【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路设计领域，特别涉及一种带高阶温度补偿的低温漂隐埋齐纳基准电路。
技术介绍
1、基准电压源是模数转换器、数模转换器、线性稳压器和开关稳压器、温度传感器、充电电池保护芯片等电路中必不可少的模块。基准电压在数值上的任何偏差或者噪声都可能直接影响到整个系统的精度和性能。特别是温度变化对基准电压的影响很大，要想获得高精度的基准电压源就需要对电路进行温度补偿。
2、随着技术的发展，对高精度、高稳定性的基准源的需求越来越多。隐埋齐纳基准是一种长期稳定性较好的基准类型。传统的齐纳基准电路一般只用了三级管进行一阶补偿，其输出的基准电压精度低、温度系数大，无法满足高性能电路需求。
技术实现思路
1、为了降低基准电压的温度系数，获得高精度、低温漂的齐纳基准电路，本专利技术提出一种带高阶温度补偿的低温漂隐埋齐纳基准电路，该电路中第一n型pn结场效应晶体管的栅极接地，其源极与第一n型三极管的发射极、第五n型三极管的集电极、第六n型三极管的集电极、第二n型三极管的发射极、第十一n型三极管的集电极、第八p型三极管的发射极、第九p型三极管的发射极、第七n型三极管的集电极、第四n型三极管的发射极以及第六电阻的一端、二极管的正极连接在一起作为电路输出端，其漏极与第一n型三极管的集电极、第一p型三极管的集电极和基极、第二p型三极管的基极、第三p型三极管的基极连接在一起；
2、第一n型三极管的基极与第二n型三极管的基极和集电极、第二p型三极管的集电极连接在一起；
4、第六n型三极管的发射极与第六p型三极管的发射极、第七p型三极管的的发射极连接在一起；
5、第一、第二、第三p型三极管的发射极与第四n型三极管的集电极连接在一起；
6、第十一n型三极管的基极与第六p型三极管的集电极、第九n型三极管的集电极、第十一n型三极管的基极、第二电阻的一端连接在一起；第十一n型三极管的发射极与第十二n型三极管的基极、第十五n型三极管的集电极连接在一起；
7、第八p型三极管的基极与第九p型三极管的基极和集电极、第十六n型三极管的集电极、第十三n型三极管的集电极连接在一起；
8、第七n型三极管的基极与第六电阻的另一端、第七电阻的一端连接在一起，第七电阻的另一端与第十七n型三极管的发射极、第十电阻的一端、第十六n型三极管的发射极、齐纳管的正极、第十五n型三极管的发射极、第十n型三极管的发射极、第八电阻的一端、第九电阻的一端、第十二n型三极管的发射极连接在一起并与接地端连接；
9、第四n型三极管的基极与第三p型三极管的集电极、第三n型三极管的基极和集电极连接在一起；
10、第十四n型三极管的发射极与第十七n型三极管的集电极和基极、第十六n型三极管的基极、第十五n型三极管的基极连接在一起；
11、第十三n型三极管的发射极与第十n型三极管的基极、第十电阻的另一端连接在一起；
12、第六p型三极管的基极与第七p型三极管的基极和集电极、第一电阻的一端、第五p型三极管的集电极连接在一起，第一电阻的另一端与第十n型三极管的集电极、第四p型三极管的基极、第五p型三极管的基极连接在一起；
13、第九n型三极管的基极与第八n型三极管的基极和集电极、第四p型三极管的集电极连接在一起；第九n型三极管的发射极与第九电阻的另一端连接在一起；
14、第十二n型三极管的集电极与第三n型三极管的发射极、电容的一端、二极管的负极连接在一起，电容的另一端与第二电阻的另一端连接；
15、第八电阻的另一端与第八n型三极管的发射极连接在一起。
16、进一步的，齐纳管的负极与第三电阻的一端、第五n型三极管的基极之间设置有第十二电阻，即齐纳管的负极与第十二电阻的一端连接，第十二电阻的另一端与第三电阻的一端、第五n型三极管的基极连接在一起。
17、进一步的，第七n型三极管的发射极与第四电阻的另一端、第六n型三极管的基极之间设置有第十一电阻，即第七n型三极管的发射极与第十一电阻的一端连接，第十一电阻的另一端与第四电阻的另一端、第六n型三极管的基极连接在一起。
18、进一步的，第六n型三极管与第五n型三极管的发射极面积比为4：1。
