本发明属于分立器件设计领域，涉及一种具有自关断能力的VDMOS器件结构及其制备方法，所述器件结构包括P

本专利涉及半导体制造、封装领域，特别涉及一种双列直插类管壳通用旋转清洗夹具，包括基座、台阶底座和凹槽定位夹具，其中基座上设置有多个圆柱定位销，所述台阶底座、凹槽定位夹具上设置有多个圆形定位通孔，圆柱定位销依次穿过台阶底座、凹槽定位夹具上...

本发明属于模拟或数模混合集成电路技术领域，具体为一种具有高精度采样开关的SAR ADC；所述SAR ADC包括两组采样电容阵列和以及比较器；差分输入信号Vin和Vip对应连接到比较器的两个输入端，正端采样电容阵列的采样极板通过正端采样开...

本发明提供一种时间交织结构模数转换器的误差补偿校正系统及方法，其系统包括时间交织结构模数转换器、主时钟模块、分组时钟模块、误差校正模块、自适应处理模块和总体MUX电路；本发明中的时间交织结构模数转换器的误差补偿校正装置及方法，具有较低的...

本发明提供一种缓冲电路及缓冲器，该缓冲电路包括：输入跟随电路，用于跟随第一输入信号的电压变化；输入跟随线性度提升电路，用于提升输入跟随电路的跟随线性度；第一电压自举电路，用于自举第一输入信号的电压；第二电压自举电路，用于自举第二输入信号...

本发明公开了一种基于数字调制校正的逐次逼近模数转换器，包括：一个一进制数模转换单元、一个数字调制校正单元、一个温度计译码单元、一个逐次逼近逻辑单元和一个比较器单元。本发明解决了SAR ADC结构中DAC单元间失配的问题，在不增大DAC单...

本发明提供一种低抖动分频时钟电路，包括：钟控信号产生电路，用于生成相位不同的时钟信号；低电平窄脉宽钟控信号产生电路，用于生成低电平窄脉宽钟控信号；高电平窄脉宽钟控信号产生电路，用于生成高电平窄脉宽钟控信号；分频时钟合成电路，用于根据所述...

本发明提供一种时钟驱动电路，其包括：依次相连的输入级、双端转单端级以及驱动输出级；所述输入级，包括互为负载的差分放大器与共模负反馈环路，所述差分放大器接入差分时钟信号进行放大生成共模电压，所述共模反馈电路连接所述差分放大器的输出端，用于...

本发明公开了一种加入随机扰动的多相时钟生成电路，该时钟生成电路包括主时钟模块、随机信号生成模块和buffer矩阵开关模块；所述主时钟模块用于生成N条多相时钟信号；所述buffer矩阵开关模块用于在所述随机信号生成模块输出的随机控制信号控...

本发明提供一种用于检测传感器信号的sigma‑delta调制器，包括：运算跨导放大器，用于检测待测信号并将其与VDAC之间差值放大转换成第一电流信号、第二电流信号；比较器，用于比较第一电流信号与第二电流信号各自之间的积分电压输出比较值；...

本发明提出一种微小电路内部气氛检测校准器，属于电子产品可靠性与环境试验技术领域。本发明包括基座、活塞杆和滑盖，所述基座为长方体结构，基座的中心位置自上而下开有连通的第一活塞杆孔和储气孔，第一活塞杆孔的直径大于储气孔的直径；所述基座上还开...

本发明提供一种基于预加重的逐次逼近型模数转换器，包括：电容型数模转换器，其一输入端连接采样信号，其另一输入端连接基准电压，根据控制信号控制电容阵列中各电容开关连接不同电位的基准电压输出转换电压；比较器，其一输入端连接转换电压，其另一输入...

本发明公开一种电流模余量放大器，包括：基准电流源、开关电流数模转换器及电阻反馈放大网络，所述基准电流源与开关电路数模转换器及电阻反馈放大网络相连，所述开关电路数模转换器还与电子反馈放大网络相连；所述基准电流源用于产生基准电流，所述开关电...

本发明提供一种基于SOI CMOS的电子器件、制备方法以及剥离方法，基于SOI CMOS的电子器件上设有多个剥离槽，所述剥离槽贯穿所述基于SOI CMOS的电子器件，不仅便于基于SOI CMOS的电子器件的制造，而且在减少弯折时的应力，...

本发明公开了一种用于瞬态电路的可水解封装外引线，该可水解封装外引线包括引线主体，该引线主体包括中间层，所述中间层两侧分别紧贴设置过渡层，所述过渡层侧面紧贴设置包覆层，所述中间层与包覆层在电解质的环境下构成原电池。本发明提供了一种可水解引...

本发明公开了一种用于瞬态电路的可水解平面布线外壳，该外壳包括：外壳基体，该外壳基体由可溶于水不溶于有机溶剂的材料制成；两外壳引线，分别连接于外壳基体相对的两侧面。所述外壳引线包括中间层，所述中间层两侧分别紧贴设置过渡层，所述过渡层侧面紧...

本发明提供一种基于sigma‑delta ADC的数字温度传感器，包括：基准电路，其包括参考电流单元与基准核单元，基准核单元，用于提供基准电压及产生与绝对温度成正比的PTAT电流；参考电流单元，用于提供所需的偏置电流、失调电流与参考电流...

本发明属于模拟或数模混合集成电路技术领域，涉及一种分列式电容阵列结构SAR ADC，所述SAR ADC包括高位电容阵列、低位电容阵列以及比较器；所述高位电容阵列和低位电容阵列之间通过一个单位电容相连，高位电容阵列各个电容的上极板均连接采...

本发明提供一种用于封装硅基芯片的瞬态电路封装结构实现方法，包括将聚乙烯醇溶液或水涂覆于管壳与待封装的薄硅片之间；将聚乙烯醇管壳粘附于硅基芯片；进行干燥烘焙处理，形成整体晶圆结构；对整体晶圆结构进行剥离处理，使与聚乙烯传管壳粘附的硅基芯片...

本发明提供一种跟踪保持电路，包括：输入缓冲器包含射极跟随器与单位增益放大器，射极跟随器输入模拟信号，其输出连接单位增益放大器，用于在跟踪与保持阶段放大模拟信号并输出；开关辅助模块，连接输入缓冲器的输出端、时钟信号，用于根据时钟信号控制开...