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中国电子科技集团公司第二十四研究所专利技术
中国电子科技集团公司第二十四研究所共有852项专利
电荷泵电路制造技术
本发明提供一种电荷泵电路,包括产生电荷泵输出电压的电荷泵模块以及基准控制电路、偏置电压模块和误差运算放大器;基准控制电路的输出端连接误差运算放大器的正向输入端;基准控制电路,适于产生参考基准电压;误差运算放大器,适于比较参考基准电压与电...
一种基准电压的电路制造技术
本发明提供一种基准电压电路,包括:PTAT电压产生电路,用于通过第一晶体管组与第二晶体管之间具有的反正偏二极管特性使所述第二晶体管工作在亚阈值区以产生第一栅源电压,并将所述第一栅源电压作为PTAT电压输出到电压叠加输出电路;CTAT电压...
一种具有输出阻抗自调节功能的MOS管共栅共源电流源偏置电路制造技术
本发明涉及一种具有输出阻抗自调节功能的MOS管共栅共源电流源偏置电路,包括偏置电路,所述偏置电路输出偏置电压vcur和偏置电压vcas,所述偏置电路包括第一负反馈电路、第二负反馈电路和调节电路;所述第一反馈电路包括第三PMOS管、第四P...
一种参考电压产生电路制造技术
本发明提供一种参考电压产生电路,包括:电平转换电路,包括第一电荷泵、第一差分运算放大器、第一NMOS晶体管、第一电阻、第二电阻及第三电阻,其中,第一差分运算放大器、第一电荷泵、第一NMOS晶体管及第一电阻构成第一单位增益结构;用于通过所...
高速高精度无采保流水线型模数转换器用时钟电路制造技术
本发明提供一种高速高精度无采保流水线型模数转换器用时钟电路,包括第一和第二占空比稳定电路以及第一至第N输出时钟缓冲器,第一占空比稳定电路产生一个可调节的小于50%占空比的时钟用于第一级流水线时序控制,第二占空比稳定电路产生一个50%占空...
高速低功耗触发器制造技术
本发明公开了一种高速低功耗触发器,包括控制信号生成电路、使能单元和锁存器结构,所述锁存器结构包括两输入端、两输出端、两使能端、第二使能端和接地端,所述使能单元包括两使能电路,所述控制信号生成电路的输出信号X和外部控制信号D作为第一使能电...
一种衬底输入结构的跨导放大器制造技术
本发明提供一种衬底输入结构的跨导放大器,包括PMOS管M1、M2、M3和M4构成的衬底输入正反馈输入级结构,NMOS管M5、M6、M7、M8和PMOS管M9、M10构成的自偏置有源负载结构,恒流源,跨导放大器补偿电容CC和负载电容CL。...
一种频率补偿的跨导放大器制造技术
本发明提供一种频率补偿的跨导放大器,包括NMOS管M1和M2构成的跨导放大器输入级,PMOS管M3和M4构成的跨导放大器第一级有源负载,恒流源Iss构成的跨导放大器第一级尾电流源,PMOS管M5构成的跨导放大器第二级输入管,NMOS管M...
控制线上电状态产生电路制造技术
本发明公开了一种控制线上电状态产生电路,包括复位电路、与非门电路U2、延时网络、或门电路U4、与门电路IU3和与门电路IIU5;复位电路输出端分别与U2输入端、U3和U5的其中一个输入端连接;延时电路连接于U2与U4之间;U4输出端与U...
一种半导体元胞结构和功率半导体器件制造技术
本发明提供一种半导体元胞结构和功率半导体器件,其中,该半导体元胞结构包括有高掺杂半导体材料区,外延层,介质绝缘层,半绝缘材料,有源器件区,在所述外延层上还刻蚀有一深槽,所述深槽垂直进入到高掺杂半导体材料区里,于所述深槽内的侧壁上形成有介...
一种低压折叠式共源共栅跨导放大器制造技术
本发明公开了一种低压折叠式共源共栅跨导放大器,包括输入级结构、第一级负载结构、恒流源结构、第二级结构,所述输入级结构包括PMOS输入管Ma1/Ma2/Mb1/Mb2和NMOS输入管Mna1/Mna2/Mnb1/Mnb2,本发明通过加入了...
芯片集成方法技术
本发明提供一种芯片集成方法,适用于集成音叉石英陀螺芯片和ASIC芯片,包括:S1,提供一基板,将所述基板制作为含预设规格外形与内腔的LTCC基板;S2,接着在所述ASIC芯片正面制作锡铅共晶焊料凸点;S3,将所述音叉石英陀螺芯片粘接在所...
一种高速低功耗动态比较器制造技术
本发明公开了一种高速低功耗动态比较器,包括锁存器、与门、延迟单元、同或门,锁存器具有第一至第三控制端锁存器的输出分别经过反相器I1、I2产生第一比较器输出信号和第二比较器输出信号,第一比较器输出信号和第二比较器输出信号通过同或门产生输出...
可编程的电流基准电路制造技术
本发明公开了一种可编程的电流基准电路,包括PTAT电流电路100、TIND电流电路200、译码单元300和逻辑运算单元400,所述PTAT电流电路与逻辑运算单元电连接,用于向逻辑运算单元提供PTAT电流;所述TIND电流电路与逻辑运算单...
一种应用于逐次逼近型模数转换器的高速移位寄存器制造技术
本发明公开一种应用于逐次逼近型模数转换器的高速移位寄存器,包括第一D触发器单元、第二D触发器单元和开关阵列K1、K2、…、KN;第一D触发器单元包括1个D触发器DFF0和N-1个D触发器DFF1,DFF0的复位端和每个DFF1的复位端接...
采样NMOS管及其生成方法、电压自举采样开关和模数转换器技术
本发明提供一种采样NMOS管及其生成方法、电压自举采样开关和模数转换器,应用于模数转换器领域,本发明在采样NMOS管的源极和电源之间加入一个二极管D1,在采样NMOS管的漏极和电源之间加入一个二极管D2,当输入电压增加时,由于输入电压通...
具有陷波器结构的高隔离度射频开关制造技术
本发明公开了一种具有陷波器结构的高隔离度射频开关,它包括一个基本匹配式单刀单掷射频开关单元和一个桥T型陷波器单元。本发明在基本匹配式单刀单掷射频开关单元的基础上增加了电阻R7b、键合丝寄生电感L2b、键合丝寄生电感L4b和电感L3b。在...
模数转换器误差估计校正的装置及其方法制造方法及图纸
本发明提供一种模数转换器误差估计校正的装置及其方法,该方法包括:根据预先设定的校正参数初始值,生成控制信号微调数控模拟延时单元,调节时延量,校正通道间的时钟相位误差;以及根据校正参数初始值校正通道间的增益误差,生成总体校正信号,将总体校...
双通道时分交织结构异步逐次比较型模数转换器制造技术
本发明提供一种双通道时分交织结构异步逐次比较型模数转换器,包含时分交织异步逐次比较单元,该时分交织异步逐次比较单元包括采样开关S10和S20,电容阵列C1和电容阵列E1,启动单元F1、F2、…、Fn,切换开关SW1、SW2、SW3、SW...
一种电流型熔丝控制电路制造技术
本发明提供一种电流型熔丝控制电路,包括熔断操作电路、熔丝单元、检测输出电路和控制电路,熔断操作电路直接作用于熔丝单元控制熔丝熔断操作,熔丝单元实现熔丝的熔断操作,检测输出电路检测熔丝状态并将该状态反映到输出端,控制电路通过控制熔断操作电...
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