一种反熔丝存储器阵列的电压控制方法及电路技术

本发明专利技术提出一种反熔丝存储器阵列的电压控制方法及电路，包括获取存储数据地址，将所述存储数据地址划分为多个位段，每个所述位段经过译码后，通过一组高电压电平转换器转换为一组控制信号；每组所述控制信号接入一组数据选择器，通过多组所述数据选择器依次串接，在每组所述控制信号作用下将输入所述数据选择器的选择电压输出至反熔丝单元，并对所述存储数据地址对应的反熔丝单元进行编码或读取；其中，所述选择电压至少包括：编码选择电压、读取选择电压、非指定反熔丝单元选择电压；本发明专利技术在实现编程/读取的同时，可有效减少管子的数量，节约版图面积。

【技术实现步骤摘要】
一种反熔丝存储器阵列的电压控制方法及电路
本专利技术涉及存储器领域，尤其涉及一种反熔丝存储器阵列的电压控制方法及电路。
技术介绍
反熔丝OTP存储器以其稳定、可靠、抗干扰以及优异的抗辐照性能，广泛应用于密钥存储、射频识别(RFID)以及航空航天等领域。编程/读取是反熔丝电路写入/读取数据的关键步骤。编程电路设计的核心就是控制编程高压，使得在需要编程的数据存储单元输入编程高电压VCH，而不需要编程时，高压不会进入数据存储单元内部从而不会产生影响。数据读取时，需要在数据存储单元输入一个小于VCH的电压值，记为VCR。因此，电容器连接的电压VWP至少需要接入两个不同的电压，编程电压VCH和读取电压VCR。如何控制电压VWP是反熔丝电路编程和读取的关键。
技术实现思路
鉴于以上现有技术存在的问题，本专利技术提出一种反熔丝存储器阵列的电压控制方法及电路，主要解决传统电压控制电路占用版图面积大且成本高的问题。为了实现上述目的及其他目的，本专利技术采用的技术方案如下。一种反熔丝存储器阵列的电压控制方法，包括：获取存本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反熔丝存储器阵列的电压控制方法，其特征在于，包括：/n获取存储数据地址，将所述存储数据地址划分为多个位段，每个所述位段经过译码后，通过一组高电压电平转换器转换为一组控制信号；/n每组所述控制信号接入一组数据选择器，通过多组所述数据选择器依次串接，在每组所述控制信号作用下将输入所述数据选择器的选择电压输出至反熔丝单元，并对所述存储数据地址对应的反熔丝单元进行编码或读取；其中，所述选择电压至少包括：编码选择电压、读取选择电压、非指定反熔丝单元选择电压。/n

【技术特征摘要】
1.一种反熔丝存储器阵列的电压控制方法，其特征在于，包括：
获取存储数据地址，将所述存储数据地址划分为多个位段，每个所述位段经过译码后，通过一组高电压电平转换器转换为一组控制信号；
每组所述控制信号接入一组数据选择器，通过多组所述数据选择器依次串接，在每组所述控制信号作用下将输入所述数据选择器的选择电压输出至反熔丝单元，并对所述存储数据地址对应的反熔丝单元进行编码或读取；其中，所述选择电压至少包括：编码选择电压、读取选择电压、非指定反熔丝单元选择电压。


2.根据权利要求1所述的反熔丝存储器阵列的电压控制方法，其特征在于，所述选择电压的值均不为零。


3.根据权利要求1所述的反熔丝存储器阵列的电压控制方法，其特征在于，在进行编码时，所述选择电压至少包括：
编码选择电压、非指定反熔丝单元选择电压；或，
编码选择电压、读取选择电压；
在进行读取时，所述选择电压至少包括：
读取选择电压、非指定反熔丝单元选择电压；或，
读取选择电压、读取选择电压。


4.根据权利要求1所述的反熔丝存储器阵列的电压控制方法，其特征在于，所述编码选择电压或所述读取选择电压输出至所述存储数据地址对应的反熔丝单元；所述非指定反熔丝单元选择电压或读取选择电压输出至非指定反熔丝单元。


5.根据权利要求1所述的反熔丝存储器阵列的电压控制方法，其特征在于，每个所述位段采用一个字线译码器进行译码。


6.根据权利要求1所述的反熔丝存储器阵列的电压控制方法，其特征在于，每组所述高电压电平转换器根据所述编码选择电压或所述读取选择电压生成一组所述控制信号。


7.根据权利要求6所述的反熔丝存储器阵列的电压控制方法，其特征在于，在进行编码时，若所述位段中的存储数据为1，则对应的控制信号为所述编码选择电压；若所述位段中的存储数据为0，则对应的控制信号为低电平；
在进行读取时，若所述位段中的存储数据为1，则对应的控制信号为所述读取选择电压；若所述位段中的存储数据为0，则对应的控制信号为低电平。


8.根据权利要求1所述的反熔丝存储器阵列的电压控制方法，其特征在于，若第X个位段包含Nx位存储数据，则对应的第X组高电压电平转换器包含2Nx个高电压电平转换器并输出2Nx个控制信号至第X组数据选择器；其中，X和Nx均为正整数。


9.根据权利要求8所述的反熔丝存储器阵列的电压控制方法，其特征在于，当X≥2时所述第X组数据选择器包括2N1+N2+…+Nx个数据选择器。


10.根据权利要求1所述的反熔丝存储器阵列的电压控制方法，其特征在于，在进行编码时，依次串接的多组数据选择器中，第一组数据选择器的输入包括：对应组控制信号、编码选择电压、非指定反熔丝单元选择电压；或，对应组控制信号、编码选择电压、读取选择电压；
在进行读取时，第一组数据选择器的输入包括：对应组控制信号、读取选择电压、非指定反熔丝单元选择电压；或，对应组控制信号、读取选择电压、读取选择电压；
在进行编码或读取时；其他组数据选择器的输入包括：前一组数据选择电压的输出、对应组控制信号、非指定反熔丝单元选择电压；或，前一组数据选择电压的输出、对应组控制信号、读取选择电压；
最后一组数据选择器的输出传输至所述反熔丝单元，控制执行编码或读取操作。


11.根据权利要求10所述的反熔丝存储器阵列的电压控制方法，其特征在于，所述每组控制信号控制对应组数据选择器的过程为：
当所述控制信号为低电平时，对应的数据选择器输出前一组所述数据选择器的输出或编码选择电压或读取选择电压；所述控制信号为所述编码选择电压或读取选择电压时，对应的数据选择器输出所述非指定反熔丝单元选择电压或读取选择电压。


12.根据权利要求10所述的反熔丝存储器阵列的电压控制方法，其特征在于，所述数据选择器包括两个PMOS晶体管，其中一个所述PMOS晶体管的的栅极连接对应的所述控制信号，源极连接前一组数据选择器的输出或编码选择电压或读取选择电压；
另一个所述PMOS管的栅极连接对应的所述控制信号的反向信号，源极连接所述非指定反熔丝单元选择电压或读取选择电压；
两个所述PMOS管的漏极相连作为所述数据选择器的输出端。


13.一种反熔丝存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：王妍，张培健，徐鸣远，陈仙，蒋飞宇，廖希异，邱盛，张正元，李儒章，蒋和全，戴永红，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十四研究所，
类型：发明
国别省市：重庆;50