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中国电子科技集团公司第二十四研究所专利技术
中国电子科技集团公司第二十四研究所共有852项专利
兼容集成电路微组装工艺的通用夹具制造技术
本发明提供一种兼容集成电路微组装工艺的通用夹具,包括底盘以及设置在底盘内的定位格栅,底盘的底面为平面且底面上设置有多个通孔,定位格栅用于对放置于其内的电路进行位置固定,底盘的侧边为倾斜挡边。本发明通过采用上述通用夹具,可以兼容表面贴装工...
H桥PWM功率放大器过流保护电路制造技术
本发明涉及一种H桥PWM功率放大器过流保护电路,它包括一个比较器电路,一个单稳态电路和一个施密特电路。本发明有效地解决了传统过流保护电路输出电流有效值、输出最大电流随电源电压和负载变化影响较大的问题。本发明电路的一致性很好,基本不需调试...
自动旋转固定硅圆片的一体化清洗夹具制造技术
本发明公开了自动旋转固定硅圆片的一体化清洗夹具,属于半导体制造技术领域,包括硅圆片固定盘,所述硅圆片固定盘上设置有多个不同直径的圆弧夹持圈和用于固定硅圆片的离心压紧装置,所述硅圆片固定盘包括位于其中心的支撑盘、均布在支撑盘四周向外延伸的...
一种基于自偏置共源共栅结构的跨导放大器制造技术
本发明提供一种基于自偏置共源共栅结构的跨导放大器,包括PMOS输入管M1、M2、M3和M4构成的自偏置共源共栅输入级结构,NMOS管M5、M6、M7和M8构成的自偏置共源共栅第一级负载结构,NMOS管M9和PMOS管M10构成的第二级共...
一种高维持电压的双向SCR保护结构制造技术
本发明涉及一种高维持电压的双向SCR保护结构,包括P型衬底、衬底P+掺杂区、N型深阱、衬底P+区、第一至第三N型阱、第一至第二P型阱、第一P+掺杂区、第一N+掺杂区、第一至第二触发P+掺杂区、第三N+掺杂区和第三P+掺杂区,所述第一N+...
一种芯片片上电阻自校正电路及方法技术
本发明提供一种芯片片上电阻自校正电路,包括产生参考电流的参考电流产生电路,接收参考电流并按1:1比例输出电流I1和I2的电流镜电路,电流I1输出至比较器的正输入端和芯片外接高精度电阻,电流I2输出至比较器的负输入端和芯片上阻值数字可调电...
一种双多晶自对准互补双极器件结构及其制作方法技术
本发明提供一种双多晶自对准互补双极器件结构及其制作方法,在6英寸工艺线条件下即光刻最小线宽在0.5微米技术节点的工艺线上实现0.35微米工艺技术节点的工艺开发,即在不增加6英寸工艺线更高工艺水平设备预算的前提下,实现在更高一级技术水平下...
与MOS管集成的双多晶电容结构及制造方法技术
本发明提供一种与MOS管集成的双多晶电容结构及制造方法,该方法首先制作双多晶电容的下极板和介质层,然后在制作MOS管的多晶硅栅的同时制作双多晶电容上极板,由此可以减少MOS管多晶硅栅的侧壁残留,另外,相比于在制作MOS管的多晶硅栅的同时...
半导体集成电路螺旋电感制造技术
本发明提供一种半导体集成电路螺旋电感,包括衬底、多层介质层和金属布线层,其中衬底上形成有多层介质层,且每层介质层上都形成有金属布线层,针对每层介质层,介质层上开设有螺旋状的通槽,在通槽内填充有钨金属,以在介质层中形成钨金属墙,且各个介质...
一种光探测器及其组件和光电前端放大器电路制造技术
本发明提供一种光探测器及其组件和光电前端放大器电路,属于四象限光电探测应用技术领域,所述光电前端放大器电路包括低噪声前端跨阻放大器、中间级电压放大器与输出缓冲放大器三级结构,三级电路通过直流耦合构成宽带放大器,本发明的有益效果在于电路结...
