多晶硅悬梁结构的单片制造方法技术

本发明专利技术涉及一种多晶硅悬梁结构的单片制造方法，本发明专利技术方法在常规BiCMOS工艺过程中，插入了多晶硅悬梁结构的加工步骤，在金属化工艺之前完成多晶硅的淀积和退火，避免了MEMS高温工艺对于金属化工艺的影响；在多晶硅悬梁结构的释放过程中，采用特制腐蚀液和利用负性光刻胶作为多晶硅悬梁结构的支柱，有效地避免了湿法释放悬梁结构过程中的衬底粘附问题，且避免了对信号处理电路造成影响。本发明专利技术方法解决了多晶硅悬梁结构制作工艺与BiCMOS电路加工工艺兼容的技术难题，实现了多晶硅悬梁结构与BiCMOS信号处理电路的单片集成。本发明专利技术方法可广泛应用于电容式加速度计、陀螺仪等MEMS传感器的单片集成制造领域。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种多晶硅悬梁结构的单片制造方法，该方法包括以下步骤：（１）在Ｐ型衬底片上制作ＢｉＣＭＯＳ信号处理电路；（２）在已经形成了ＢｉＣＭＯＳ信号处理电路的所述硅片上形成多晶硅悬梁结构；（３）在已经形成了多晶硅悬梁结构的所述硅片上制作金属布线和钝化层；（４）在已经形成的所述多晶硅悬梁结构下面形成光刻胶支柱；（５）释放多晶硅悬梁结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李小刚，李健根，梅勇，张正元，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十四研究所，
类型：发明
国别省市：85