中国电子科技集团公司第二十四研究所专利技术

中国电子科技集团公司第二十四研究所共有852项专利

  • 本发明属于半导体光电集成器件制造技术领域,具体涉及一种基于原位腐蚀的锗外延层缺陷密度检测方法,包括在硅片上生长锗外延层;通入HCL气体对硅片表面的锗外延层进行腐蚀,利用缺陷的腐蚀速率差异形成缺陷腐蚀坑;制作适合原子力显微镜样品台尺寸的样...
  • 本发明公开了一种带旁路功能的低噪声放大模块及控制方法,属于单片射频/微波集成电路技术领域;所述一种带旁路功能的低噪声放大模块包括第一单刀双掷射频开关、第二单刀双掷射频开关以及低噪声放大器;第一单刀双掷射频开关的第一输出端与低噪声放大器输...
  • 本发明提供了一种用于半导体器件熔封的对位工装,包括工装本体、开设在工装本体上的第一凹槽、开设在第一凹槽底面的第二凹槽及开设在工装本体上的让位槽,所述第一凹槽用于配合容纳所述器件主体;所述第二凹槽用于配合容纳所述覆盖件,所述第一凹槽和第二...
  • 本实用新型提供一种适用于自动共晶设备的DIP管壳运载夹具,包括架板和构架条,构架条平行设置于架板的左右两侧,架板的中部沿前后方向排布有多个第一通孔,第一通孔的左右两侧均设有第一螺孔和限位块,限位块上沿左右方向设有条形孔,条形孔内设有螺栓...
  • 本实用新型提供一种E/D NMOS基准电压源及低压差电压调整器,在所述E/D NMOS基准电压源中,无论外加的电源电压如何变化,通过基于N沟道结型场效应管的预基准源电路能将预基准输出电压稳定为固定值,预基准输出电压的范围宽、工艺调整方便...
  • 本发明公开一种键合金丝可靠性评价方法,4组样品,其中1组做键合强度试验,其余3组先温度循环加速寿命试验,再进行键合强度试验,得出3组器件的敏感参数,每组敏感参数均利用退化轨迹模型进行拟合,得出每组器件的退化轨迹模型,然后外推各个器件的伪...
  • 本发明公开了一种用于线性稳压器的补偿零点产生电路,包括相互电连接的线性稳压回路和零点产生回路,所述线性稳压回路用于输出稳定的电压,所述零点产生回路用于产生补偿零点;所述线性稳压回路具有电源电压输入端、参考电压输入端、电压输出端和接地端,...
  • 本发明公开了一种具有高电源抑制比的基准电压源,包括电压基准核、局部电压产生电路和超级源随器,所述电压基准核用于提供基准电压,所述局部电压产生电路用于产生局部电压,所述超级源随器用于稳定所述局部电压产生电路,通过设置局部电压产生电路在回路...
  • 本发明提供一种适用于自动共晶设备的DIP管壳运载夹具,包括架板和构架条,构架条平行设置于架板的左右两侧,架板的中部沿前后方向排布有多个第一通孔,第一通孔的左右两侧均设有第一螺孔和限位块,限位块上沿左右方向设有条形孔,条形孔内设有螺栓,螺...
  • 本发明公开了一种具有漏电流补偿功能的高速逐次逼近型模数转换器,包括主ADC模块、辅助ADC模块和两个采样开关漏电流补偿模块;辅助ADC模块产生与主ADC模块的漏电流呈线性关系的辅助漏电流并送给两个采样开关漏电流补偿模块,使两个采样开关漏...
  • 本发明公开了一种用于红外传感器信号采集一体化系统的SoC芯片结构,包括CPU子系统、存储器子系统、算法子系统、输入采样子系统、数据输出子系统、控制输出子系统、通用外设子系统、时钟复位子系统、AHB总线、桥和APB总线。本发明片内集成的子...
  • 本发明公开了一种用于直流无源EMI滤波器老炼的电路,包括隔离供电电路、第一负反馈恒流源电路、第二负反馈恒流源电路和恒压源电路,所述隔离供电电路输出三路互相隔离的电压,分别用于给第一负反馈恒流源电路、第二负反馈恒流源电路和恒压源电路供电。...
  • 本实用新型提供一种基于GaAs HEMT工艺的正压转负压逻辑电路,本实用新型的正压转负压逻辑电路通过输入电平位移电路单元、缓冲电路单元、同相逻辑输出电路单元及反相逻辑输出电路单元的结构设计,就可以将输入的正压逻辑信号转换为输出互补(一同...
  • 本发明公开了一种用于带宽可重构滤波器的电阻自动校正方法及其电路,所述电路包括比较器单元、校正电阻阵列、电阻控制逻辑单元、电阻映射逻辑单元以及映射电阻阵列。本发明解决了可调范围广的电阻精度问题,在传统二进制的电阻阵列的基础上,改进了映射电...
  • 本发明提供一种功率混合集成电路封装结构,其包括:管壳,包括底座;功率芯片,设置在底座上;基板,设置在底座上,且非接触式地覆盖功率芯片;控制电路,设置在基板上。本发明通过设置在底座上且非接触式地覆盖功率芯片的基板,为控制电路提供了安装平台...
  • 本发明属于自动化测试技术领域,特别是一种无外引出线芯片级器件测试平台;本平台包括导轨支架、探针组件、器件固定底板以及平台底座;导轨支架包括一个载物台、两根金属杆和U型框架,载物台活动设置在金属杆上,金属杆的一端与U型框架顶部连接,另一端...
  • 本发明应用于半导体集成电路领域,涉及一种基于时间及线性受控延时单元的游标架构ADC,包括单端ADC以及差分ADC,单端ADC包括固定时延发生器以及游标型时间数字转换器;固定时延发生器包括启始信号发生器、固定时延单元和停止信号发生器;固定...
  • 本发明公开了一种无路径失配的无采保高速高输入带宽流水线结构ADC,包括数字校正电路和级联的若干流水级电路,第一级流水级电路包括第一电容阵列、第二电容阵列、OTA放大器、低分辨率子Flash ADC和四个开关;所述第一电容阵列由多个第一开...
  • 本发明提供一种比较器时钟产生电路及高速逐次逼近型模数转换器,所述比较器时钟产生电路包括一路高延迟通道和一路低延迟通道,应用于高速逐次逼近型模数转换器时,在高位权重电容建立阶段选通高延迟通道,在低位权重电容建立阶段选通低延迟通道,既满足了...
  • 本发明提供一种SAR ADC的比较器时钟产生电路,包括信号输入模块、延时模块、调节模块和时钟模块;所述信号输入模块用于为所述调节模块提供第一控制信号Clke;所述延时模块用于根据SAR ADC的采样信号Clkin和第二控制信号Clkin...