19、进一步的，通过调整第一电阻的类型控制第一电阻的温度系数。
20、进一步的，齐纳管击穿电压为正温度系数，n型三极管管的基极-发射极电压为负温度系数。
21、进一步的，通过调节第八电阻和第九电阻的阻值控制第一放大器正输入端和负输入端之间的电压差。
22、一般误差放大器的作用是保持两输入端电压近似相等，即vp＝vn＝vz1，此时基准核电压为vref＝vp+vben7＝vz1+vben7，其中齐纳管击穿电压vz为正温度系数，n型三级管的基极-发射极电压vbe为负温度系数，故可以得到一阶温度补偿的基准电压；本专利技术在vp和vn之间形成压差，引入了与温度呈高次系数关系的电压项，并且可以对高次项进行调节，将该项引入基准电压内，可以获得高阶温度补偿的基准电压。
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1.一种带高阶温度补偿的低温漂隐埋齐纳基准电路，其特征在于，该电路中第一N型PN结场效应晶体管的栅极接地，其源极与第一N型三极管的发射极、第五N型三极管的集电极、第六N型三极管的集电极、第二N型三极管的发射极、第十一N型三极管的集电极、第八P型三极管的发射极、第九P型三极管的发射极、第七N型三极管的集电极、第四N型三极管的发射极以及第六电阻的一端、二极管的正极连接在一起作为电路输出端，其漏极与第一N型三极管的集电极、第一P型三极管的集电极和基极、第二P型三极管的基极、第三P型三极管的基极连接在一起；
2.根据权利要求1所述的一种带高阶温度补偿的低温漂隐埋齐纳基准电路，其特征在于，齐纳管的负极与第三电阻的一端、第五N型三极管的基极之间设置有第十二电阻，即齐纳管的负极与第十二电阻的一端连接，第十二电阻的另一端与第三电阻的一端、第五N型三极管的基极连接在一起。
3.根据权利要求2所述的一种带高阶温度补偿的低温漂隐埋齐纳基准电路，其特征在于，第七N型三极管的发射极与第四电阻的另一端、第六N型三极管的基极之间设置有第十一电阻，即第七N型三极管的发射极与第十一电阻的一
4.根据权利要求1所述的一种带高阶温度补偿的低温漂隐埋齐纳基准电路，其特征在于，第六N型三极管与第五N型三极管的发射极面积比为4：1。
5.根据权利要求1所述的一种带高阶温度补偿的低温漂隐埋齐纳基准电路，其特征在于，通过调整第一电阻的类型控制第一电阻的温度系数。
6.根据权利要求1所述的一种带高阶温度补偿的低温漂隐埋齐纳基准电路，其特征在于，齐纳管击穿电压为正温度系数，N型三极管管的基极-发射极电压为负温度系数。
7.根据权利要求1所述的一种带高阶温度补偿的低温漂隐埋齐纳基准电路，其特征在于，通过调节第八电阻和第九电阻的阻值控制第一放大器正输入端和负输入端之间的电压差。
...【技术特征摘要】
1.一种带高阶温度补偿的低温漂隐埋齐纳基准电路，其特征在于，该电路中第一n型pn结场效应晶体管的栅极接地，其源极与第一n型三极管的发射极、第五n型三极管的集电极、第六n型三极管的集电极、第二n型三极管的发射极、第十一n型三极管的集电极、第八p型三极管的发射极、第九p型三极管的发射极、第七n型三极管的集电极、第四n型三极管的发射极以及第六电阻的一端、二极管的正极连接在一起作为电路输出端，其漏极与第一n型三极管的集电极、第一p型三极管的集电极和基极、第二p型三极管的基极、第三p型三极管的基极连接在一起；
2.根据权利要求1所述的一种带高阶温度补偿的低温漂隐埋齐纳基准电路，其特征在于，齐纳管的负极与第三电阻的一端、第五n型三极管的基极之间设置有第十二电阻，即齐纳管的负极与第十二电阻的一端连接，第十二电阻的另一端与第三电阻的一端、第五n型三极管的基极连接在一起。
3.根据权利要求2所述的一种带高阶温度补偿的低温漂隐埋齐纳基...
【专利技术属性】
技术研发人员：周震，曾秋桂，曾瞳辉，朱哲序，梁盛铭，冯举林，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十四研究所，
类型：发明
国别省市：
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