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本发明涉及一种在具有深槽图形的硅基衬底上制作硅薄膜的方法，用于微电子机械系统（ＭＥＭＳ）可动部件制造中。该方法步骤包括：先在硅基衬底上制作深槽图形时制作沟槽，连接每个深槽图形并贯穿到硅基衬底片的外边缘，与大气相通，然后与另一硅片进行硅／硅键...
该专利属于中国电子科技集团公司第二十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第二十四研究所授权不得商用。

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