本发明提供一种基于延迟锁相的时钟占空比稳定电路，包括：延迟单元，与时钟信号输入端连接，用于对时钟输入信号进行相位延迟；逻辑运算单元，其输入端与延迟单元的输出端连接，用于对相位延迟的信号进行相位检测；电荷泵，其输入端与逻辑运算单元的输出端...

本发明提供一种具有多种链路模式的数据采集装置及方法，该装置包括：模数转换器，用于将信号进行模数转换；第一数据选择器，用于根据接口控制器的输出选择器接入的输入链路；第一解调单元，用于解调微波信号链路输出两路解调数据；第二解调单元，用于解调...

本发明公开了一种微电路内部气氛检测试验夹具，涉及电子产品可靠性与环境试验领域，它由母夹体、子夹体、盖体组成，母夹体的一端中心部位设有内凹的压腔，用于放置子夹体，压腔内设有贯穿的连接通道，用于容纳待测试器件，母夹体在与压腔口部同侧的四周外...

本发明提供一种基于NMOS管的栅压自举开关电路，包括用于采样的NMOS管MN1，电压自举电路BOOST，采样开关衬底耦合电容C1，采样开关MN1衬底放电开关MN8，本发明在采样NMOS管NM1的栅极和衬底之间加入了一个耦合电容C1，在采...

本发明提供一种用于流水线模数转换器级间的过压欠压保护电路，包括：电阻分压网络，用于产生基准电压；欠压保护电路，用于根据保护节点的电压与基准电压对比的反馈结果，进行欠压保护；过压保护电路，用于根据保护节点的电压与基准电压对比的反馈结果，进...

本发明公开了一种基于DAC和Sub ADC采样网络分时复用的无采保流水线模数转换器技术，主要应用于集成电路领域，特别是采用流水线结构进行设计的模数转换器领域，该技术将无采保结构流水线模数转换器第一级的余量增益放大电路(MDAC)的采样保...

本发明提供一种高精度逐次逼近结构ADC的变权重子DAC校正方法，包括启动模数转换器进行采样，采集获取转换曲线；根据模数转换器的分辨率，将转换曲线进行分段；预设用于进行偏移误差校正的校正码；针对每一分段分别采用不同的校正码对偏移误差进行校...

本发明提供一种基于权重校准的高精度模数转换器及转换方法，其模数转换器包括冗余权重电容阵列、比较器阵列、比较器、控制逻辑电路、权重提取电路以及权重校准电路；本发明能够大幅降低单位电容数量，节省版图面积和功耗，降低了模拟电路的设计复杂度，并...

本发明涉及一种消除衬偏效应的深亚微米CMOS自举开关，包括NMOS晶体管N1～N7、PMOS晶体管P1～P4、电容C1、电容C2和公共节点。本发明提出一自举开关电路，解决了传统自举开关存在衬偏效应，可靠性差，线型性能不好，输入信号范围窄...

本发明涉及一种可由SPI配置数字域时钟相位的DDS系统，在常规DDS系统的数字域中增加一个SPI灵活配置的时钟延迟模块，通过控制数字域时钟延迟来控制DDS系统数字域输出数据的延迟时间，从而可以调节数字域输出信号与模拟域MUX控制选通信号...

本发明涉及一种用于电源模块端口的直流电阻快速测量电路，包括反馈调节电路、量程切换矩阵电路和电压电流检测电路；所述反馈调节电路的输入端接一偏置电压，输出端与量程切换矩阵电路的输入端连接，量程切换矩阵电路用于连接电压电流检测电路和被测器件端...

本发明公开一种基于逐次逼近算法的ADC自校正电路，包括：编码电路、分压电阻串、比较器阵列、多路选择开关、第一数模转换器、基准电路、控制寄存器及数据寄存器，编码电路的输入端与比较器阵列的输出端相连，比较器阵列中每一比较器的正相输入端均与多...

本发明公开一种检波对数视频放大器自检电路，用于对对数视频放大器进行检测，包括自检单元及检波器，自检单元与检波器及对数视频放大器均相连。自检单元包括偏置电路及振荡器电路，偏置电路的一端与外加自检脉冲信号相连，另一端与振荡器电路的一端相连，...

本发明提供一种具有电压自动调节功能的负电压产生电路，包括负电压产生电路和反馈控制模块，通过反馈控制模块对负电压产生电路产生的负电压进行调节，本发明中的具有电压自动调节功能的负电压产生电路，可根据负载电流的大小，自动调节电荷泵充电电流大小...

本发明提供一种高精度频率测量系统及方法，该系统包括：模数转换模块，用于将模拟中频信号转换为数字中频信号；混频模块，用于产生两路正交的本地载波将数字中频信号变频到数字基带信号；抽取滤波模块，用于对数字基带信号进行低通滤波与抽取，以降低数据...

一种基于采样间隔差值统计的采样时间误差检测系统，包括：检测器、两二倍插值器、校正滤波器及加法器，第一采样后信号与检测器的第一输入端及第一二倍插值器的输入端均相连，第二采样后信号与检测器的第二输入端及第二二倍插值器的输入端均相连，所述第一...

本发明涉及一种具有应变Si组合发射区的异质结双极晶体管及其制备方法，属于半导体集成电路技术领域，所述异质结双极晶体管包括绝缘体上硅衬底、驰豫Si1‑xGex集电区、应变Si1‑yGey基区、N

本发明提供一种高压半导体介质耐压终端，包括高掺杂半导体材料层、形成于高掺杂半导体材料层上的外延层、外延层顶部部分区域处理后形成的有源器件区，在有源器件区的一侧开设有第一深槽，第一深槽垂直穿过外延层，进入到高掺杂半导体材料层，在第一深槽内...

本发明涉及一种低空洞率高可靠性的厚膜基板及其制造方法，该厚膜基板包括陶瓷基板、设置在陶瓷基板上的第一网格层、设置在第一网格层上的第二网格层和设置在第二网格层上凸点层，所述凸点层中各凸点位于所述第二网格层中各网格中心。凸点层的设置可以有效...

本发明提供一种基于一体化封装的光电隔离式收发器，包括：采用一体化封装的光电隔离驱动单元与光电隔离接收单元，其中，所述光电隔离驱动单元输入端连接驱动信号，其输出端输出第一差分信号；所述光电隔离接收单元连接第二差分信号，将所述第二差分信号转...