本发明涉及一种湿法腐蚀NiCrSi膜的方法。本发明方法由于采用了单独用水枪近距离对硅片双面冲洗的步骤，有效解决了现有常规腐蚀方法中其硅片表面硫酸铈难以去除的问题；由于湿法腐蚀NiCrSi后生成物硫酸铈不溶于水，不适合常规腐蚀方法的一次腐...

本发明涉及一种具有带隙基准功能的恒流源电路，它含有一个带隙基准核单元、一个带隙基准偏置单元和恒流源输出单元。带隙基准偏置单元为带隙基准核提供偏置电流，带隙基准核单元为恒流源输出单元提供一定温度系数的带隙基准电压，结合恒流源输出单元的熔丝...

本发明公开了一种玻璃管与MEMS芯片气密性烧结装置，它包括主体机座、加热炉体、升降调节件和升降压力调节手柄，截止阀和抽气连接件等。本发明的装置中，采用两个MEMS芯片与玻璃管烧结在一起，玻璃管与抽真空设备相连抽真空，让玻璃管与通过玻璃粉...

本发明公开了一种用于锁相环的高速占空比调节和双端转单端电路，包括三部分：第一级输入波形整形级，第二级单边沿检测电路和第三级占空比恢复电路，本发明能够将锁相环压控振荡器的输出双端信号转换成单端信号，同时，本发明可以将锁相环压控振荡器输出波...

本发明公开了一种MEMS拱形结构的制造方法，通过运用牺牲层技术、选择性化学机械抛光以及镀膜技术，制作出一种新颖的MEMS拱形结构。本发明制作的拱形结构能实现微米级结构，工艺简单、制作效率高；由于采用低温工艺，避免了高温退火工艺对器件性能...

本发明公开了一种不连续导电模式低压输入/高压输出的开关倍压电源电路，它包括PWM电能变换电路和倍压整流滤波电路。由于本发明电路的变压器工作在DCM模式，在相同电压变换比例条件下，其耦合变压器的匝数比大幅减小，有效地解决了低压输入/高压输...

本发明涉及一种基于温度补偿的电压基准电路，包括正温度系数生成单元、负温度系数生成单元、温度补偿电路、镜像电路和分压电路；利用T项来补偿T项，利用Tln(T)项来补偿Tln(T)项，使电压基准电路补偿的针对性更强；输出基准电压与T和Tln...

本发明涉及一种可校正有限增益误差的乘法型数模转换器，它包括一个放大电路单元和一个有限增益误差校正电路单元。本发明通过两个补偿电容和一个放大器，组成有限增益误差校正电路单元，将部分输出量可调节地补偿到运算放大器的输入端，对“虚地”不为零进...

一种真空微电子压力传感器，包括：硅微场致发射阴极锥尖阵列、真空微腔、绝缘层、阳极弹性膜、阳极绝缘保护膜、引出电极、过载保护环、金刚石膜和绝缘衬底，其特征在于，在所述阳极弹性膜朝向真空微腔一面的中部，有连成一体的阳极活塞膜及其支撑柱，且支...

本发明涉及一种带两级分段共享运算放大器的乘法型数模转换器，它含有一个4位乘法型数模转换单元和一个1.5位乘法型数模转换单元。本发明电路在两级运算放大器之间增加一对开关，将运算放大器的两级进行有效分离，采用两个电容，就起到采样、放大、补偿...

本发明涉及一种带相位偏移调制功能分时交替实现的DDS系统。本发明在常规相幅转换器前加入了一个相位偏移量，为DDS提供了相位调制功能，它不但可为通信系统提供多种相位调制方式，还能在相位发生偏移的时候，及时通过相位偏移调制来修正相位偏差，使...

本发明涉及一种混合晶向硅衬底的制造方法。采用常规的硅硅晶片键合、光刻、腐蚀、常规外延、化学机械抛光和减薄工艺，就能制成混合晶向的硅衬底。只需使用一块掩膜版，无需淀积SiO2做为掩蔽层，不需做SPACER氧化和槽隔离。具有工艺简单、外延层...

本发明涉及一种提高台阶金属覆盖率的通孔刻蚀方法。本发明方法通过调整牺牲层，即光致抗蚀剂的曝光显影及高温坚膜条件，在光致抗蚀剂上形成通孔图案，再以图案化的牺牲层作为掩蔽层，通过调整离子体刻蚀工艺的工艺条件参数，得到开口具有一定斜度且顶部轮...

本发明涉及一种多晶硅悬梁结构的单片制造方法，本发明方法在常规BiCMOS工艺过程中，插入了多晶硅悬梁结构的加工步骤，在金属化工艺之前完成多晶硅的淀积和退火，避免了MEMS高温工艺对于金属化工艺的影响；在多晶硅悬梁结构的释放过程中，采用特...

本发明涉及一种线性电调衰减器，它包括一个四PIN二极管∏型衰减器和一个反向放大器。本发明电路采用四PIN二极管∏型衰减器和一个反向放大器相互连接来实现，将传统衰减器对串联PIN二极管控制改为对并联二极管进行控制，有效地解决了传统衰减器控...

本发明涉及一种减小输出信号时域不连续的DDS调制系统。本发明的DDS调制系统引入3个缓冲逻辑、1个溢出自动检测逻辑、1个MUX开关和1个DEMUX开关。由于在输入选择路由逻辑输出的频率、相位、幅度控制字后分别加入由溢出自动检测逻辑控制的...

本发明涉及一种无需运算放大器的低功耗限流电路。它由一对匹配电阻、第一电流镜、第二电流镜、第三电流镜、一个与功率管匹配的ＮＰＮ双极晶体管和一个基极电压固定的ＮＰＮ双极晶体管构成。本发明电路结构新颖，电路结构简单，不需要运算放大器，大大降低...

本发明涉及一种基于ＣＭＯＳ工艺的低压运算放大器。它含有：三个偏置电流设置ＰＭＯＳ管、一个ＰＭＯＳ差分输入对、两个由ＮＭＯＳ管组成的电流镜、一个由ＰＭＯＳ管组成的电流镜和两个工作在亚阈值区的电平移位ＰＭＯＳ管。本发明的低压运算放大器结构新...

本发明涉及一种集成在Ａ／Ｄ转换器芯片上的开关噪声抑制电路，它包括一个正基准通路ＲＣ网络和一个负基准通路ＲＣ网络，通过这两个ＲＣ电阻电容网络，来抑制流水线正基准ＶＲＥＦ＋和负基准ＶＲＥＦ－的ＳＳＮ噪声，使高速高精度流水线Ａ／Ｄ转换器的ＳＦ...

本发明涉及一种低压输入缓冲器电路，它包括一个主缓冲单元和一个辅助缓冲单元。与常规低压输入缓冲器电路相比，它具有以下特点：１）由于消除了输入管Ｍ１、Ｍ２的体效应影响，本发明电路的输出电压幅度下降仅为３％～５％，而常规输入缓冲器电路的输出电...