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中国电子科技集团公司第二十四研究所专利技术
中国电子科技集团公司第二十四研究所共有852项专利
一种用于高精度模数转换器中的抖动电路制造技术
本发明公开一种用于高精度模数转换器中的抖动电路,包括可置位的伪随机序列产生器,产生与模拟输入信号Vi不相关且可置位的伪随机序列信号,取其中的n位信号作为数字抖动信号;修调模块,准确定位控制可修调的DAC电路的修调信号,以对可修调的DAC...
一种分集式多芯片同步系统技术方案
本发明涉及一种分集式多芯片同步系统,属于高速DDS和高速DAC中的多芯片应用技术领域。与常规的多芯片同步系统相比,本发明具有以下特点:1)在发送端发送两路同步信号sync1和sync2,两路信号可以互相做为备份信号,当一个收到外界干扰时...
用于单片光探测与电信号处理集成器件的基材结构及其形成方法技术
本发明涉及一种用于单片光探测与电信号处理集成器件的基材结构及其形成方法,属于半导体器件和集成电路技术领域。该方案针对高阻硅半导体材料光探测与光探测信号分开处理以及缺乏单片集成解决方案的情况,可以解决光探测器工作电压与光探测信号处理电路工...
用于开关电容电路的高速高精度驱动器制造技术
本发明涉及一种用于开关电容电路的高速高精度驱动器,属于模拟或数模混合集成电路驱动器技术领域。该驱动器包括一个高增益运算放大器单元,一个高精度快速建立控制模块;所述高增益运算放大器单元具体包括:一个提供高增益的差分运算放大器AMP,提供输...
一种相位精确可调双路时钟产生电路制造技术
本发明提供一种相位精确可调双路时钟产生电路,包括时钟产生电路、电压控制电路和压控延迟调节电路;所述时钟产生电路连接外部参考时钟输入信号,该信号经过时钟产生电路生成两路相位差基本为180°的差分时钟信号,并将两路差分时钟信号输至压控延迟调...
基于边沿相加的时钟延迟调节电路及其集成芯片制造技术
本发明提供一种基于边沿相加的时钟延迟调节电路及其集成芯片,其中,时钟延迟调节电路包括时钟延迟单元,用于对从其输入端输入的时钟信号做相等间隔延迟,以得到至少三个间隔相等时间的延迟时钟信号并予以输出;权系数单元,用于根据其输入端输入的数字码...
一种双环路锁相环快速自动切换电路制造技术
本发明提供一种双环路锁相环快速自动切换电路,包括D触发器电路、与门电路、第一/第二/第三开关电路、跟随器、宽带环路和窄带环路;所述D触发器电路的输入端与输入信号LD和Cin连接,输出端与所述与门电路连接;与门电路的输入端与D触发器电路的...
一种半导体器件温湿度复合应力加速模型优选方法技术
本发明公开了半导体器件应力加速模型优选方法,包括:筛选合格的样品并分组;对其中一组进行正常应力退化试验,对另外五组进行加速退化试验;周期性对样品可能的敏感参数进行检测并记录;确定试验样品敏感参数及其退化轨迹模型;外推得到各试验样品的伪寿...
一种提高MOS管模拟开关线性度的方法及MOS管模拟开关电路技术
本发明公开了一种基于电荷补偿的提高MOS管模拟开关线性度方法,主要应用于集成电路领域,特别是涉及MOS管作为模拟信号采样开关的集成电路应用领域。该方法具体为,在MOS管模拟开关电路中设置补偿电路,补偿MOS管模拟开关在导通阶段由于寄生电...
线性度大于96dB的BiCMOS缓冲器制造技术
本发明公开了一种线性度大于96dB的BiCMOS缓冲器,其中包含了一个尾电流源单元及一个射极电压检测基极电流反馈放大器。本发明电路通过实现镜像负载复制驱动负载的电流,保证流过缓冲器中的缓冲晶体管的电流为一个恒定电流,减少了包含该增益的传...
低电压达林顿放大器制造技术
本发明公开了一种低电压达林顿放大器。它包括一个基本达林顿放大单元、一个交直流分离单元和一个电源电压极性转换单元。本发明电路将达林顿放大单元的交流与直流地分离,并将交流地钳位到地;本发明电路将达林顿放大器的直流参考地钳位到负的参考电平上,...
逐次逼近模数转换器及其转换方法技术
本发明中公开一种逐次逼近模数转换器及其转换方法,其中该逐次逼近模数转换器包括:带冗余位的分段多级电容阵列、比较器、权重存储电路、编码重建电路以及控制逻辑电路。本发明可以实现降低电路设计的复杂度,节省版图面积和功耗,且不需要辅助电容阵列、...
跟踪保持电路制造技术
一种跟踪保持电路,包括一输入缓冲放大器、一单位增益放大模块、一采样开关、一驱动三极管及一采样电容,所述输入缓冲放大器接收一输入信号,在跟踪阶段,所述采样开关电性连接所述驱动三极管的发射极,所述输入信号经由所述输入缓冲放大器的缓冲,所述单...
具有自恢复功能的限流保护与短路保护电路制造技术
本发明涉及一种具有自恢复功能的限流保护与短路保护电路,包括电流检测电路、整流电路、电流脉冲幅度控制电路、电流尖锋屏蔽电路、比较电路、电平移位滤波电路、开关电路。本发明电路,仅采用了1个比较器、1个基准电压和1个N型短路开关及少量无源元件...
带切换装置的USB设备制造方法及图纸
本发明提供了一种带切换装置的USB设备,包括:外壳、USB插头、主控制器大容量存储器、手势传感器及传感控制器,所述手势传感器与传感控制器电连接,所述传感控制器还与大容量存储器及USB插头电连接,所述USB插头还用于为传感控制器提供工作电...
等离子体刻蚀AlSi的方法技术
本发明涉及一种等离子体刻蚀AlSi的方法。该方法在金属刻蚀设备刻蚀AlSi的基础上,采用等离子刻蚀设备运行去除硅渣的程序和正胶显影设备运行正胶显影程序。由于去除硅渣的程序可去除残留的硅渣,正胶显影程序可去除聚合物点子,因此本发明的技术方...
占空比调节电路制造技术
本发明涉及占空比调节电路,它包括一个50%占空比时钟产生电路、两个压控延迟线单元以及时钟边沿比较电路。本发明电路以输入时钟的一个边沿去确定输出时钟的一个边沿,仅移动时钟信号的另一个边沿去锁定占空比,输入时钟与输出时钟存在确定的相位关系;...
电容阵列及其版图设计方法技术
本发明提供了一种电容阵列版图设计方法,包括以下步骤:确定单位电容布线方式:使得单位电容的上极板连线和下极板连线相互平行;确定电容阵列布局:a、确定单边电容阵列版图的列数的最大值Mh,b、确定单边电容阵列中第一类至第K类电容在版图布局中的...
增益和摆率增强型放大器制造技术
本发明涉及一种增益和摆率增强型放大器,采用电流镜型跨导放大器(OTA)实现,由一个差分输入级单元和一个双端转单端单元构成。本发明的放大器采用增加电流控制可变电阻的方式,优化电流镜结构,使电路在相同静态功耗情况下可以得到更高的电压增益和带...
SiGe异质结双极晶体管制造技术
本发明提供了一种SiGe异质结双极晶体管的设计方法,属于微电子与固体电子领域。该方法涉及基区锗含量的分布方式,具体分为第一阶区,梯度区以及第二阶区。其中第一,二阶区的锗含量值恒定,梯度区的锗含量值呈线性递增。在没有增加基区锗总含量的条件...
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