本发明提供一种3D集成微系统元器件的机械试验夹具及装夹方法，在该夹具中，通过子夹具的夹持孔对待试验元器件的侧面进行挤压夹持，可有效装夹上下表面不平整的3D集成微系统元器件，解决了无法对这类器件进行装夹的问题；子夹具夹持待试验元器件后配合...

本发明提供一种用于芯片内数模转换器的积分非线性数字校正方法，该方法包括：获取芯片内数模转换器的积分非线性曲线；根据积分非线性曲线的特点选择适应方式进行分段拟合得到曲线拟合算法；利用曲线拟合算法的拟合系数计算数模转换器输入数据处的积分非线...

本发明提供一种硬件加速电路、微控制芯片及系统，适用于降低数模转换器因校正所产生的延迟时间，该电路包括：定点整数转浮点数单元，用于将数模转换器初始输入的定点整数转换为浮点数；多个首尾依次相连的浮点乘加器，用于根据校正算法选择相应个数的浮点...

本发明公开了一种基于HBT工艺的低压宽带中功率射频放大器，包括放大电路、电阻负反馈网络、直流温度补偿网络和扼流网络；所述放大电路用于信号放大；所述电阻负反馈网络用于实现放大电路的功率增益调整、阻抗匹配，以及为放大电路提供直流偏置；所述直...

本发明公开了一种高线性度串联电阻网络，由至少两个单元串联电阻网络串联而成，单元串联电阻网络包括主串联电阻网络、低阻串联电阻网络和高阻串联电阻网络，低阻串联电阻网络和高阻串联电阻网络均与主串联电阻网络并联，主串联电阻网络由2

本发明提供一种流水线型模数转换器及其输出校正方法，所述流水线型模数转换器通过控制模块、等效增益误差提取模块、误差存储模块以及编码重建模块在传统流水线型模数转换器的基础上引入误差校正机制，对流水线转换模块中运算放大器引起的增益误差和建立误...

本发明公开了一种可调电流增益的多晶硅发射极结构的制作方法。一种可调电流增益的多晶硅发射极结构的制作方法包括：S1：在衬底片上形成第一发射极窗口；S2：在第一发射极窗口内生长超薄氧化层；S3：在第一发射极窗口内淀积多晶硅；S4：对多晶硅进...

本发明属于自动化测试领域；涉及一种优化电源扫描参数测试中偏置条件的计算方法，方法包括提取最新的若干条电源扫描参数测试数据，剔除超范围数据；将数据中最大值和最小值之间等间距划分为若干个区间；查找出数据量最大的分组，将其数据覆盖率与其阈值进...

本发明提供了一种比较器及模数转换器，所述比较器在传统预放大级的基础上引入了由开关、电容和开关控制逻辑组成的负载电容调整单元，电路结构非常简单，不会明显增加电路设计的开销；当比较器处于噪声敏感区域时，开关导通使得电容接入预放大级尾电流管漏...

本发明提供一种可变增益的双极性脉冲放大器，该双极性脉冲放大器包括：限幅放大器，用于对输入信号进行限幅放大并进行增益调整；电源二次稳压电路，用于对外部电源电压进行二次稳压；求和放大器，用于对限幅放大器的输出信号和单位增益信号进行求和放大。...

本发明公开了一种数字逻辑电路模块，应用于逐次逼近寄存器型模拟数字转换器中，所述数字逻辑电路模块包括多个分别由D触发器，延迟单元dly，反相器inv和与非门nand构成的单元电路，各所述单元电路依次级联，在逐次逼近过程中，每一次当比较器进...

本发明公开了一种高速低功耗比较器，包括输入NMOS管M1/M2，由NMOS管M4/M5和PMOS管M7/M8构成的锁存器结构，由NMOS管M6和PMOS管M9构成的复位控制开关，由NMOS管M3/M10/M11构成的下拉管；同时还包括反...

本发明公开了一种深槽半导体光探测结构及其制造方法，其中，所述深槽半导体光探测结构包括半导体材料，所述半导体材料为第一导电杂质类型，在所述半导体材料的上表面向下开设欧姆接触掺杂区和多个深槽，所述欧姆接触掺杂区为具有第一导电杂质类型的掺杂区...

本发明提供一种振荡电路及电子设备，该振荡电路包括电容充放电电路单元、电压比较电路单元以及阈值电压产生电路单元，该振荡电路在电压比较电路单元和阈值电压产生电路单元构成的负反馈调节基础上，利用电容充放电电路单元的电容充放电和迟滞效应实现振荡...

本发明提供一种测量传输曲线跳变高度的多位分辨率子流水线结构，包括：一分辨率为n位的子模数转换器，用于对输入的模拟电压信号进行量化输出数字电压信号；一分辨率为n位的子数模转换器，用于将子模数转换器输出的数字电压信号转换成相应的模拟电压信号...

本发明提供一种高压半导体介质耐压终端，包括高掺杂半导体材料层、形成于高掺杂半导体材料层上的外延层、外延层顶部部分区域处理后形成的有源器件区，在有源器件区的一侧开设有第一深槽，第一深槽垂直穿过外延层，进入到高掺杂半导体材料层，在第一深槽内...

本发明提供一种夹具制造方法及夹具，所述夹具制造方法包括：提供夹具基底，按照所需装载电路的形状，将所述夹具基底分别进行划片和打孔；在所述夹具基底上安装用于固定电路的定位弹针；提供粘接剂将相邻两个所述夹具基底进行粘结，将多个所述夹具基底进行...

本发明公开了一种浪涌抑制电路，包括：浪涌抑制器，用于对输入的浪涌电压和浪涌电流进行抑制；电压检测电路，用于当检测到的电压将高于浪涌参考电压VSref，则将误差电压放大后输入到驱动调控电路；电流检测电路，用于当检测到的电流将高于浪涌参考电...

本发明提供一种用于装载电路的夹具制造方法及夹具，包括：提供夹具基底，按照所需装载电路的形状，将所述夹具基底分别进行划片和打孔；提供粘接剂将相邻两个所述夹具基底进行粘结，将多个所述夹具基底进行对位；在所述夹具基底上安装用于固定电路的定位弹...

本发明公开了一种提高离子注入剂量控制精度的方法和系统，其中，所述方法包括：获取束流束斑的径向分布；根据所述束斑的径向分布，计算束斑质心到靶盘中心的距离，即束斑的质心值R；根据公式