【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及数据处理，具体涉及一种三维集成电路信号通道缺陷检测方法、装置、设备及介质。
技术介绍
1、基于硅通孔(tsv)的3d集成是一项有前途的技术，具有高密度、小型尺寸和改进性能等优势。使用tsv和再布线层(rdl)可以实现信号高速传输。随着器件尺寸的缩小，传输通道的尺寸和间距也在减小，这给制造带来了挑战。重要的制造缺陷(如短路和开路缺陷)可能导致逻辑功能错误并降低系统的可靠性，因此在早期阶段检测到这些缺陷至关重要。
2、在制造缺陷中，开路和短路是两种重要的缺陷类型，可能导致通道完全故障。开路缺陷可能发生在tsv部分或rdl部分，由金属的断开表示。另外由于制造工艺等因素，相邻rdl之间可能由于相互接触而发生短路。由于系统集成度高，层与层之间互相堆叠，且tsv贯穿于纵向方向，制造完成之后不便拆解检测，目前缺乏有效的缺陷检查方法。
3、需要说明的是，上述内容仅提供了与本专利技术相关的
技术介绍
信息，不必然构成在先技术。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，...
【技术保护点】
1.一种三维集成电路信号通道缺陷检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的三维集成电路信号通道缺陷检测方法，其特征在于，所述训练后的缺陷预测模型由样本缺陷位置、样本缺陷类型和样本散射参数训练得到，包括：
3.根据权利要求2所述的三维集成电路信号通道缺陷检测方法，其特征在于，基于样本数据集对预设缺陷预测模型进行训练，得到所述训练后的缺陷预测模型，包括：
4.根据权利要求3中所述的三维集成电路信号通道缺陷检测方法，其特征在于，基于所述训练散射参数对所述预设缺陷预测模型进行训练，得到所述训练后的缺陷预测模型之后，所述方法还包括
5....
【技术特征摘要】
1.一种三维集成电路信号通道缺陷检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的三维集成电路信号通道缺陷检测方法，其特征在于，所述训练后的缺陷预测模型由样本缺陷位置、样本缺陷类型和样本散射参数训练得到，包括：
3.根据权利要求2所述的三维集成电路信号通道缺陷检测方法，其特征在于，基于样本数据集对预设缺陷预测模型进行训练，得到所述训练后的缺陷预测模型，包括：
4.根据权利要求3中所述的三维集成电路信号通道缺陷检测方法，其特征在于，基于所述训练散射参数对所述预设缺陷预测模型进行训练，得到所述训练后的缺陷预测模型之后，所述方法还包括：
5.根据权利要求2至4中任一项所述的三维集成电路信号通道缺陷检测方法，其特征在于，获取样...
【专利技术属性】
技术研发人员：陆科，徐学良，崔伟，陈容，简燕，廖希异，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十四研究所，
类型：发明
国别省市：
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