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中国电子科技集团公司第二十四研究所专利技术
中国电子科技集团公司第二十四研究所共有852项专利
基于一体化封装的多通道电压转换器制造技术
本发明提供一种基于一体化封装的多通道电压转换器,包括封装在一体化外壳内的相互独立的多个电压转换单元,针对每个电压转换单元,其包括电压转换裸芯片,所述电压转换裸芯片的输入端通过对应第一电容接地,输出端通过对应第二电容接地并通过对应电阻连接...
优化电容阵列面积的SAR ADC比较电路及其开关控制方法技术
本发明涉及一种优化电容阵列面积的SAR ADC比较电路及其开关控制方法,属于模拟或数模混合集成电路技术领域。包括采样开关S0、电容阵列、开关阵列、正电阻串阵列、负电阻串阵列和比较器;所述电容阵列由n个容值相同的单位电容构成,所述开关阵列...
一种降低寄生电容和电源影响的电压时间转换器及方法技术
本发明提供一种降低寄生电容和电源影响的电压时间转换器和方法,其电压时间转换器包括:主采样网络、补偿采样网络、放电网络和过阈值检测单元,通过采用补偿采样网络,降低传统VTC寄生电容对VTC输出摆幅的影响;并且通过对补偿采样网络的采样共模电...
一种带电源抑制的高线性度时间放大器制造技术
本发明提供一种带电源抑制的高线性度时间放大器,在复位阶段,将过阈值检测器阈值用于放大器输出结点进行复位,消除电源电压变化对过阈值检测器阈值的影响,通过输入时钟信号控制对结点电容单元进行充电,充电完毕后,通过同步时钟信号控制结点电容单元进...
一种深槽半导体器件耐压终端及其制造方法技术
本发明提供一种深槽半导体器件耐压终端及其制造方法,所述方法包括在带有第一导电杂质的半导体层,采用通用半导体工艺技术,在半导体层内部分区域形成被保护的有源区;通过刻蚀工艺在半导体材料片内形成一个或多个深槽;垂直半导体材料片表面进行第二导电...
一种基于P阱浮空技术的采样开关及控制方法技术
本发明提供一种基于P阱浮空技术的采样开关及控制方法,该采集开关包括升压电路、采样开关NMOS管NM1和开关SN,所述采样开关的一端作为输入端VIN,采样开关的另一端作为输出端OUT,输入端VIN分别连接升压电路的输入端、采样开关NMOS...
一种具有相位自动调节功能的两相时钟信号产生电路制造技术
本发明提供一种具有相位自动调节功能的两相时钟信号产生电路,包括:时钟相位调节电路,产生差分时钟信号;差分转单端电路,把差分时钟信号转换成单端时钟信号;脉冲宽度调节电路,用于调节单端时钟信号得到单端时钟信号;相位检测电路,用于检测单端时钟...
一次性可编程电容型熔丝位及存储器制造技术
本发明提供一种一次性可编程电容型熔丝位,该熔丝位包括上极板3,所述上极板包括若干并排间隔设置的熔丝5,相邻两熔丝的中部连接;每个所述熔丝的两端部和中部的上部空间分别对应设置一与熔丝连接的连接部;该熔丝位还包括对应于所述熔丝两端部和中部设...
硅锗异质结双极晶体管发射极的制作方法技术
本发明公开一种硅锗异质结双极晶体管发射极的制作方法,包括:在衬底表面形成SiGe HBT晶体管基区窗口;在衬底的表面上形成SiGe材料层;在衬底的表面上形成SiGe HBT晶体管发射区窗口;在硅片表面上形成SiGe HBT晶体管多晶发射...
一种自举电路制造技术
本发明涉及一种自举电路,该自举电路包括反相器INV31、INV32,PMOS管M31、M32、M33,NMOS管M34以及电容C31、C32;反相器INV31的输入端为自举电路的输入端,反相器INV31的输出端连接至反相器INV32的输...
一种大双列直插器件高加速离心试验通用夹具制造技术
本发明公开了一种大双列直插器件高加速离心试验通用夹具,应用在试验设备领域,包括底板、滑块、导向条、装夹槽和磁性橡胶片。本发明夹具通过自身的滑动和伸缩,拥有两个相互垂直的自由度,可以根据不同长宽尺寸的大双列直插器件外形尺寸,在一定范围内自...
一种低功耗高速逐次逼近逻辑电路制造技术
本发明提供一种低功耗高速逐次逼近逻辑电路,包括清零电路、本次逐次比较电路、预留时间电路和锁存器,清零电路,适用于在每一次逐次逼近开始前将输出端置零;本次逐次比较电路:根据节拍信号与比较器输出信号产生一个与逻辑,当比较器输出为1,本次权重...
一种带隙基准电压二阶补偿电路制造技术
本发明涉及一种带隙基准电压二阶补偿电路,属于集成电路设计领域,该补偿电路包括运算放大器OP1,双极晶体管Q1~Q4,电阻R1~R7;运算放大器OP1的正向输入端连接双极晶体管Q3的集电极,运算放大器OP1的反向输入端连接双极晶体管Q2的...
高精度逐次逼近型模数转换器的电容电压系数校准方法技术
本发明涉及一种高精度逐次逼近型模数转换器的电容电压系数校准方法,属于半导体集成电路领域。对电压系数进行校准;根据带电压系数的电容模型得到采样的带电电荷,再根据测试得到的INL值,首先验证INL最大值是否发生在式3所示的地方,然后根据式4...
一种高速低噪声动态比较器制造技术
本发明提供一种高速低噪声动态比较器,包括:输入单元,所述输入单元包括输入NMOS管和输入PMOS管,锁存器单元,所述锁存器单元包括锁存NMOS管和锁存PMOS管,所述锁存NMOS管和锁存PMOS管连接形成锁存器结构;上拉单元,包括与输入...
一种任意整数倍数分频器制造技术
本发明提供一种任意整数倍数分频器,包括多个D触发器,所述多个D触发器之间依次连接,形成串联结构,所述多个D触发器包括一个或多个结构相同的从触发器,以及处于串联结构起始端的首触发器;通过调整所述从触发器的数量,完成对信号的任意整数倍的分频...
低温漂电流源基准电路制造技术
本发明提供一种低温漂电流源基准电路,包括电流产生电路、启动电路、镜像电路和偏置电流源,所述偏置电流源向所述启动电路和镜像电路提供偏置电流;所述启动电路在接收到所述偏置电流后向所述镜像电路提供启动信号,控制所述镜像电路启动;所述镜像电路启...
一种快速稳定AGC放大器制造技术
本发明涉及一种快速稳定AGC放大器,属于信号放大技术领域,包括前级VGA放大器电路(1)、后级VGA放大器电路(2)、连续检波对数放大器电路(3)及分压电路(4);前级VGA放大器电路(1)和后级VGA放大器电路(2)串联连接;连续检波...
一种基于CAN总线接口多终端设备的通信与调试装置制造方法及图纸
本发明提供一种基于CAN总线接口多终端设备的通信与调试装置,包括计算机、USB转串口模块、带串口及CAN总线接口微控制器、CAN收发器、自动测试电流电压模块;计算机、USB转串口模块、带串口及CAN总线接口的微控制器依次连接,带串口及C...
基于码值预估的逐次逼近型模数转换器制造技术
本发明涉及一种基于码值预估的逐次逼近型模数转换器,属于半导体集成电路领域。现有的逐次逼近型模数转换器需要从MSB到LSB逐位进行判决,完成一次转换需要N+1个时钟周期,采用了基于码值预估技术的逐次逼近型模数转换器可以达到跳过高位电容的位...
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