【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种降低浮空埋层半导体器件漏电流的方法,包括:半导体材料(1),第一外延层(2),分裂浮空埋层(3),第二外延层(4),侧壁掺杂深槽(5),被保护器件(6),表面结终端(7),划片道(8)。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:谭开洲,唐昭焕,刘嵘侃,刘勇,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第二十四研究所,
类型:发明
国别省市:
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