本发明涉及一种提高D/A转换器积分非线性和微分非线性测量稳定度的方法，包括：1）确定要测量的高位等权重电流源单元的输出组合；2）根据确定的输出组合，确定测量使用的控制信号及逻辑；3）根据确定的控制信号逻辑，完成高位等权重电流源开关译码电...

本发明涉及一种输出共模电压稳定的开环放大器，它包括一个主放大器单元和一个辅助放大器单元。与常规的输出共模电压稳定的负反馈放大器相比，本发明电路的主放大器在开环结构下差分输出共模电压稳定；主放大器差分输出端未采用共模反馈电路，减小了输出负...

本发明涉及一种降低浮空埋层半导体器件漏电流的方法。包括半导体衬底材料、第一外延层、分裂浮空埋层、第二外延层、侧壁掺杂深槽、被保护器件、表面结终端和划片道。其中，被保护器件、表面结终端处于第二外延层中，分裂浮空埋层位于第二外延层和第一外延...

本发明公开了一种准谐振变换器同步整流电路，它包括功率变压器、次级功率开关电路、整流管控制电路和续流管控制电路，通过对功率变压器检测来实现对次级功率开关电路中的整流管零电压开通和零电流关断功能；本发明旨在解决采用二极管整流的传统准谐振变换...

本发明涉及一种脉冲电源的时序控制电路，包括DC/DC变换器1、DC/DC变换器2、上电检测电路、延迟电路、掉电检测电路、开关电流和驱动电路。本发明采用较少的器件解决了砷化镓类器件的上电时序问题；本发明的掉电时序电路，解决了因输出掉电时序...

本发明涉及一种单芯片背面金属工艺夹具，该夹具包括有圆片承片基座、U形定位框、固定压块、硅固定挡条，硅垫片等七大部分。采用本发明夹具后，由于没有残胶、芯片的擦伤减少，其背面的金属纯度提高，因而大幅提高了芯片背面金属工艺的成品率，IC成品率...

本发明涉及一种流水线A/D转换器中缩短参考建立时间的电荷补充电路，它包括一个比较器Q1、两个PMOS管PM1、PM2、一个金属电容Cb。本发明电路的方案在于，当输入幅度小于满幅度一半的时候，用预先存储在金属电容上的大电荷来补充采样电容需...

本发明涉及一种无需独立基准源的欠压保护电路，由电压-电流转换单元和电流比较电路单元组成。本发明提供的电路不需要传统电路所需的齐纳二极管或独立电压基准源提供参考电压，也不需要独立的比较器来比较被监控电压与参考电压的大小；本发明电路可实现电...

一种用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片的制造方法，步骤包括在单晶硅片一上制作N型埋层和P型埋层；在单晶硅片一上进行深槽刻蚀、牺牲层氧化、沟阻氧化、淀积填槽多晶硅及CMP多晶硅，形成介质隔离区；在单晶硅片二上生长埋氧层；对已形成介质...

本发明提供一种引线键合气密性封装模拟集成电路贮存寿命评估方法。该方法包括步骤：选取筛选合格的样品随机分为若干组；测试并计算一组样品内部的相对湿度及键合丝的键合强度平均值；利用恒定温度应力、温度循环和恒定湿热三组加速应力进行加速寿命试验，...

本发明涉及一种高速采样前端电路，它包括MDAC采样网络、基准电压产生电路、比较器阵列、运算放大器、输出短接开关、占空比可调的时钟稳定电路、状态控制模块和反馈控制模块。该高速采样前端电路功耗低、采样率高和采样网络输入带宽高，MDAC采样网...

本发明涉及一种高线性CMOS输入缓冲器电路，它包括CMOS输入跟随电路、跟随管线性度提高电路、电流源负载和负载阻抗线性度提高电路。本发明通过跟随管线性度提高电路，用于检查输入信号的变化趋势，将其作用于跟随管，抵消输入信号变化带来的跟随管...

本发明公开了一种BiCMOS电流型基准电路，包括基准核电路、启动电路和基准电流输出电路；其中基准核电路由三部分组成：电流镜电路、正温度系数电流产生电路、负温度系数电流产生电路；电流镜电路用于产生匹配的支路电流，正温度系数电流与负温度系数...

一种提高导热和过流能力的基板制作方法，是在BeO材料片正面溅射Ti层和Cu层，光刻BeO基板的导带图形；电镀Cu层和Ni层，带胶溅射Au层；去光刻胶，腐蚀Cu/Ti，在所述BeO基板的背面溅射Ti、Ni和Au层，形成一种兼顾高导热能力和...

本发明涉及一种LVDS方波信号驱动电路，它包括一个非交叠方波控制信号产生电路、一个MOSFET开关驱动电路和一个输出匹配网络。本发明通过将有源晶体振荡器输出的弱驱动方波信号，经过非交叠逻辑时序处理，变为MOSFET的栅极控制信号，通过匹...

本发明公开了一种恒定振幅压控振荡器的偏置电路。它包括一个偏置电压VBN产生电路和一个偏置电压VBP产生电路。本发明电路通过使用运算放大器和偏置电路相结合的方案，利用运算放大器的负反馈原理，将环形振荡器尾电流源、负载电路的漏端电压分别钳位...

本发明公开一种测量外延图形漂移的方法，该方法包括：利用光刻版A，在硅片上形成埋层图形；将所述有埋层图形的硅片进行退火处理形成二氧化硅层做为保护层；利用光刻版B，对所述长有保护层的硅片进行光刻、刻蚀，将同一个埋层图形分为保护区与未保护区两...

本发明公开了一种具有界面N+层的SOILDMOS半导体器件，涉及一种半导体功率器件，包括衬底硅层、介质埋层和有源顶层硅，介质埋层设置于衬底硅层与有源顶层硅之间，有源顶层硅自半导体表面至介质埋层分为N型硅层、P型硅层和N+硅层三部分；本发...

本发明涉及一种用于模数转换器中的双向调节微电流源电容误差补偿电路，它包括一个带权重的微电流单元和一个微电流源电容误差补偿控制单元。本发明通过对电容误差补偿方向和补偿大小分别控制的方式将前一级流水线结构的输出信号中由于电容匹配精度不够而造...

本发明公开了一种应用在A/D转换器的开关噪声抑制电路，它包括一个正基准通路RC网络和一个负基准通路RC网络，分别作用于流水线A/D转换器的正基准电压通路和负基准电压通路。本发明电路在常规流水线结构的基础上增加一个正基准通路RC电阻电容网...