一种功率混合集成电路封装结构制造技术

本发明专利技术提供一种功率混合集成电路封装结构，其包括：管壳，包括底座；功率芯片，设置在底座上；基板，设置在底座上，且非接触式地覆盖功率芯片；控制电路，设置在基板上。本发明专利技术通过设置在底座上且非接触式地覆盖功率芯片的基板，为控制电路提供了安装平台，实现了三维立体空间布局，有效利用电路高度空间，提高了电路封装密度，可减小电路封装结构的体积；采用HTCC工艺或LTCC工艺的一体化外壳，降低了电路重量；功率芯片采用金属衬底，降低了功率芯片的结温；采用大面积挠性PCB板代替传统的铝丝键合系统引出功率芯片的顶部电极，具有更大的芯片接触面积，降低了功率芯片互连节点的电流密度，减小了热功率循环导致互联结构疲劳损伤的可能性。

A power hybrid IC packaging structure

【技术实现步骤摘要】
一种功率混合集成电路封装结构
本专利技术涉及集成电路制造封装
，特别是涉及一种功率混合集成电路封装结构。
技术介绍
功率混合集成电路作为混合集成电路中的一个重要类型，在对系统供电、电机驱动有着极高可靠性要求的航天电子、卫星通信、武器装备、汽车工业等领域有着广泛应用；而随着近年来半导体技术的不断提升，功率混合集成电路朝着小型化、轻量化、高功率密度等方向发展。传统的功率混合集成电路普遍采用厚膜陶瓷基板作为载体，芯片与分立元件通过软钎焊或聚合物材料贴装在基板上，通过键合进行互联。该类电路的主要缺点有：一、采用二维平面布线，电路组装密度低；二、采用的金属管壳多采用10#钢或可伐合金，电路重量较重。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种功率混合集成电路封装结构，用于解决上述技术问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种功率混合集成电路封装结构，包括：管壳，包括底座；功率芯片，设置在所述底座上；基板，设置在所述底座上，且非接触式地覆盖所述功率芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率混合集成电路封装结构，其特征在于，包括：/n管壳，包括底座；/n功率芯片，设置在所述底座上；/n基板，设置在所述底座上，且非接触式地覆盖所述功率芯片；/n控制电路，设置在所述基板上。/n

【技术特征摘要】
1.一种功率混合集成电路封装结构，其特征在于，包括：
管壳，包括底座；
功率芯片，设置在所述底座上；
基板，设置在所述底座上，且非接触式地覆盖所述功率芯片；
控制电路，设置在所述基板上。


2.根据权利要求1所述的功率混合集成电路封装结构，其特征在于，所述底座具有相对设置的底座上表面与底座下表面，所述底座上表面上设有第一焊盘，所述底座下表面上设有第二焊盘，所述底座内部设有第一金属互连盲孔，所述第一金属互连盲孔用于所述第一焊盘与所述第二焊盘之间的电性连接。


3.根据权利要求2所述的功率混合集成电路封装结构，其特征在于，所述底座上表面上设有多个所述第一焊盘，所述底座下表面上设有多个所述第二焊盘；所述功率混合集成电路封装结构包括多个所述功率芯片。


4.根据权利要求3所述的功率混合集成电路封装结构，其特征在于，所述功率芯片设置在所述底座上表面上，所述功率芯片具有相对设置的底部电极与顶部电极，所述功率芯片的底部电极安装在一个所述第一焊盘上，所述功率芯片的顶部电极由挠性PCB板引出到另一个所述第一焊盘上。


5.根据权利要求4所述的功率混合集成电路封装结构，其特征在于，所述基板包括桥型结构基板，所述桥型结构基板包括平面基板部和垂直支撑部；所述平面基板部具有相对设置的基板上表面与基板下表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑旭，殷剑东，徐全吉，胡立雪，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十四研究所，
类型：发明
国别省市：重庆;50