本发明涉及一种真对数放大器，包括一个输入匹配网络、一个限幅放大器、一个带通滤波器、一个限幅放大器／连续检波式对数放大器和一个乘法器。本发明设计的一种新型结构的真对数放大器，很好地解决了传统大动态真对数放大器静态功耗大、体积大和调试困难的...

本发明公开了一种多晶硅介质平坦化的方法，用于集成电路制造工艺中的介质平坦。该方法步骤包括：１．在带有槽的硅片上生长２００ｎｍ氧化层；２．在生长了所述氧化层上的硅片上淀积粒径３０－５０ｎｍ的细多晶硅层，以填满槽；３．在所述填满了细多晶硅的...

本发明涉及一种低压大变容比二极管的制造方法。本发明采用双离子注入技术形成ＰＮ结二极管，通过调节ＰＮ结Ｐ型区域和Ｎ型区域的注入剂量和退火时间，形成陡峭的ＰＮ结，确保在低的反向电压下保证二极管的变容比，使其满足低压便携式接收装置的应用要求。...

本发明公开了一种硅片腐蚀单面保护夹具。该夹具包括有主体密封座、密封盖、内部加强板、气导管以及气导连接件等。通过其外部主体座密封式设计、内部加强板的结构设计和加装气体导出装置设计，使该夹具在湿法化学腐蚀和电化学腐蚀工艺中，实现了硅片需要保...

本发明公开了一种金属薄膜体电阻。本发明的技术方案在于：夹在金属布线之间的多条并联的金属薄膜电阻，其一端从表面引出，另一端通过与单晶硅衬底相连的接触孔，从单晶硅衬底的底部引出，形成金属薄膜体电阻的三维结构。由于金属薄膜体电阻的两个电极分别...

本实用新型涉及一种在硅片上制作真空微腔的预键合装置。本实用新型是这样实现的：一种在硅片上制作真空微腔的预键合装置，它包括有真空室主体、真空室上盖、真空阀、氮气阀、承片架、活动杆和硅片对位台；其中，承片架和硅片对位台固定在真空室主体内部底...

本实用新型涉及一种制备绝缘体上的硅材料真空键合装置。本实用新型是这样实现的：一种制备绝缘体上的硅材料的真空键合装置，它包括有真空室主体、真空室上盖、真空阀、氮气阀、承片台；其中，真空阀和氮气阀分别设置于真空室主体的外侧并与真空室主体的内...

本发明涉及一种厚外延层上进行投影光刻的方法，适于投影光刻机在具有埋层图形硅片上形成的厚外延层上进行投影光刻，所述厚外延层为８－４０μｍ。该方法包括：在所述厚外延层生成之前，在经处理的硅片上通过无对位标记投影曝光形成埋层图形；在具有埋层图...

本发明涉及一种在带图形的绝缘硅基衬底上制作硅薄膜的方法。该方法是首先将两硅片制作成硅薄膜厚度符合要求的硅薄膜－二氧化硅－硅键合片，其次将所述的硅薄膜－二氧化硅－硅键合片与具有图形氧化层的绝缘硅基衬底制作成硅－二氧化硅－硅薄膜－绝缘硅基衬...

本发明涉及一种硅键合片界面缺陷的检测方法，它包括（１）以振荡频率在１ＭＨｚ以上的兆声波激活电阻值１４ＭΩ．ｃｍ以上的去离子水，形成兆声去离子水波；（２）以所述的兆声去离子水波扫射硅键合片表面；（３）在聚光灯和显微镜下检查经兆声去离子水波...

本发明涉及一种硅基传感器可动件局部真空密封保护结构的制作方法，用硅帽与硅基传感器芯片的可动件进行真空密封性封装，形成可动件局部真空密封保护结构，该方法的工艺步骤包括制作硅帽；按设计的密封环图形制作金属掩模版；向硅基传感器芯片密封环表面上...

本发明涉及一种提高单梁结构微机械谐振压力传感器激励性能的方法。该方法是将该传感器的谐振梁表面上制作的激励电阻用铂制成铂薄膜电阻。用本发明方法可提高单梁结构谐振压力传感器的谐振单梁激励的可靠性和稳定性。

本发明涉及一种高压大功率低压差线性集成稳压电源电路的制造方法。该方法步骤包括：首先利用硅／硅键合、减薄抛光技术方法获得所需要的ＳＯＩ片，然后在ＳＯＩ材料片上通过深槽刻蚀、多晶硅回填的介质隔离技术方法结合纵向ＰＮＰ与纵向ＮＰＮ兼容的双极工...

本发明涉及一种小比导通电阻的集成化大电流功率器件结构的设计方法。包括对所述器件的电流处理元胞进行耐压设计，确定原始元胞的元胞尺寸、元胞间距和终端结构；将原始元胞转换成环形元胞；确定器件埋层和有源层单位长度电阻值；进行器件结构的电路等效，...

本发明涉及一种半导体ＭＯＳ器件，特别是一种应变Ｓｉ沟道ＰＭＯＳ器件。本发明的技术方案在于该ＰＭＯＳ器件的从下到上的结构为：Ｓｉ单晶衬底－本征Ｓｉ缓冲层－本征低温Ｓｉ层－Ｎ型驰豫ＳｉＧｅ层－应变Ｓｉ层－ＳｉＯ↓［２］层－多晶硅层，ＳｉＧｅ...

本发明涉及一种在具有深槽图形的硅基衬底上制作硅薄膜的方法，用于微电子机械系统（ＭＥＭＳ）可动部件制造中。该方法步骤包括：先在硅基衬底上制作深槽图形时制作沟槽，连接每个深槽图形并贯穿到硅基衬底片的外边缘，与大气相通，然后与另一硅片进行硅／...

一种ＣＭＯＳ型低压差电压调整器的制造方法，它提高了低压差电压调整器的输入电压可调整范围，并保持了其低功耗和低输出压差的特点。技术方案的要点是在常规ＣＭＯＳ工艺的基础上，集成ＭＯＳ晶体管、Ｎ型沟道ＪＦＥＴ晶体管以及ＮＰＮ型晶体管和ＰＮＰ型...

本发明涉及一种低导通电阻功率ＶＤＭＯＳ晶体管的制造方法。该方法是从降低两个ＶＤＭＯＳ元胞之间正对漏端通道的导通电阻入手，在满足ＶＤＭＯＳ管耐压的情况下，在Ｎ↑［＋］硅片上的第一层Ｎ↑［－］外延层中的ＶＤＭＯＳ晶体管栅（即两个ＶＤＭＯＳ元...

本发明涉及一种增加击穿电压的半导体结构及制造方法。本发明结构非常简单，包括半导体材料、主扩散结、耐压层、耗尽终止区和介质层共５个部分。其中，主扩散结、耐压层、耗尽终止区都处于半导体材料中，主扩散结和耐压层的导电类型与半导体材料相反，耗尽...

本发明涉及一种不同掺杂浓度多分区高击穿电压浅结低温半导体结构及制造方法。本发明包括半导体材料、主扩散结、ｎ个耐压层Ｂ↓［１］～Ｂ↓［ｎ］（ｎ≥２）、耗尽终止区和介质层，其主扩散结、ｎ个耐压层Ｂ↓［１］～Ｂ↓［ｎ］、耗尽终止区都处于半导体...