一种双路偏置电流产生电路制造技术

本发明专利技术属于电源管理芯片领域，涉及一种双路偏置电流产生电路，包括：QN2基极与QN1的基极、R1一端、R2一端、R3一端相连；R1另一端连接MN1和MN2的栅极、MP3的漏极；R2另一端连接QN2的集电极、QN3的基极；R3另一端、QN2的发射极、QN1的发射极以及QN3的发射极接地；QN1的集电极连接MN1的源极；MN1的漏极与MP1的漏极、MP1的栅极、MP2的栅极以及MP4的栅极连接；MP1的源极与MP2的源极、MP3的源极、MP4的源极、MP5的源极均连接VDD；QN3的集电极连接MN2的源极；MN2的漏极与MP2的漏极、MP3的栅极以及MP5的栅极连接；本发明专利技术的电路不受电源电压影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路领域中的电源管理芯片领域，具体涉及一种双路偏置电流产生电路。

技术介绍

1、在各类集成电路中，偏置电流源为电路的各个模块提供适当的偏置，是不可缺少的一部分。基于应用的需求，偏置电流源应该不随温度、电压和各种工艺参数的变化而变化。现有的偏置电路大都采用自偏置电路结构，偏置电流产生电路由一个mos管和一个电阻构成，再由mos管构成电流镜形式进行电流拷贝，这种方法比较简单易行，但是精度不高，输出电流随电源电压变化较大，同时电流存在一定的温度系数，因此输出偏置电流会随着电源电压以及应用环境的温度不同而发生变化。

2、现有技术中专利申请号为201110448348.3的《一种偏置电流产生电路》，该电路结构包括：电压-电流转换电路，将基准电压vref转换成电流i1，产生第一偏置电压vb1；稳定偏置电流产生电路，用来获得高稳定性的偏置电流，产生第二偏置电压vb2；稳定偏置电流输出电路，利用nmos管电流镜的原理产生稳定的偏置电流输出。该现有技术中直接采用系统中存在的基准电压vref，利用vref的高精度和低温漂的特点，获得同样高精度和低本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双路偏置电流产生电路，其特征在于，包括：三个电阻R1～R3、两个NMOS管MN1～MN2、五个PMOS管MP1～MP5以及三个NPN型三极管QN1～QN3；

2.根据权利要求1所述的一种双路偏置电流产生电路，其特征在于，三极管QN2和三极管QN3的发射极面积之比为1:N，三极管QN1与三极管QN2的发射极面积相同；其中N为正整数，用于调节电阻R2两端的电压降，从而控制流过R2的电流大小。

3.根据权利要求2所述的一种双路偏置电流产生电路，其特征在于，电阻R2的电流为：

4.根据权利要求1所述的一种双路偏置电流产生电路，其特征在于，PMOS管MP...

【技术特征摘要】

1.一种双路偏置电流产生电路，其特征在于，包括：三个电阻r1～r3、两个nmos管mn1～mn2、五个pmos管mp1～mp5以及三个npn型三极管qn1～qn3；

2.根据权利要求1所述的一种双路偏置电流产生电路，其特征在于，三极管qn2和三极管qn3的发射极面积之比为1:n，三极管qn1与三极管qn2的发射极面积相同；其中n为正整数，用于调节电阻r2两端的电压降，从而控制流过r2的电流大小。

3.根据权利要求2所述的一种双路偏置电流产生电路，其特征在于，电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：苟超，施腾飞，刘文韬，彭克武，雷旭，陈波，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十四研究所，
类型：发明
国别省市：