一种具有自关断能力的VDMOS器件结构及其制备方法技术

本发明专利技术属于分立器件设计领域，涉及一种具有自关断能力的VDMOS器件结构及其制备方法，所述器件结构包括P

【技术实现步骤摘要】
一种具有自关断能力的VDMOS器件结构及其制备方法
本专利技术属于分立器件设计领域，涉及一种具有自关断能力的VDMOS器件结构及其制备方法。
技术介绍
VDMOS器件在电源管理模块、DC-DC转换器等领域有广泛应用，在应用过程中，传统结构VDMOS器件前级为驱动器输入信号，由于前级驱动器电路与传统结构VDMOS器件采用不同的电源进行供电，因此极有可能出现前级驱动器掉电的情况，在VDMOS器件中，漏极与源极之间的电流IDS与栅极与源极之间的电压VGS之间的关系如下所示：其中，VTH表示开启电压，COX为VDMOS器件氧化层的特征电容，μ表示磁导系数，W为VDMOS器件的耗尽层宽度，L为VDMOS器件的导电沟道的有效长度；当前级驱动器发生掉电等情况时，传统结构VDMOS器件的栅极为浮空电位，当浮空电位很高时，即VGS过大，将会出现源漏之间出现大电流，该电流灌入至后级负载将会导致后级负载不可逆的损毁。当上述情况发生，前级驱动器输出信号(也即VDMOS器件的栅极输入信号)将出现浮空电位状态，该状态下的驱动信号施加至后级VDMOS器件后，将导致传统结构VDMOS器件出现长开启的现象，而VDMO本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有自关断能力的VDMOS器件结构，包括P+型衬底，其特征在于，所述P+型衬底之上设置有P型外延层，所述P型外延层之上设置有N型体区，所述N型体区之上设置有P+型源区，在形成的VDMOS器件结构中，外围金属场板(104)通过连接金属(204)与芯片元胞(101)的金属部分进行连接。

【技术特征摘要】
1.一种具有自关断能力的VDMOS器件结构，包括P+型衬底，其特征在于，所述P+型衬底之上设置有P型外延层，所述P型外延层之上设置有N型体区，所述N型体区之上设置有P+型源区，在形成的VDMOS器件结构中，外围金属场板(104)通过连接金属(204)与芯片元胞(101)的金属部分进行连接。2.根据权利要求1所述的一种具有自关断能力的VDMOS器件结构，其特征在于，环绕芯片元胞(101)设置有多晶硅栅线条(102)。3.根据权利要求2所述的一种具有自关断能力的VDMOS器件结构，其特征在于，在VDMOS器件的多晶硅栅线条(102)和外围金属场板之间增加设置有多晶硅电阻(103)。4.根据权利要求3所述的一种具有自关断能力的VDMOS器件结构的栅电阻，其特征在于，多晶硅电阻(103)及多晶硅栅线条(102)与VDMOS器件的栅极为同种材料。5.根据权利要求3所述的一种具有自关断能力的VDMOS器件结构的栅电阻，其特征在于，多晶硅电阻(103)的形状为长条形，并形成环状围绕整个芯片元胞，多晶硅电阻(103)一端与VDMOS器件外围金属场板(104)相连，另一端与VDMOS器件的多晶硅栅线条(102)连接。6.根据权利要求5所述的一种具有自关断能力的VDMOS器件结构的栅电阻，其特征在于，多晶硅电阻(103)环绕芯片元胞(101)N周，且相...

【专利技术属性】
技术研发人员：向凡，杨丰，吴昊，付晓君，郑直，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十四研究所，
类型：发明
国别省市：重庆,50