提高导热和过流能力的基板制作方法技术

一种提高导热和过流能力的基板制作方法，是在BeO材料片正面溅射Ti层和Cu层，光刻BeO基板的导带图形；电镀Cu层和Ni层，带胶溅射Au层；去光刻胶，腐蚀Cu/Ti，在所述BeO基板的背面溅射Ti、Ni和Au层，形成一种兼顾高导热能力和高过流能力的基板，大幅提高了基板的过流能力和耐焊性，基板热导率大于200W/m·K，过流能力为15A/mm，热膨胀系数和硅材料相当。本发明专利技术方法适用于大功率电路工艺制造领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术 涉及一种基板的制作方法，特别涉及一种，它直接应用的领域是大功率电路工艺制造领域。
技术介绍
基板是电子设备的核心部件，它承担着机械支撑、散热和导电等关键作用。功率电路中使用的基板一般称为功率基板，它是基板中的重要组成，它广泛应用于DC-DC变换器、DC-AC变换器、快速开关变换、继电器、马达驱动、绝缘栅双极晶体管模块等。为满足各种需要，目前已开发了不同类型的功率基板=Al2O3厚膜基板、BeO厚膜基板、A1203-DBC、A1N-DBC、陶瓷薄膜基板、环氧基印制板、铝基板等。上述各类基板中，Al2O3或者BeO厚膜基板过流能力不够，其单位线宽的过流能力仅为6. 25A/mm，耐焊性差；普通陶瓷薄膜基板的过流能力不够，其单位线宽的过流能力为仅I. 5A/mm,散热能力也不够,其热导率小于37W/m ·Κ ;环氧基印制板散热能力不够,其热导率小于O. 5ff/m · K，其膨胀系数远大于硅材料，匹配性差；铝基板的热膨胀系数远大于硅材料，匹配性差；DBC基板需要专用设备，成本较高；A1N-DBC也不成熟。文献I “大功率LED封装用散热铝基板的制备与性能研究”(方亮等，《材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高导热和过流能力的基板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）准备BeO材料片、溅射Ti层和Cu层、光刻BeO基板的导带图形、电镀Cu层和Ni层，形成BeO基板的导带层，其中，BeO材料片上溅射Ti层和Cu层后，形成所述BeO基板，在BeO基板表面兼顾传输电流、元器件安装、引线互联功能的金属结构称为导带；（2）在BeO基板上带光刻胶溅射Au层、去光刻胶、腐蚀导带区域外的Ti层和Cu层，形成完整的导带区域；（3）在所述BeO基板的背面溅射Ti、Ni和Au层、形成功率基板的背面金属化结构。

【技术特征摘要】
1.一种提高导热和过流能力的基板制作方法，其特征在于，包括以下步骤 (1)准备BeO材料片、溅射Ti层和Cu层、光刻BeO基板的导带图形、电镀Cu层和Ni层，形成BeO基板的导带层，其中，BeO材料片上溅射Ti层和Cu层后，形成所述BeO基板，在BeO基板表面兼顾传输电流、元器件安装、引线互联功能的金属结构称为导带； (2)在BeO基板上带光刻胶溅射Au层、去光刻胶、腐蚀导带区域外的Ti层和Cu层，形成完整的导带区域； (3)在所述BeO基板的背面溅射Ti、Ni和Au层、形成功率基板的背面金属化结构。2.根据权利要求I所述的提高导热和过流能力的基板制作方法，其特征在于所述准备BeO材料片、溅射Ti层和Cu层、光刻BeO基板的导带图形、电镀Cu层和Ni层，形成BeO基板的导带层的步骤包括 (1)准备尺寸50.8mmX50. 8mmXO. 381mm、纯度99 %、单面抛光的BeO材料片，抛光的一面为材料的正面；清洗；在BeO材料片的正面溅射Ti和Cu层，Ti/Cu层的厚度为100 土 5nm/300 土 30nm，形成Ti粘附层和Cu加厚电镀导电层，形成所述BeO基板； (2)采用正胶光刻BeO基板的导带图形，光刻后暴露出需要加厚电镀的导带区域，导带区域以外的图...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗驰，刘欣，唐喆，叶冬，徐学良，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十四研究所，
类型：发明
国别省市：