本发明涉及一种耐压稳定的半导体器件结构及制造方法。本发明方法提供了采用穿通结构对漂移区杂质浓度不敏感的半导体器件特定击穿电压设计和制造的步骤，其结构主要包括重掺杂半导体衬底材料、穿通型的耐压漂移层、主扩散耐压结、表面终端结构等４个部分。...

本发明公开了一种单片集成压力传感器的制造方法。本发明方法克服了电阻式压力传感器与放大处理电路加工工艺兼容的问题，将电阻式压力传感器加工工艺与放大处理电路的加工工艺结合起来，利用专用的夹具保护了正面的集成电路和压敏电阻，同时也腐蚀出了压敏...

本发明公开了一种浅结互补双极晶体管的制造方法。本发明方法的主要工艺步骤为：１）通过硅／硅键合、减薄抛光方法形成ＳＯＩ材料片；２）在所述ＳＯＩ材料片上通过深槽刻蚀、多晶硅回填的深槽介质隔离加浅隔离墙方法，结合具有浅结多晶硅发射极的纵向ＮＰ...

本发明涉及一种低功耗真对数放大器，包括一个输入匹配网络、一个限幅放大器／连续检波式对数放大器、一个线性电压电流变换器和幅度可调放大器。本发明很好地解决了传统大动态真对数放大器静态功耗大、体积大和调试困难的技术问题。本发明制造出的低功耗真...

本发明涉及一种增加高压集成电路器件集成密度的半导体结构及制造方法，针对高压集成电路采用ＰＮ结隔离和穿透扩散占用较大面积以及常规深槽隔离存在高台阶、高电场、高应力和不良钳位隐患的问题，本发明采用深槽扩散隔离和深槽穿透扩散结构，实现了对高压...

本发明涉及一种脉宽控制环快速锁定控制电路，它包括一个带使能端反相器Ｑ１、反相器Ｑ２，带异步清零端Ｄ型触发器Ｑ３、ＰＭＯＳ管ＰＭ１、ＮＭＯＳ管ＮＭ１以及电阻Ｒ１、Ｒ２。本发明的电路结构简单，应用本发明电路后，能使脉宽控制环系统的锁定时间大...

本发明涉及一种电荷泵电路，它包括一个高压产生单元、一个降压单元和一个反馈控制单元。本发明在传统电荷泵电路基础上增加了一个降压单元和一个反馈控制单元，高压产生单元的电荷泵增益与ＭＯＳ管阈值电压无关，使增压效率提高了２０％以上；电荷泵采用两...

本发明涉及一种高速比较器，它包括一个前置放大器单元、一个射极跟随器单元和一个锁存器单元。本发明电路在传统比较器的前置放大器单元和锁存器单元之间加了一个射极跟随器单元，作为缓冲作用，使锁存器单元所需要的输入电压可以在更短的时间内达到，提高...

本发明涉及一种具有稳定差分共模电压的ＬＶＤＳ驱动电路，它包括一个电压偏置单元、一个输入放大单元和一个输出驱动单元。与常规的ＬＶＤＳ驱动电路相比，它具有以下特点：１）在输出驱动单元中，从第二电源ＶＤＤ到地之间减少了一个二极管的电压降，使输...

本发明涉及一种基于金锡共晶的谐振型压力传感器芯片局部真空封装方法。本发明方法采用电镀和溅射淀积Ｓｎ／Ａｕ层，利用金锡合金在加热时的等温凝固和共晶反应，来实现局部真空封装，能使局部真空封装的成品率达到９９％。与常规铅锡共晶烧结和硅玻璃的局...

本发明公开了一种可控双输出自举电路，包括：一个时序控制电路单元，一个基本自举电路单元和一个自举输出电压控制单元。本发明解决了传统自举电路中自举输出电压随时间缓慢下降的问题，自举输出电压的线性度提高２０ｄＢ；在基本自举电路基础上，通过增加...

本发明公开了一种通过氟、氮、硼离子注入形成超浅结的制作方法，包括：１）对硅衬底进行氟离子注入；２）对所述硅衬底进行氮离子注入；３）对所述硅衬底进行硼离子注入；４）对所述硅衬底进行氮气退火。本发明通过采用氟、氮、硼混合注入的技术，利用氟元...

本发明公开了一种用于流水线Ａ／Ｄ转换器的单冗余位数字校正方法，包括以下步骤：１）分配每级子电路的分辨率；２）对每级子电路进行量化输入电压、计算残余电压、放大残余电压并平移到基准电压区间的中部；３）确定各级编码及偏移码；４）计算总偏移码；...

本发明涉及一种差分输入信号接收电路，它包括一个基本放大电路单元和一个迟滞电压产生电路单元。本发明电路在常规电路的基础上增加了两个ＰＭＯＳ管ＭＰ５、ＭＰ６，通过此两个ＰＭＯＳ管引入输入失调的方法来获得迟滞电压，不需要引入局部正反馈，就能获...

本发明公开了一种Ｔ型开关结构的６４选１模拟开关电路，电路主要由四个１６选１模拟开关单元、构成４选１模拟开关单元的四个模拟开关单元、七个电平转换电路单元和一个译码器组成。本发明电路的工作电压为±１５Ｖ，传输的模拟信号范围±１０Ｖ，电路分为...

本发明公开了一种过热保护电路，它含有：一个施密特触发器单元和一个热敏单元。热敏单元的输出为施密特触发器单元的输入，施密特触发器单元的输出通过控制ＮＭＯＳ管的工作状态，调整过热保护电路的迟滞温度，同时施密特触发器单元的输入作为热敏单元的输...

本发明公开了一种正温度系数随温度线性变化的Ｐ型电阻的制造方法。本发明方法的主要工艺步骤为：１）在低掺杂的Ｎ↑［－］型硅片上制作Ａｒ埋层；２）在形成Ａｒ埋层后的所述硅片上制作Ｐ↑［－］电阻层和Ｐ↑［＋］接触层；３）在形成Ｐ↑［－］电阻层和...

本发明涉及一种１２位折叠插入结构Ａ／Ｄ转换器，其特征在于内部的高六位Ａ／Ｄ和低七位Ａ／Ｄ均为折叠插入结构，采用两步转换的方法构成一个高速１２位Ａ／Ｄ转换器。内部的时序电路产生九相时钟，控制整个１２位Ａ／Ｄ正常工作；差分输入的模拟信号ｉｎ...

本发明涉及一种高速Ａ／Ｄ转换器用输出模式电路，包括一个双路分配器，由输入控制电平的高低对来自Ａ／Ｄ转换器内部的一位数据选择其数据输出端，向五个Ｄ型主从触发器连成的ＣＭＯＳ并行输出和ＣＭＯＳ交替输出电路、ＣＭＯＳ－ＬＶＤＳ电平转换器输出数...

本发明公开了一种降低倒Ｒ－２Ｒ结构Ｄ／Ａ转换器输出电流过冲的方法，在二极管电流开关Ｄ１和恒流源偏置三极管Ｑ１之间串接了一个电阻Ｒ４和一个ＰＮＰ三极管Ｑ２。采用本发明方法的倒Ｒ－２Ｒ结构Ｄ／Ａ转换器，在相同的条件下，不但消除了过冲，而且将...