一种基于P阱浮空技术的采样开关及控制方法技术

本发明专利技术提供一种基于P阱浮空技术的采样开关及控制方法，该采集开关包括升压电路、采样开关NMOS管NM1和开关SN，所述采样开关的一端作为输入端VIN，采样开关的另一端作为输出端OUT，输入端VIN分别连接升压电路的输入端、采样开关NMOS管NM1的输入端，输出端OUT连接采样开关NMOS管NM1的输出端，升压电路的输出端与采样开关NMOS管NM1的栅极连接；所述开关SN连接于采样开关NMOS管NM1的衬底与地之间。本发明专利技术所示结构非常简单，只引入了一个额外的开关，最大程度减小了采样管的额外寄生电容，和传统技术相比，电路实现也更为简单。

A sampling switch and control method based on P trap floating technology

The invention provides a sampling switch and a control method based on P-well floating technology. The sampling switch includes a boost circuit, a sampling switch NMOS tube NM1 and a switch SN. One end of the sampling switch acts as an input VIN, the other end of the sampling switch acts as an output OUT, and the input VIN connects the input end of the boost circuit and the sampling end respectively. The input end of the NMOS transistor NM1 is switched on, the output end OUT is connected with the output end of the sampling switch NMOS transistor NM1, and the output end of the boost circuit is connected with the gate of the sampling switch NMOS transistor NM1; the switch SN is connected between the substrate of the sampling switch NMOS transistor NM1 and the ground. The structure shown in the invention is very simple, only one additional switch is introduced, and the additional parasitic capacitance of the sampling tube is minimized to the greatest extent. Compared with the traditional technology, the circuit implementation is simpler.

【技术实现步骤摘要】
一种基于P阱浮空技术的采样开关及控制方法
本专利技术属于模拟或数模混合集成电路
，涉及一种基于P阱浮空(floatingpwell)技术的采样开关及控制方法。
技术介绍
近年来，随着模数转换器性能指标的进一步提高，特别是随着集成电路工艺技术的不断发展，对高精度模数转换器的研究也越来越深入。高精度模数转换器对采样开关提出了更高的要求，通常采用NMOS管作为采样开关，传统的电压自举采样开关结构，虽然在输入电压变化时，能保证采样开关源极和栅极的电压之差保持不变，从而使得采样开关能保持一定的线性度。但是，采样NMOS管的源极和漏极分别和衬底之间会形成一个PN+二极管，由于衬底接地，而输入信号通常大于零，从而造成上述PN+二极管处于反偏状态，这会使得上述寄生电容随着输入信号的变化而变化，在高精度应用时，上述效应会严重影响采样开关的线性度，传统的采样开关不能胜任更高精度下的工作需求。为了更详细的描述上述问题，先来分析PN结的电容特性，由晶体管原理的知识可知，PN结存在两种电容，第一种是势垒电容CT，在PN结反偏和正偏情况下，这种电容均存在，第二种是扩散电容CD，只存在于PN结正偏情况下，由本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于P阱浮空技术的采样开关，其特征在于，该采集开关包括升压电路、采样开关NMOS管NM1和开关SN，所述采样开关的一端作为输入端VIN，采样开关的另一端作为输出端OUT，输入端VIN分别连接升压电路的输入端、采样开关NMOS管NM1的输入端，输出端OUT连接采样开关NMOS管NM1的输出端，升压电路的输出端与采样开关NMOS管NM1的栅极连接；所述开关SN连接于采样开关NMOS管NM1的衬底与地之间。

【技术特征摘要】
1.一种基于P阱浮空技术的采样开关，其特征在于，该采集开关包括升压电路、采样开关NMOS管NM1和开关SN，所述采样开关的一端作为输入端VIN，采样开关的另一端作为输出端OUT，输入端VIN分别连接升压电路的输入端、采样开关NMOS管NM1的输入端，输出端OUT连接采样开关NMOS管NM1的输出端，升压电路的输出端与采样开关NMOS管NM1的栅极连接；所述开关SN连接于采样开关NMOS管NM1的衬底与地之间。2.根据权利要求1所述的一种基于P阱浮空技术的采样开关，其特征在于，所述升压电路为自举结构BOOST电路。3.根据权利要求1所述的一种基于P阱浮空技术的采样开关，其特征在于，当采样开关NMOS管NM1处于关断状态时，开关SN导通，采样开关NMOS管NM1的衬底P阱电位被开关SN钳位为0。4.根据权利要求1或3所述的一种基于P阱浮空技术的采样开关，其特征在于，当采样开关NMOS管NM1处于采样状态时，开关SN断开，采样开关NMOS管NM1的衬底P阱处于浮空状态。5.一种基于P阱浮空技术的采样开关的控制方法，其特征在于，该采样开关包括升压电路、采样开关N...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐代果，胡刚毅，徐学良，王健安，陈光炳，付东兵，王育新，徐世六，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十四研究所，
类型：发明
国别省市：重庆,50