本发明提供一种高频率低功耗真对数放大器，包括：功分器电路，将输入信号分为两路传输给衰减器和限幅放大电路；衰减器，对输入信号进行衰减处理，以调整对数检波的起始点；对数检波放大电路，对经衰减处理后的输入信号进行检波放大处理，以输出与输入信号...

本发明提供一种应用于伺服控制类SoC的可编程多模式DAC控制器，包括总线接口模块、寄存器模块、模式控制模块和DAC接口模块，总线接口模块与寄存器模块连接，将外部总线提供的总线数据转换成寄存器接口数据，并将寄存器接口数据发送给寄存器模块；...

本发明提供一种适用于高速流水线ADC的比较器电路，包括开关电容电路、预放大电路和锁存电路，预放大电路包括预放大器、阻值可调器件、第一开关和第二开关，锁存电路包括差分静态锁存器、第一电容、第二电容和第三开关，开关电容电路的第一输出端连接预...

本发明提供一种应用于芯片原子钟控制系统的SoC芯片结构，包括CPU子系统、存储器子系统、输入采样子系统、控制输出子系统、时差测量子系统、通用外设子系统和时钟复位子系统，CPU子系统通过AHB总线与存储器子系统连接，AHB总线通过桥与AP...

本发明提供一种基于电荷泵结构的低功耗残差放大器，其第一开关的一端作为第一输入端，连接第一差分输入信号，另一端连接第一电容的上极板；第二开关的一端连接第一电容的上极板，另一端连接第二电容的上极板；第三开关的一端作为第二输入端，连接第二差分...

本发明涉及一种用于三氯乙烯溶剂电导率测试探头的制备方法及产品，属于传感器技术领域，所述制备方法通过利用厚膜工艺在陶瓷基底上印刷金属层作为极板电极，使用金属铜条固定极板，整个探头结构均采用陶瓷与金属材料制作，导线采用聚酰亚胺漆包铜线，未引...

本发明公开了一种带载流子寿命调节区的功率MOSFET器件及其制造方法，其技术特征在于：包括漏极金属层、重掺杂第一导电类型衬底材料、轻掺杂第一导电类型第一外延层、重掺杂第一导电类型载流子寿命调节区、轻掺杂第一导电类型第二外延层、第二导电类...

本发明公开了一种带电荷收集槽的功率MOSFET器件及其制造方法，其技术特征在于：包括漏极金属层、重掺杂第一导电类型衬底材料、轻掺杂第一导电类型第一有源层、电荷收集槽、轻掺杂第一导电类型第二有源层、第二导电类型阱区、重掺杂第一导电类型源区...

本发明提供一种用于双极工艺的深槽与PN结混合隔离结构的制造方法，包括：在基底硅片上设置掩膜；在所述掩膜上设置贯穿掩膜的蚀刻窗口，并通过对蚀刻窗口对其下层的基底硅片进行蚀刻，形成深槽；注入与体硅掺杂类型相反的杂质形成槽底隔离PN结；剥离所...

本发明涉及一种半导体器件温度循环应力加速模型优选方法，属于集成电路领域。该方法为：利用循环应力对一组样品进行正常应力退化试验，同时利用提高的恒定温度循环加速应力对另外两组样品进行加速退化试验；每隔一定温循次数对样品敏感参数进行检测和确定...

本发明提供一种基于表面等离子体激元的可集成高带宽电光调制器，包括衬底层，在衬底层上设置有相互平行的第一金属纳米条、第二金属纳米条和第三金属纳米条，至少在第一金属纳米条与第二金属纳米条之间的第一狭缝以及第二金属纳米条与第三金属纳米条之间的...

本发明涉及一种高精度锁相电机转速控制器，包括第一计数器、第二计数器、第三计数器、PID控制器、PWM控制器和霍尔传感器，通过计数器按频率CLK分别对外部输入参考方波信号SYN的周期、霍尔信号的周期以及二者之间当前的相位差进行计数，霍尔周...

本发明提供一种电荷式流水线逐次逼近型模数转换器，包括：高位电容阵列，用于对输入信号采样，还用于充、放电；低位电容阵列，其电容值与高位电容阵列的电容值相同，用于充、放电；开关控制电路，用于控制高、低位电容阵列的工作状态，还用于将高位电容阵...

本发明提供一数字温度传感器电路，包括：PTAT电流源，用于产生与绝对温度成正比的PTAT电流；sigma‑delta调制模块，其包括积分器、模数转换单元与反馈数模转换单元，所述积分器用于将所述PTAT电流转化成温度电压；所述模数转换单元...

本发明提供一种高速低功耗动态亚稳态抑制比较器，包括：输入单元，输出单元，锁存器，上拉锁存单元，下拉单元和亚稳态抑制单元，当比较器出现亚稳态状态时，所述亚稳态抑制单元根据输出单元的输出信号，控制比较器进入复位状态；本发明通过亚稳态抑制单元...

本发明提供一种电压转电流电路，包括：第一放大器，用于接收差分电压信号的正相电压信号；第二放大器，其与所述第一放大器相连构成第一反馈环路，将所述正相电压信号转换为第一电流信号；第三放大器，用于接收差分电压信号的负相电压信号；第四放大器，其...

本实用新型公开了一种带载流子寿命调节区的功率MOSFET器件，其技术特征在于：包括漏极金属层、重掺杂第一导电类型衬底材料、轻掺杂第一导电类型第一外延层、重掺杂第一导电类型载流子寿命调节区、轻掺杂第一导电类型第二外延层、第二导电类型阱区、...

本实用新型公开了一种带电荷收集槽的功率MOSFET器件，其技术特征在于：包括漏极金属层、重掺杂第一导电类型衬底材料、轻掺杂第一导电类型第一有源层、电荷收集槽、轻掺杂第一导电类型第二有源层、第二导电类型阱区、重掺杂第一导电类型源区、栅介质...

本发明涉及一种石英晶体振荡驱动电路及其单片集成电路，其中，所述石英晶体振荡驱动电路由石英晶体、跨阻放大器、可变增益放大器和幅度检测单元构成。本发明中，跨阻放大器检测石英晶体一端的压电感应电流信号并转换为电压信号，再将该信号通过幅度检测单...

本发明提供一种基于被动残差传递的Flash‑SAR结构ADC，包括电容阵列、比较器阵列、用于切换电容阵列基准电压的电容阵列切换开关阵列和用于控制电容阵列的次逼近寄存器逻辑控制电路；本发明综合利用了Flash结构ADC速度快和SAR结构A...