本发明提出一种跟随保持开关电路，包括：跟随器；采样子电路，用于进行电压采样；自举控制子电路，用于在电路处于跟随状态时为所述采样子电路提供自举电压；采样开关控制子电路，用于在电路处于保持状态时，为所述自举控制子电路中的自举电容提供共模电压...

本发明提供一种采样保持电路及方法，该方法包括：保持控制模块，包括用于栅压自举的采样保持栅压自举子单元和用于电平移位的电平移位控制单元；编码模块，所述保持控制模块与所述编码模块信号连接；保持电容模块，包括用于信号增益和放大的保持电容模块，...

本发明提供了一种比较器及模数转换器，该比较器包括输入单元、负载单元、控制开关和调整单元，其中，输入单元的输入端接第一输入信号和第二输入信号，负载单元接输入单元，通过调整负载单元的增益调整对管的栅压来调整比较器的增益，调整单元接输入单元，...

本发明公开了一种适用于JESD204B协议标准的高速并串转换电路，包括高速串行复接单元、两个第一复接单元、延时单元和第二复接单元，所述高速串行复接单元用于接收多路输入的并行数据，并通过并串转换将输入的多路并行数据转换为四路串行数据分别输...

本发明提出一种差分跟随器控制电路，包括：跟随器；输出电压跟随模块，用于控制所述跟随器的控制端电压随输出电压变化；衬底电压跟随模块，用于控制所述跟随器的输出管的衬底电压随输入电压变化；所述跟随器的输出端与所述输出电压跟随模块的一端连接；所...

本发明涉及物料取放领域，具体涉及一种弹性缓冲吸头装置，包括：吸头杆套筒1、吸头杆2、吸头杆压紧弹簧7、弹簧锁定螺钉8，所述吸头杆套筒1上端设置有安装底座16；吸头杆套筒1的套筒内壁上部设置有螺纹；所述弹簧锁定螺钉8的大小与吸头杆套筒1的...

本发明提出一种反熔丝存储器阵列的电压控制方法及电路，包括获取存储数据地址，将所述存储数据地址划分为多个位段，每个所述位段经过译码后，通过一组高电压电平转换器转换为一组控制信号；每组所述控制信号接入一组数据选择器，通过多组所述数据选择器依...

本发明提出一种斩波稳零比较电路，包括：工作状态选择模块，用于选择启动采样或比较过程；多级比较/放大模块，用于将经过采样的输入信号与基准信号进行比较，并对比较结果进行放大；过载保护模块，设置于相邻两级比较/放大模块之间，用于防止前一级所述...

本发明提出一种高速运放轨到轨输出电路，具有：正电源接入点及负电源接入点；跨导放大级，用于将所述差分电压信号经过跨导放大后转换为电流信号；互补输出级，用于将所述电流信号转换为电压信号，并经过放大后得到输出电压信号；反馈子电路，用于连接所述...

本发明提出一种积分器电路，包括：电压电流转换单元，用于将输入电压转换为输入电流；电流缩放单元，用于将所述输入电流按比例进行缩放，得到输出电流；电流电压转换单元，用于将所述输出电流转换成输出电压；本发明可有效缓解电阻噪声和芯片面积之间的折...

本发明提出一种双极性输入信号检测电路，包括：输入信号；正压检测模块，用于检测所述输入信号的正压部分；负压检测模块，用于检测所述输入信号的负压部分；延迟模块，用于将所述正压检测模块的检测结果或所述负压检测模块的检测结果延迟指定时间，将当前...

本发明提出一种可编程阵列式流水线级模数转换电路，包括：基于输入信号，通过所述数字可编程单元对采样保持单元、基准管理单元、时钟管理单元以及流水线级模数转换单元进行选择配置；所述输入信号经过所述采样保持单元进行采样及保持后输入所述流水线级模...

本申请提供一种硅基锗雪崩光电探测器阵列及其制备方法，该探测器阵列包括：具有高掺杂的硅衬底；SACM‑APD器件单元，其在所述硅衬底上呈阵列状排布；在所述硅衬底表面形成外延结构；贯穿所述外延结构且隔离所述SACM‑APD器件单元的第一沟槽...

本发明提供一种压差检测电路及低压差线性稳压器，所述压差检测电路利用低压差线性稳压器结构中固有的误差放大器，结合额外添加的少数元器件构成的检测支路，根据检测支路输出的检测信号的电平变化即可判断出低压差线性稳压器的输入电压与低压差线性稳压器...

本申请提供一种柔性电子弯曲加载装置，包括：承载柔性电子器件且能旋转所述柔性电子器件的测试机构；与所述测试机构配套的可变曲率弯曲加载机构，所述可变曲率弯曲加载机构调节不同曲率半径的圆棒，将对应曲率半径的弯曲加载到所述测试机构上的柔性电子器...

本申请提供一种柔性电子多轴应力加载装置，包括：承载柔性电子器件且能旋转所述柔性电子器件的测试机构；与所述测试机构配套的多轴应力加载机构；所述测试机构上的柔性电子器件接收所述多轴应力加载机构施加的多轴应力，测试所述柔性电子器件在多轴应力下...

本发明公开了一种非接触式加热的倒装焊工艺方法，包括以下步骤：提供一倒装焊设备，准备一具有焊料球凸点的芯片和一具有焊盘的管壳；将芯片具有焊料球凸点的一面与管壳相对；吸头携带芯片移动至管壳上方对应的焊接位置；吸头携带芯片下压管壳，在检测到焊...

本发明公开了一种漆包扁线同轴绕制方法，包括以下步骤，1)用整形工装和绕线工装进行漆包铜扁线线包制作；2)漆包铜扁线入罐后磁芯环面粘接；3)漆包铜扁线窗口处粘接；4)漆包铜扁线端头线头处理。本发明对漆包铜扁线先进行水平方向的预整形，解决了...

本发明公开了一种提高半导体芯片键合可靠性的处理方法，在键合前先对半导体芯片进行等离子体清洗，然后进行真空烘培处理，再多次进行充氮气抽真空的操作，最后再次充入氮气，使真空烘箱中的气压达到常压，然后取出半导体芯片进行键合操作。本发明中，通过...

本发明公开了一种提升封装后的半导体器件抗盐雾能力的处理方法，包括喷砂、去油、清洗、表面活化、镀保护层、清洗、脱水和烘培8个工艺步骤。本发明能够在金属外壳封装后的成本半导体器件上镀保护层，从而有效解决平行缝焊、储能焊或激光焊封装的半导体器...