线性度大于96dB的BiCMOS缓冲器制造技术

本发明专利技术公开了一种线性度大于96dB的BiCMOS缓冲器，其中包含了一个尾电流源单元及一个射极电压检测基极电流反馈放大器。本发明专利技术电路通过实现镜像负载复制驱动负载的电流，保证流过缓冲器中的缓冲晶体管的电流为一个恒定电流，减少了包含该增益的传递函数中的非线性因素；引入了一个射极电压检测基极电流反馈放大器，由于在隔离双极晶体管射极和基极间引入了一个负反馈，形成了理想的虚地点，从而增加了缓冲器的线性度。本发明专利技术电路的线性度可达到96dB，比传统缓冲器电路的线性度提高30％。本发明专利技术电路特别适用于在数模/模数转换器对线性度要求极高的领域。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种线性度大于96dB的BiCMOS缓冲器，其特征在于，它含有：作为射极跟随器的双极晶体管B0、隔离双极晶体管B1、尾电流源单元It、射极电压检测基极电流反馈放大器A0、负载Zl和镜像负载Zin；其中，B0的集电极与电源VDD相接，B0的基极与输入端Vin相接，B0的发射极与输出端Vout相接，B1的集电极与输出端Vout相接，B1的基极与A0的输出端相接，B1的发射极通过It与地相接，Zl的一端与Vout相接，Zl的另一端与地相接，Zin的一端与Vin相接，Zin的另一端通过It与地相接，A0的正输入端与偏置电压Vc相接，A0的负输入端通过It与地相接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邓民明，刘涛，刘璐，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十四研究所，
类型：发明
国别省市：重庆;85