工艺流程上的薄膜制造，减少晶圆生长过程中芯片不达标而导致良率不高的返工问题，节约生产成本。在相关技术中，因晶体管器件制造的需要，一般在外延制造晶体管中百nm2面积的硅锗合金薄膜的时候，会在晶片边缘留存一个400μm2的sims表征窗口，用以对外延硅锗合金薄膜的硅组分进行表征测试，且由于二次离子质谱(secondary ionmass spectroscopy，sims)的剥离参数的设定性质，这个窗口几乎无法再缩小。然而，仅采用sims表征锗组分无法反映晶体管内气相外延薄膜的全部参数，尤其是硅锗合金薄膜的成分。这对了解器件薄膜材料内...
【技术保护点】
1.一种合金薄膜成分的测试方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的合金薄膜成分的测试方法，其特征在于，在所述衬底上形成材料相同且相互独立的合金薄膜第一区块和多个合金薄膜第二区块，包括：
3.如权利要求2所述的合金薄膜成分的测试方法，其特征在于，在所述衬底上形成掩膜窗口；包括：
4.如权利要求3所述的合金薄膜成分的测试方法，其特征在于，对所述掩膜层进行图形化处理，得到所述掩膜窗口，包括：
5.如权利要求4所述的合金薄膜成分的测试方法，其特征在于，对所述保护层进行激光图形绘制之后，还包括：对所述窗口保护层进行烘烤。<...
【技术特征摘要】
1.一种合金薄膜成分的测试方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的合金薄膜成分的测试方法，其特征在于，在所述衬底上形成材料相同且相互独立的合金薄膜第一区块和多个合金薄膜第二区块，包括：
3.如权利要求2所述的合金薄膜成分的测试方法，其特征在于，在所述衬底上形成掩膜窗口；包括：
4.如权利要求3所述的合金薄膜成分的测试方法，其特征在于，对所述掩膜层进行图形化处理，得...
【专利技术属性】
技术研发人员：钱坤，张培建，易孝辉，唐新悦，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十四研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。