一种基于GaAs HEMT工艺的正压转负压逻辑电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种基于GaAs HEMT工艺的正压转负压逻辑电路，本实用新型专利技术的正压转负压逻辑电路通过输入电平位移电路单元、缓冲电路单元、同相逻辑输出电路单元及反相逻辑输出电路单元的结构设计，就可以将输入的正压逻辑信号转换为输出互补(一同相、一反相)的两个负压逻辑信号，转换结构简单，转换效率高；且各电路单元均基于GaAs HEMT工艺设计，使得该正压转负压逻辑电路能与射频开关、数控衰减器、数控移相器等单片微波集成电路直接单元芯片集成，促进了单片微波集成电路系统应用的简化、小型化，并降低了其功耗。

A positive voltage to negative pressure logic circuit based on GaAs HEMT process

【技术实现步骤摘要】
一种基于GaAsHEMT工艺的正压转负压逻辑电路
本技术涉及半导体集成电路设计
，尤其是涉及一种基于GaAsHEMT工艺的正压转负压逻辑电路。
技术介绍
在射频开关、数控衰减器、数控移相器等控制型单片微波集成电路中，控制逻辑电路是必不可少的单元电路，用于实现开关通断、衰减量/相移量切换等数字逻辑控制功能。由于GaAs基HEMT晶体管具有特征频率高、开关速度快、噪声性能好、输出功率高等显著特点，目前主流的单片微波集成电路都采用GaAsHEMT工艺。如图1所示，增强型GaAs基HEMT晶体管的开启阈值为正压，Vgs≥1V足以使漏源开启、Vgs≤0V使漏源关断；耗尽型GaAs基HEMT晶体管的开启阈值为负压，Vgs＝0V就足以使漏源开启、Vgs≤-1V才能使漏源关断。目前的控制型单片微波集成电路基本上都采用耗尽型GaAs基HEMT晶体管，故其数字控制信号通常只能采用负压逻辑信号(如：0V/On、-3V/Off)。而在实际产品应用中，系统提供的控制信号一般为正压逻辑信号(如：3V/On、0V/Off)，如果要实现负压逻辑控制，只能在系统中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于GaAs HEMT工艺的正压转负压逻辑电路，其特征在于，包括输入电平位移电路单元、缓冲电路单元、同相逻辑输出电路单元及反相逻辑输出电路单元；/n所述输入电平位移电路单元的输入端接正压逻辑信号，所述输入电平位移电路单元的输出端接所述缓冲电路单元的输入端；所述同相逻辑输出电路单元的输入端接所述缓冲电路单元的输出端，所述同相逻辑输出电路单元的输出端输出与所述正压逻辑信号同相的负压逻辑信号；所述反相逻辑输出电路单元的输入端接所述缓冲电路单元的输出端，所述反相逻辑输出电路单元的输出端输出与所述正压逻辑信号反相的负压逻辑信号。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于GaAsHEMT工艺的正压转负压逻辑电路，其特征在于，包括输入电平位移电路单元、缓冲电路单元、同相逻辑输出电路单元及反相逻辑输出电路单元；
所述输入电平位移电路单元的输入端接正压逻辑信号，所述输入电平位移电路单元的输出端接所述缓冲电路单元的输入端；所述同相逻辑输出电路单元的输入端接所述缓冲电路单元的输出端，所述同相逻辑输出电路单元的输出端输出与所述正压逻辑信号同相的负压逻辑信号；所述反相逻辑输出电路单元的输入端接所述缓冲电路单元的输出端，所述反相逻辑输出电路单元的输出端输出与所述正压逻辑信号反相的负压逻辑信号。


2.根据权利要求1所述的基于GaAsHEMT工艺的正压转负压逻辑电路，其特征在于，所述输入电平位移电路单元、缓冲电路单元、同相逻辑输出电路单元及反相逻辑输出电路单元均为基于GaAsHEMT工艺的电路单元。


3.根据权利要求1所述的基于GaAsHEMT工艺的正压转负压逻辑电路，其特征在于，所述输入电平位移电路单元包括第一电阻及多个二极管；
所述正压逻辑信号接第一个所述二极管的正极，第一个所述二极管与其余所述二极管依次同向串联，最后一个所述二极管的负极接第一节点；
所述第一电阻的一端接所述第一节点、另一端接负电源端。


4.根据权利要求3所述的基于GaAsHEMT工艺的正压转负压逻辑电路，其特征在于，多个所述二极管均为GaAs基二极管。


5.根据权利要求3所述的基于GaAsHEMT工艺的正压转负压逻辑电路，其特征在于，所述缓冲电路单元包括第二电阻、第三电阻及第一HEMT晶体管；所述第二电阻的一端接所述第一节点，所述第二电阻的另一端接所述第一HEMT晶体管的栅极；所述第一HEMT晶体管的源极接所述负电源端，所述第一HEMT晶体管的漏极接第二节点；所述第三电...

【专利技术属性】
技术研发人员：何峥嵘，王国强，刘成鹏，蒲颜，熊翼通，潘少俊，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十四研究所，
类型：新型
国别省市：重庆;50