多路数据合成时钟产生装置制造方法及图纸
本发明提供一种多路数据合成时钟产生装置,包括产生电路和脉宽恢复电路,产生电路用于根据全速时钟产生数据合成时钟,脉宽恢复电路用于根据全速时钟的反相时钟,对数据合成时钟中消减的脉宽进行恢复。本发明通过根据全速时钟的反相时钟,对数据合成时钟中...
基于真随机数序列的流水线模数转换器动态补偿装置制造方法及图纸
本发明提供一种基于真随机数序列的流水线模数转换器动态补偿装置,该装置包括子模数转换器、子数模转换器、真随机数产生电路和编码电路,其中真随机数产生电路用于产生真随机数序列,并将真随机数序列提供给子模数转换器,以对子模数转换器中比较器基准电...
熔丝修调装置制造方法及图纸
本发明提供一种熔丝修调装置,包括控制电路、熔丝电路和信号处理电路,控制电路用于在进行虚拟熔断时,控制信号处理电路将其输入的虚拟熔断信号输出给对应电路;控制电路用于在进行真实熔断时,控制信号处理电路将其输入的真实熔断信号发送给熔丝电路,真...
自举开关的自举电压产生电路制造技术
本发明提供一种自举开关的自举电压产生电路,包括控制单元、第一充放电单元、第二充放电单元、电流镜和组合开关,其中电流镜中导通器件之间通过组合开关中的第一开关连接,电流镜输出侧的接地端通过第一开关接地且通过组合开关中的第二开关连接外置电压,...
一种比较器失调电压自校正电路制造技术
本发明提供一种比较器失调电压自校正电路,由于半导体工艺参数随机性引起了比较器失调电压,比较器失调电压同样具有随机性。由于比较器失调电压的随机性,在并行转换型模数转换器中并行比较器参考电压具有不确定性。在比较器失调电压严重的情况下,并行转...
一种运算放大器增益提高电路制造技术
本发明公开了一种运算放大器增益提高电路,通过增加运算放大器有效跨导的方法提高增益。具体做法为:将传统折叠式运算放大器的尾电流源拆分成两部分,一部分继续保持尾电流源功能,另一部分作为运算放大器的第二个输入端口M2;或者在共源共栅结构中,将...
锁相环时钟抖动的仿真方法及系统技术方案
本发明提供一种锁相环时钟抖动的仿真方法及系统,适用于将锁相环内各个模块对应的噪声信息嵌入至电压域行为级模型,以获取锁相环的时钟抖动信号,该方法包括:步骤1,采用周斯稳态分析和周期性噪声分析处理锁相环内的各个模块,获取每个所述模块的时钟抖...
电容阵列制造技术
本发明提供一种电容阵列,包括多个并联的电容结构,该电容结构包括上极板和下极板,其中上极板包括主上极板和次上极板,主上极板与公共端连接,次上极板接地,且主上极板与下极板构成主电容,次上极板与下极板构成次电容,针对每个电容结构,其主上极板与...
流水线模数转换器的误差补偿校正装置制造方法及图纸
本发明提供一种流水线模数转换器的误差补偿校正装置,包括校正流水级和常规流水级,针对每个校正流水级,设置有对应的误差估计电路、电平边沿检测电路、随机电平发生电路和MUX电路,其中电平边沿检测电路检测该校正流水级中比较器的输出信号是否在预设...
主从式SOC芯片低功耗控制电路制造技术
本发明提供一种主从式SOC芯片低功耗控制电路,包括控制器、片外CPU和SOC芯片内的片内CPU,控制器分别与片外CPU和所述片内CPU连接,用于根据片外CPU和/或片内CPU输出的配置信息,针对配置信息中的每个配置对象分别生成控制信号,...
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